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采用微机械加工技术可以制作出管芯尺寸小而灵敏度很高的压力传感器。目前微压压力传感器产品的量程已达5~10kPa。本文介绍了采用微机械梁膜结构的压力传感器设计(PT—24),结合适当的工艺可以制成量程为1kPa的器件。 相似文献
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本文用统计方法对择优生长的多晶硅横向压阻进行了分析:计算了<100>、<110>、<111>、<211>、<221>、<311>、<331>等低指数晶向择优生长的P型和N型多晶硅横向平均晶粒压阻系数;采用全空间统计平均的方法,计算得到了晶向完全随机的多晶硅横向平均晶粒压阻系数;从欧姆定律和多晶硅晶粒特性出发,推导了多晶硅横向压阻灵敏度的表达式。通过实验测量了多晶硅横向压阻器件的灵敏度及其与角度的关系,证实多晶硅横向压阻灵敏度与器件倾角α符合sin2α的关系。将实验结果与理论分析的结果相比较后,得到了多晶硅的杨氏模量,这些结果表明多晶硅横向压力传感器具有实用价值,并为器件提供了优化的设计方案。 相似文献
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本文提出了一种用于压阻压力传感器中的微机械梁膜结构.这种结构除有灵敏度高、线性好等优点外,还有其他优良性能,而工艺要求又较已有的各种结构为低.有限元素法的应力分析和实验结果证明了这种结构的优良性能. 相似文献
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本文对方膜的硅压力传感器结构进行了应力非线性的计算分析,得出了应力-压力关系非线性与压力量程、膜的几何参数以及器件位置的关系,并给出了实现线性最佳化设计的结果.实验与理论结果的比较表明:(1)压阻效应非线性很小,压力传感器的非线性主要决定于应力非线性;(2)方膜边缘的四端力敏电阻设计不仅灵敏度高,而且有较好的线性;(3)进一步改进压力传感器精度的方法是选用应力线性优良的结构. 相似文献
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MEMS传感器性能提高相关技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
在分析MEMS(微电子机械系统)传感器当前的发展现状、特点特别是在器件实用化和产品化进程中所面临的挑战后,提出了MEMS传感器技术实用化的关键-提高器件性能满足应用要求。根据研究经历举例说明改进传感器材料、结构、制作工艺和器件工作原理等具体措施对提高器件性能的作用。 相似文献
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采用微机械加工技术可以制作出管芯尺寸小而灵敏度很高的压力传感器。目前微压压力传感产品的量程已达5-10kPa。本文介绍了采用微机械梁膜结构的压力传感器设计(PT-24),结合适当的工艺可以制成量程为1kPa的器件。 相似文献
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结合光子晶体和表面等离子体共轭(surface plasmon resonance,SPR)技术,研究了一种新型的MEMS红外光源.相比传统的红外光源,该新型光源具有红外光谱窄、红外发射峰位置可调等优点.该光源衬底材料为硅,然后在硅表面形成SiO2-Cr-Au结构,并在Si-SiO2-Cr-Au结构表面形成刻蚀深度为2pm、孔间距分别为7μm和8μm(孔直径分别为3.5μm和4μm)等不同的周期性排列圆孔的光子晶体结构.采用有限元时域分析(finite-difference time-domain,FDTD)软件模拟和傅里叶红外光谱仪实际测量的结果表明,该新型MEMS红外光源具有窄的波峰,其反射光谱波谷波长和圆孔间距相近.通过理论推导和FDTD软件模拟,研究了光源光子晶体结构中圆孔深度和透射光谱波峰强度关系.结果表明,圆孔深度为2μm的结构比3μm结构的透射强度更强.透射强度与圆孔深度h在一定范围近似为倒数平方关系,即在一定范围内圆孔越深,透射越弱. 相似文献
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用PHI-550型电子能谱仪的AES测量了经不同温度热处理后Al/PtSi/Si肖特基接触的组份深度分布,结合俄歇峰形的测量,分析了肖特基势垒高度与热处理温度的关系。 相似文献