压力对均相共沉淀法制备羟基磷灰石晶体形貌的影响

以硝酸钙、磷酸氢二铵混合水溶液为原料、以尿素为缓冲剂,采用均相共沉淀法制备羟基磷灰石晶体,并通过X射线衍射、扫描式电子显微镜、透射电子显微镜等3种分析方法对样品分别进行了物相组成、晶体形貌、晶体取向的表征,研究了不同压力对羟基磷灰石晶体形貌的影响.结果表明:当反应压力从0.11 MPa增加至1.1 MPa时,所得羟基磷灰石晶体的物相组成由含有羟基磷灰石和磷酸八钙两种物相向只含有羟基磷灰石一种物相过渡;所得羟基磷灰石晶体的形貌从针状晶须（经由长板状和六方柱状）向薄片状晶体进行过渡;所得羟基磷灰石晶体的生长取向由沿一个方向（c轴）生长向沿另外两个方向（a轴和b轴）生长转变.     

孔形羟基磷灰石负载锶化合物催化剂的制备与表征

通过在873 K焙烧Sr(NO₃)₂/孔形羟基磷灰石，成功地制备了一种新型的固体碱催化剂，并对其进行TG-DTA、XRD、IR、SEM、BET和碱强度表征。结果表明，在873 K，发生固相离子交换反应——Ca₅［PO₄］_3-y(CO₃·OH)_y］(OH)+SrOCa_5-xSr_x［PO₄］_3-y(CO₃·OH)_y］(OH)+ Ca_xSr_1-xO，孔形羟基磷灰石表面上的新相Ca_xSr_1-xO能抑制羟基磷灰石的分解，并能阻止羟基磷灰石的重结晶，使羟基磷灰石在高温下保持孔形结构。用此固体碱催化剂催化大豆油与甲醇的酯交换反应，可使豆油的转化率达到85%。     

流溪河拱坝不可逆位移的研究

流溪河拱坝运行４０余年，存在向上游方向的不可逆位移。经过研究，证实不可逆位移数值不大，且近年已有所缓解，目前对大坝安全未构成威协。其原因有多种假设，最大的可能是由于拱坝的结构与其工况所引起。该坝这种不可逆的位移，近十年还存在，必须引起注意。     

宜昌磷矿工艺矿相学研究

对宜昌磷矿进行了工艺矿物学研究,测定出了矿石的化学成分、各组分的赋存状态、矿物的嵌布特征和单体解离度.研究表明宜昌磷矿中含P2O5、CaO、SiO2、Al2O3、MgO、Fe2O3、K2O、F、S、Na2O等化学成分,胶磷矿、碳酸盐矿物、石英质矿物和粘土质矿物是其主要矿物单体,它们总质量分数达到98.2%.有96%的胶磷矿嵌布粒度和93%的碳酸盐矿物嵌布粒度大于0.0784 mm,而且它们的单体解离度在三个粒级均大于90%,属中粒嵌布.     

有机柱撑水云母的制备及表征

经过“钡/钾离子交换”后的黑云母变为边缘区域为蛭石层,中央区域为云母层的水云母. 用十八烷基三甲基氯化铵对水云母进行有机柱撑,得到有机柱撑水云母. 通过X射线衍射测试和傅里叶转换红外光谱对粉末样品进行表征,研究了十八烷基三甲基铵离子对水云母层间距的影响及在夹层中的排布模式. 结果表明,水云母中全部蛭石层和部分云母层被十八烷基三甲基铵离子撑大,柱撑层层间距为2.8 nm,层间十八烷基三甲基铵离子以单层倾斜结构排布,倾斜角约为45°     

反应温度和反应时间对三水碳酸镁晶须长径比的影响

为了扩大其作为增强补韧剂和阻燃剂的应用,以氯化镁和碳酸氢铵为原料,通过水热法成功合成了不同长径比的三水碳酸镁晶须. 采用X射线衍射、扫描电子显微镜、透射电子显微镜对所得三水碳酸镁晶须的物相和形貌进行分析. 结果表明:当反应时间为5 h时,随着反应温度（50 ℃~80 ℃）的升高,三水碳酸镁晶须长径比减小. 当温度为50 ℃,反应时间在4 h~5 h内时,晶须处于生长阶段,长径比增大;反应时间延长至7 h,由于发生相转变,晶须开始溶解,导致长径比减小. 通过对晶须尖端的分析,证实晶须属于台阶生长机制.     

