适用于高品质射频集成电感的多孔硅新型衬底制备技术

提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构．ASITIC模拟证明，该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子．采用此工艺，在固定腐蚀液配比的条件下，变化电流密度和阳极氧化时间,制备出了高质量的厚膜多孔硅，并测量了多孔硅的生长厚度、孔径大小和表面形貌，得出了多孔硅生长速率随阳极氧化时间和电流密度的变化关系，为背向选区腐蚀工艺制备高品质硅基集成电感奠定了理论和实验基础．     

亚0.1μm栅长CMOS器件和电路的研制

利用侧墙图形转移实现亚 0 .1μm栅线条 ,重掺杂多晶硅做固相扩散源实现 CMOS晶体管超浅源漏扩展区 ,并且将二者有机结合起来 ,成功实现了栅长约为 84 .6 nm的 CMOS器件和电路 .报道了利用重掺杂多晶硅固相扩散同时实现 CMOS源漏扩展区的方法 .     

用显微镜评定粘胶的纯度

检测粘胶纯度对于工业生产和科研具有重要意义,它主要反应在粘胶的过滤性能上。但对实际生产工人和科研人员所感兴趣的是沾污粘胶的粒子组成,尤其是微细的凝胶粒子和10毫微米以上的其它粒子。为计算并测定其分级组成,采用了专用的胶块仪来测定粒子数。但直至目前,该方法不能得到广泛普及。     

苏联生产6.7特无光粘胶丝

一种6.7特粘胶丝新产品在苏联契尔卡塞(черкассы)化纤厂投入工业化生产。该产品由18根单丝组成,每根单丝的线密度为0.37特,它适用于制造针织内衣。     

锌—漂蓝6B—喹啉—溴化十六烷基三甲铵多元配合物显色反应的应用

本文研究了锌与漂蓝6B,喹啉和溴化十六烷基三甲铵在pH8.2～9.5区间生成绿色四元配合物.该配合物的最大吸收波长在600nm处,摩尔吸光系数为1.1×10~5L·mol~(-1)·cm~(-1),锌量在0～16μg/25ml范围内遵守比尔定律.四元配合物的组成是Zn:ECAB:喹啉:CTMAB=1:2:3:6.许多常见离子不干扰测定,方法用于矿石中微量锌的测定,获得了满意的结果.     

牛奶蛋白纤维的开发

随着人们生活水平的不断提高，对高档的时尚服饰面料需求也越来越大。尤其是那些柔软、舒适、高雅的卫生环保型天然面料，更受广大消费者的青睐。其中牛奶蛋白纤维织物，就属高档天然化品位的产品。而目前全球只有荷兰、日本、波兰等少数国家生产该产品。我国近年已进口的牛奶纤维纺织品，销售一直很好，市场前景乐观。牛奶作为高品质食品人所共知，而利用它纺制纤维制作和高档服饰却鲜为人知。由于牛奶中的主要成分为：蛋白质、水、脂肪、乳糖、维生素及灰分等。其中蛋白质是制造牛奶纤维的基本原料。如将牛奶中蛋白质提取后，经化学处理和…     

适于低压低功耗工作的SOI栅控混合管(GCHT)的实验研究

本文讨论了SOI栅控混合管（GCHT）的设计及制备．对这种器件的物理机制进行了实验验证，得到结论：GCHT漏端电流在栅压较高时趋向于双极电流，而不如文献[4]中报道是MOS电流．实验结果表明，这种混合管具有比纯MOSFET约高6．5倍，比纳BJT约高1．7倍的驱动能力，最高电流增益可达10000，最小亚阈摆幅可达66mV／dec，导通电压比纯BJT约低0．3V，比纯MOSFET约低0．7V由GCHT组成的反相器在Vdd=0.8V仍具有良好的直流传输特性．因此GCHT在低压低功耗应用领域中极具潜力，同时也将适于模拟电路方面的应用．     

50nm SOI-DTMOS器件的性能

利用二维器件模拟软件ISE对5 0nm沟道长度下SOI DTMOS器件性能进行了研究,并与常规结构的SOI器件作了比较.结果表明,在5 0nm沟长下,SOI DTMOS器件性能远远优于常规SOI器件.SOI DTMOS器件具有更好的亚阈值特性,其亚阈值泄漏电流比常规SOI器件小2～3个数量级,从而使其具有更低的静态功耗.同时,SOI DTMOS器件较高的驱动电流保证了管子的工作速度,并且较常规SOI器件能更有效地抑制短沟道器件的穿通效应、DIBL及SCE效应,从而保证了在尺寸进一步减小的情况下管子的性能.对SOI DTMOS器件的物理机制进行了初步分析,揭示了其性能远优于常规结构的物理本质     

放射性企业安全防护工作会议在包头召开

为了搞好安全防护工作,加快原子能工业的发展,在本世纪内实现四个现代化,于1978年9月在包头召开放射性企业安全防护工作会议。与会代表认真学习了中共中央、国务院关于生产、劳动保护、环境保护的方针、政策和规定,揭发批判了林彪、“四人帮”破     

悬梁式挑流鼻坎最优坎高

以跳台形式的溢流堰或急流陡槽,把水流挑射至下游水面,其挑射距离L′一般按公式 (1)计算(文献1,2)。式中:T_0=T V_0~2/2g; T——上下游水面高差; Z——鼻坎顶端挑流水面至下游水面的高差; V_0——上游进水口行近流速; θ——鼻坎挑射角; h——鼻坎顶端水深; g——自由落体加速度。流速系数如下式φ=1/(1 ∑ζ)~(1/2),(2)