基于微观分析的GFRP浸水老化弯曲性能研究

本文开展了玻璃纤维增强复合材料(GFRP)在去离子水和Na Cl溶液中常温浸泡前后的质量、弯曲强度、弯曲模量、腐蚀深度变化的研究,并基于微观分析研究了GFRP片材在去离子水和Na Cl溶液中浸泡后的弯曲性能。研究结果表明,GFRP置于不同的溶液中,吸水率均呈现先上升后趋于平稳的趋势;GFRP在去离子水环境中的吸水率约为在Na Cl溶液中的2倍;GFRP置于去离子水和Na Cl溶液中120d后,片材的弯曲强度和模量均发生先上升后下降的变化;相同浸泡时间下,片材在去离子水中的腐蚀深度大于在Na Cl溶液中的腐蚀深度。     

DSP在电机控制系统中的应用与研究

提出了利用DSP2407A芯片的脉宽调制电路PWM对步进电机实现精确控制的方法,介绍了步进电机工作的基本原理,详细阐述了步进电机驱动控制模块的硬件结构和软件设计.实验表明该电机控制系统工作稳定,能实现电机的精确定位和速度控制.     

一种直流蓄电池开路续流与过放告警装置的研究

变电站用直流系统电源主要是由充电机提供的,但在交流失压或一次线路故障需要重合闸时充电机不能正常输出或者保护输出时需要蓄电池输出电能供给直流系统电源。蓄电池可靠运行直接关系到电力系统安全可靠运行,在电力事故案例分析中可以发现不少事故是由蓄电池在应起作用时不能起到相应作用所引起的。现介绍一种直流蓄电池开路续流与过放告警装置,其应用可减少蓄电池故障引起的二次扩大事故。     

某建筑的梁、板产生的裂缝原因分析和处理方法

本文探讨了在实际工程中,结构构件梁、板出现开裂现象,从设计到施工以混凝土材料组成等方面,分析梁、板裂缝产生的原因,以及对梁、板出现裂缝的处理方法。     

用RILEM方法得到混凝土断裂韧度的尺度律

用两种不同配合比的混凝土制作了几何相似的直裂缝矩形截面三点弯曲梁,在MTS 815材料试验机上测试这两种混凝土的力学参数并记录了三点弯曲试件的荷载-加载点位移和荷载-裂缝端口张开位移的全过程曲线。用最大荷载和初始裂缝长度求得的断裂韧度KIC存在明显的尺寸效应,对此问题,用材料与结构研究实验所国际联合会(RILEM)推荐的方法分别得到两种混凝土材料的真实断裂韧度和有效断裂过程区长度,从而确定了混凝土断裂韧度的尺度律公式。从该公式能直接得到材料大尺寸试件的断裂韧度和断裂过程区长度,还能预测同材料的试验室尺寸下几何相似试件的断裂韧度测试值。     

高速公路沥青路面建设中的质量问题分析

我国高速公路不断增多,高速公路在建设中的质量非常重要,也是广大交通者所关注的焦点,对于高速公路沥青路面使用现状,本文阐述了影响高速公路沥青路面建设质量中的问题进行分析。     

水泥砂浆断裂韧度的尺寸效应研究

用两种不同配合比的水泥砂浆分别制作了三组几何相似的矩形截面直裂缝三点弯曲梁.在MTS815材料试验机上进行试验,记录了试件的荷载-加载点位移(P-δ)和荷载-裂缝端口张开位移(P-ωCMOD)的全过程曲线.利用最大荷载和初始裂缝长度求得的线弹性断裂韧度存在明显的尺寸效应.为此,基于虚拟裂缝模型,认为裂缝端口张开位移是荷载、自霞和黏聚力共同作用的结果,求解该位移公式得到断裂过程区长度值,用断裂过程区长度修正初始裂缝长度后,再代入三点弯曲梁应力强度因子公式,进而得到尺寸效应程度较弱的等效断裂韧度值.     

GCr15钢(M+B)复合组织与性能关系

研究GCr15钢经850℃奥氏体化后,于250℃硝盐中以不同时间等温转变,获得不同比例的(M+B)复合组织与性能的关系。测定了A_k、σ_b、σ_(bb)、K_(Ic)和耐磨性,利用电子显微镜观察分析等温淬火钢的金相组织和断口形貌。试验结果表明:经850～250℃×2h等温处理后,下贝氏体量约30～40%,比其它时间内的等温处理组织具有最佳的综合机械性能。     

909显示器光栅异常的故障检修

故障现象：把显示状态开关拨向REV处，屏幕上除出现很亮的整幅光栅外，还伴有十几条距离较宽而且间隔均匀的白色斜线条，即场回扫线；把显示状态开关拨向NOR处，光栅稍暗，但仍然有场回扫线。无论在何种显示状态，亮度及对比度变化正常，屏幕上也能显示各种字符。故障分析与排除：上述故障，一般由以下几个方面引起，即：（1）场消隐电路。（2）显象管的电子加速电路。但从故障现象看，第二种电路出问题的可能性最大，因为如果加速极电压太高，就会使场行消隐信号在逆程扫描期间，无法把电子束加以截止，从而除形成很亮的光栅，产生场、…     

基于电容倍增的LDO设计

本文设计了一种低静态电流、高稳定性的低压降线性稳压器,为了减小补偿电容值,及控制频率响应中尖峰的位置,本文采用了电容倍增技术进行频率补偿,并给出了稳定性的理论推导。该LDO在负载电流0.1mA和150mA时都具有较好的相位裕度。电路采用XFAB 0.6um CMOS工艺模型,最终设计的LDO电路静态功耗17uA。使用10uF的负载电容,在负载电流变化率为770mA/100us时,最大过冲为12.2mV（0.7%）。