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81.
制备了氧化铪(HfO2)高k介质栅Si基Ge/SiGe异质结构肖特基源漏场效应晶体管(SB-MOSFET)器件,研究了n型掺杂Si0.16Ge0.84层对器件特性的影响,分析了n型掺杂SiGe层降低器件关态电流的机理。使用UHV CVD沉积系统,采用低温Ge缓冲层技术进行了材料生长,首先在Si衬底上外延Ge缓冲层,随后生长32 nm Si0.16Ge0.84和12 nm Ge,并生长1 nm Si作为钝化层。使用原子力显微镜和X射线衍射对材料形貌和晶体质量进行表征,在源漏区沉积Ni薄膜并退火形成NiGe/Ge肖特基结,制备的p型沟道肖特基源漏MOSFET,其未掺杂Ge/SiGe异质结构MOSFET器件的空穴有效迁移率比相同工艺条件制备的硅器件的高1.5倍,比传统硅器件空穴有效迁移率提高了80%,掺杂器件的空穴有效迁移率与传统硅器件的相当。 相似文献
82.
相关检测在宽带雷达信号处理中的应用 总被引:4,自引:3,他引:4
通过对宽带雷达信号目标回波的分析,总结了其目标回波的主要特性。在比较几种经典信号检测方法的基础上,重点讨论了CDBPI和IPCD的方法,并对其性能和主要优缺点进行了分析。通过理论分析表明:在输入信噪比较大时,CDBPI方法可以精确地判定目标位置,而IPCD方法能够进一步提高输入信噪比。对IPCD方法的进一步研究表明:在低输入信噪比条件下,该方法具有更好的检测性能。用理想数据和实际数据进行仿真的结果表明,当采用32个脉冲重复周期进行积累后,IPCD方法比经典的能量积累的方法有1~2dB的信噪比提高。 相似文献
83.
目的 研究氧化石墨烯在离子液体中的分散稳定性及其影响因素,并验证其摩擦学性能。方法 采用扩展的DLVO理论,分析计算了表面活性剂与离子液体烷基侧链长度对氧化石墨烯胶体稳定性的影响,并结合实验对理论分析结果进行评估与验证,同时采用摩擦磨损试验机对稳定的氧化石墨烯胶体的润滑性能进行测试。结果 未经修饰的氧化石墨烯分散于离子液体中,总势能曲线始终为负值,颗粒间表现为吸引力,极不稳定。而对于经表面修饰的氧化石墨烯胶体而言,颗粒间的相互作用势能与表面活性剂和离子液体烷基侧链长度呈正相关。当选用的表面活性剂烷基侧链长度为9、离子液体侧链长度为6时,对应的势垒值最高,可达500 kT,从而有望实现胶体的稳定分散。后续静置实验及紫外可见吸收光谱分析结果与理论分析结论保持一致。摩擦实验表明,相比于纯离子液体,稳定分散有氧化石墨烯的离子液体的润滑性能显著提升。结论 采用扩展的DLVO理论可对氧化石墨烯在离子液体中的分散稳定性进行理论预判,氧化石墨烯颗粒表面吸附的活性剂及离子液体烷基侧链越长,氧化石墨烯胶体越稳定。 相似文献
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针对目前国内对高耗能企业的电力能效状态缺乏有效地评估,提出了一种基于模糊集对法的高耗能企业电力能效评估方法,从而为实现对企业电能的优化管理提供理论基础。首先依据高耗能企业电力能效监测终端采集到的能效数据,建立了企业电力能效等级评估指标体系,并首次提出了高耗能企业电力能效标识这一概念;其次采用层次分析法与熵权法相结合的定权方法,使求得的综合权重既注重专家经验又体现了评价的客观性;最后计算出各指标所对应的联系度,并采用最大置信度原则确定企业能效等级。通过实例分析比较表明了该方法计算简洁、准确度高,具有较强的实用价值。 相似文献
87.
根据橡胶经典理论对非扭转橡胶减震器结构进行了初步设计,综合考虑了阻尼、刚度,边界条件等影响因素,在Ansys中建立了有限元仿真模型.依据其敏感尺寸,以系统三向等刚度为目标,对减震器进行了基于复模态分析的结构尺寸优化.对减震系统进行了试验,结果表明仿真值与实验值较接近,并达到了预期的设计要求. 相似文献
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