基于RBF的故障电缆距离的预测算法

分析了基于零序直流原理的单处故障的电缆测距模型,由于模型中的参数复杂,提出了基于RBF网络的故障电缆距离的预测模型,从而实现对基于零序直流原理的故障电缆测距模型中的复杂参数进行辨识。通过仿真采集大量的原始数据,建立RBF神经网络预测模型,与BP(Back Propagation)预测方法进行仿真比较,结果表明RBF神经网络具有更好的预测效果,实现了故障电缆的准确定位,为进一步对该模型的研究与开发奠定了基础。     

厦禾变220kV禾金Ⅱ路电缆型带电指示装置故障分析与整改措施

经过对厦门厦禾变禾金Ⅱ路带电指示装置故障过程的重构,分析了一起因将带电指示装置安装在存有电势差的电缆单端接地系统护层保护器的两端,而在系统故障过电压的情况下导致相关引线烧毁的原因,提出了处于运行维护交界设备的电缆线路应加强变电站人员相关知识的补充和培训,也指出了今后在主设备安装附加元件应对所处的系统环境进行充分的技术评估和必要的安全论证。     

全球信息栅格（GIG）体系结构视图产品开发分析

1概述 体系结构是用于描述系统构成单元的结构及其相互关系,以及指导系统设计和随时间演进的原则与指南。它提供一种解决复杂系统问题的能力,有助于作战概念、互操作能力以及系统相关问题的理解。体系结构的应用包括确定能力需求、将需求与系统开发和集成关联起来、获得信息技术互操作能力和可维护能力,并支持信息技术投资决策等。它是信息系统顶层设计的重要部分,直接约束和规范军用信息系统的设计、开发与采办。     

浅析节能提升推拉门五金系统关键结构的力学模型

本文通过分析提升推拉门五金系统关键结构的力学模型,对传动原理、提升机构、手柄启闭力等做了分析,希望能提升行业中良莠不齐的配件水平,更好地为用户服务。     

铝合金表面Ti-Zr转化膜的制备及腐蚀行为研究

为进一步提高铝合金的耐蚀性,以H2TiF6和H2ZrF6为主成膜剂,六偏磷酸钠为辅助成膜剂,在LY12铝合金表面制备了Ti-Zr转化膜,系统地研究了转化液pH值和转化时间对转化膜耐蚀性的影响.通过SEM、EDX、电化学测试、全浸试验等研究了转化膜表面形貌-成分-耐蚀性之间的关系.结果 表明:转化温度为40 ℃时,最佳转化液pH值为4.5,最佳转化时间为15 min;转化膜层中主要含有Ti、Al、O元素,另含有少量Zr元素,推测转化膜的主要成分为TiO2、ZrO2、Al2O3,生成的连续致密氧化膜能明显抵御Cl-的侵蚀,显著提高其耐蚀性.     

新型基区结构高反压功率晶体管的优化

依据电参数指标要求,针对高压-高增益硅功率晶体管基区结构和终端结构进行优化研究。提出了一种可用于改善集电极-发射极击穿电压(V_(BRCEO))和电流放大倍数(β)矛盾关系的带埋层的新型基区结构,并针对埋层基区结构对高压-高增益硅功率晶体管电性能及可靠性的影响进行了研究。仿真结果表明:新型基区结构不仅可以很好地折中晶体管β与V_(BRCEO)之间的矛盾关系,而且还能在较大的埋层基区宽度、埋层基区掺杂峰值浓度范围内使晶体管获得较低且一致性较好的饱和压降;具有新型基区结构的晶体管在改善正偏的情况下抗二次击穿能力具有明显优势。由仿真得到的器件结构参数,研制出的样片的β,V_(BRCEO)和集电极-基极击穿电压(V_(BRCBO))均满足电参数指标要求。     

浅谈设备网格技术

针对设备网格技术的相关问题，介绍了设备网格的概念、发展现状以及特性，然后又论述了设备网格的体系结构和资源调度模型，同时也指出了其发展方向。     

液晶显示器Mura缺陷及测量方法浅析

Mura缺陷是液晶显示器(LCD)中常见的不良现象,直接影响到显示图像质量.本文对液晶显示器Mura缺陷进行了详细的综述,首先概述了Mura缺陷的种类及主要来源,然后介绍了Mura缺陷的三类测量方法:人工视觉识别法、电学测量法、光学测量法.人工视觉识别法利用滤光片观察样品,成本较低,但无法做到客观的评定产品等级;电学测量法适用于电气缺陷造成的Mura;基于机器视觉的光学测量法是当前研究的热点,对于各种原因造成的Mura缺陷均具有良好的检测效果.详细分析了各种检测方法的特点,最后进行归纳总结.     

不同受载方式下桩侧阻的渗水力模型试验研究

利用ｎ·ｇ渗水力土工模型试验对垂直受载桩在桩顶压桩，桩顶拔桩及桩底托桩等受载方式下的桩侧摩阻力的发展规律进行了试验研究，得到了侧阻与位移的关系、侧阻强度沿桩身的分布以及侧阻强度和相应截面位移之间的关系，试验成果在一定程度上揭示了侧阻发展的机理。     

不同受载方式下桩侧阻的渗水力模型试验研究

利用ｎ·ｇ渗水力土工模型试验对垂直受载桩在桩顶压桩，桩顶拔桩及桩底托桩等受载方式下的桩侧摩阻力的发展规律进行了试验研究，得到了侧阻与位移的关系、侧阻强度沿桩身的分布以及侧阻强度和相应截面位移之间的关系，试验成果在一定程度上揭示了侧阻发展的机理。