过渡元素掺杂固体电解质的制备及电性能

为了解决固体氧化物电解质在中温范围（500 ℃～800 ℃）工作电导效果不佳的问题,采用燃烧合成方法以氧化镧及过渡离子氧化物为原料,制备了过渡金属元素掺杂的硅酸镧体系电解质材料. 用X-射线衍射图谱、扫描电子显微镜以及红外光谱对所得电解质进行了物相和显微结构分析. 研究表明,掺杂离子对电解质的物相结构及形貌影响很小,但是通过引入适量过渡掺杂离子,能够有效提高电解质的电导率. 当掺杂量摩尔比x=1.0时,锌掺杂后硅酸镧电解质具有最高的离子电导率,在500 ℃时的电导率可达2.106×10-2 S/cm. 相比于未掺杂电解质在500 ℃电导率为1.71×10-3 S/cm有了显著提升. 元素铜的掺入对电解质的致密度有促进作用,压片和二次烧结后电解质的密度达94.1%. 同时通过交流阻抗测试分析证实镍在硅位掺杂会降低电解质的电导率.     

基于TMS320F28035 CLA的全数字化UPS系统设计

针对中小功率数字化不间断电源UPS,给出了一套基于普通低成本数字信号处理芯片的系统总体设计方案。通过综合分析,合理设计出数字化UPS系统硬件拓扑方案,并采用F28035芯片作为主控芯片,结合其内部集成的控制律加速器（CLA）功能优势,协助主核CPU分担系统任务,实现单芯片对复杂UPS系统的全数字化控制。试验样机证明,该全数字化控制方案,可有效减少外围器件、降低成本,并获得良好的整机性能,提高系统的可靠性。     

L-抗坏血酸苯甲酸酯的合成与性能研究

在常温下,反应物L-抗坏血酸与苯甲酸按摩尔比为65反应,可得到产物L-抗坏血酸苯甲酸酯,产物为白色鳞片状结晶,产率为72.6%,L-抗坏血酸苯甲酸酯具有明显的抗氧化作用,添加L-抗坏血酸苯甲酸酯实验组的油脂过氧化值显著低于空白对照组。L-抗坏血酸苯甲酸酯还具有一定的抗菌作用,在2‰浓度下,可基本抑制大肠杆菌生长,与1‰苯甲酸的抗菌能力相当。这些实验表明,L-抗坏血酸苯甲酸酯具有抗菌、抗氧化的双重作用。本研究可为新型、多功能食品添加剂的开发提供依据。     

钐和锌双掺杂La9.33（SiO4）6O2电解质的制备及其电导率

为提高磷灰石型电解质（LSO）的电导率,以氧化镧（La₂O₃）、氧化锌（ZnO）和氧化钐（Sm₂O₃）为主要原料通过尿素-硝酸盐燃烧法在600 ℃的温度下合成了掺杂钐和锌的La_9.33Sm_xSi₅ZnO_{（25+1.5x）}固体电解质粉末。采用X射线衍射、扫描电子显微镜、变温介电测量系统对样品进行物质结构、表面形貌、电导率的表征。研究了不同温度和不同掺杂浓度下La_9.33Sm_xSi₅ZnO_{（25+1.5x）}的电导率。结果表明,Sm和Zn成功掺杂进入LSO的晶格中,样品具有典型的P6₃/m磷灰石结构且纯度高,LSO的形貌未改变。当Sm掺杂浓度为0.6,Zn掺杂浓度为1时,在温度为650 ℃下La_9.33Sm_xSi₅ZnO_{（25+1.5x）}的电导率达到1.50×10^-3 S/cm;确定了最佳烧结温度为1 400 ℃。La_9.33Sm_xSi₅ZnO_{（25+1.5x）}的电导率在同一温度下随着掺杂量的增加先提高后降低,掺杂样品的晶胞参数相比于未掺杂样品的晶胞参数增大,活化能随着掺杂量的增大先降低后升高。此外La_9.33Sm_xSi₅ZnO_{（25+1.5x）}的电导率在同一掺杂量下,随着温度的升高而提高。