非晶态合金丝巨应力电阻效应的研究

研究了具有近零磁致伸缩系数Ｆｅ４．３５Ｃｏ６８．１５Ｓｉ１２．５Ｂ１５晶态合金丝在外加压应力作用下显示的巨应力电阻抗效应。比较了Ｆｅ４．３５Ｃｏ６８．１５Ｓｉ１２．５Ｂ１５非晶材料及具有大磁致伸缩系数的Ｆｅ７７．５Ｓｉ７．５Ｂ１５非晶材料在弯曲应力作用下显示的应力电阻抗效应的异同。仔细胞研究了结果非晶丝两端的电压信号峰峰值与外力,驱动电流Ｉｍｓ及频率ｆ的     

矩形脉冲电流退火与激励电流对Co基非晶带巨磁阻抗效应的影响

利用矩形脉冲电流对Co_(66.3)Fe_(3.7)Si_(12)B_(18)非晶带进行退火处理,研究了退火电流密度对非晶带巨磁阻抗效应的影响,同时研究了激励电流频率对退火处理后的非晶带巨磁阻抗效应的影响。结果表明,该非晶带的特征频率为1.4 MHz。最大巨磁阻抗所对应的磁场随激励电流频率的增加逐渐向高磁场方向移动。     

非晶丝单磁芯双线圈多谐振荡桥弱电流传感器

对采用非晶丝单磁芯双线圈多谐振荡桥制成的弱电流传感器进行了研究：对传感器的工作原理进行了分析,对传感器的信号处理电路进行了设计。它可用于对小的直流及交流信号进行测量,传感器灵敏度优于 １０ｍＶ／ｍＡ,量程为±５０ｍＡ,非线性误差优于１‰Ｆ·Ｓ,其－３ｄＢ带宽为ＤＣ～３ｋＨｚ,分辨力５μＡ,精度０．２％。     

非晶带的一种新型磁感应效应

当绕圈的非晶带通以方波信号时，可得到尖锐的脉冲信号。脉冲幅度随外磁场变化而迅速变化。本文介绍了这种新型磁效应，并给出了一些实验结果。利用这种效应可制作体积小，灵敏度高的磁敏元件。     

非晶态合金带圈力敏特性研究

对高频弱磁场激励下的非晶态合金带的应力磁效应进行了研究。研究结果表明具有大的应力敏感性的非晶带材料可用来制作力传感器。本文还给出了非晶合金带圈力传感器的原理及一些测试结果     

直流偏置电流对钴基非晶带环形磁芯巨磁阻抗效应的影响

将近零磁致伸缩系数的Co66.3Fe3.7Si12B18非晶薄带卷成环形后,在200Gs横磁场作用下,用密度为25A/mm2的脉冲电流退火30s,在穿过环形薄带圆心的直流电流产生的圆周磁场作用下的巨磁阻抗效应.激励电流频率f＞100kHz时,阻抗随圆周磁场的变化呈现对称双峰曲线;最大阻抗变化率（GMI）max随频率的升高而增大,当频率f=2MHz,幅值Ip=10mA时,（GMI）max=57%.直流偏置电流改变了非晶带横向磁导率,造成阻抗变化的不对称.偏置电流较小时,阻抗变化曲线的一边峰值得到加强,另一边峰值减弱;偏置电流较大时,两峰值都被削弱.阻抗变化的不对称性与激励电流的频率和直流偏置电流大小有紧密联系.     

钴基非晶合金薄带应力阻抗效应的研究

通以高频交变电流的钴基非晶带在弯曲时，由于受到应力作用而具有显著的应力阻抗效应，实验中所用的材料是经过适当脉冲电流退火的钴基非晶合金薄带Co66.3Fe3.7Si12B18。研究了阻抗变化率随非晶带弯曲程度的变化关系以及交流电流幅值和频率对非晶带应力阻抗效应的影响。实验结果表明，在弹性体末端位移为正方向时，非晶带具有负的阻抗变化率，而位移方向为负时，具有正的阻抗变化率，且都随位移的增加而增大。在位移一定的情况下，阻抗变化率随着频率的增加先增大后减小，随电流大小的变化关系也具有这种趋势。     

基于P SD光杠杆自平衡精密电磁天平的研究

提高电磁天平性能的关键是在一定质量下使横梁产生大的位移并对该位移量进行高精度检测,据此设计了一种基于PSD(位置敏感器件)光杠杆与横梁组件构成的位移传感器,并与电磁力传感器构成闭环系统,它可使传统的电磁天平的位移量得以进一步放大。与普遍使用在电磁天平中的硅光电池位移传感器相比较,采用PSD光杠杆的位移传感器具有测量精度高,结构简单,动态特性好等优点,优化了电磁天平的整体性能。基于上述方法研制了量程为210 g的电磁天平样机并对其进行试验研究,结果表明其系统总精度达0.003 2%。