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A. N. Ionov P. G. Baranov B. Ya. Ber A. D. Bulanov O. N. Godisov A. V. Gusev V. Yu. Davydov I. V. Il’in A. K. Kaliteevskiĭ M. A. Kaliteevskiĭ A. Yu. Safronov I. M. Lazebnik H. -J. Pohl H. Riemann N. V. Abrosimov P. S. Kop’ev 《Technical Physics Letters》2006,32(6):550-553
Phosphorus-doped silicon 30Si monoisotope samples with a highly homogeneous impurity distribution at a concentration of 5 × 1016 cm?3 were obtained for the first time by means of neutron transmutation doping. 相似文献
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É. A. Abrosimov 《Measurement Techniques》1973,16(8):1238-1240
Conclusion To the present time the development of general purpose apparatus for measurements of inductance at frequencies higher than 1 MHz answering to the ever-increasing requirements of industry has been quite complicated by the lack of the required standard inductance measures. Existing high-frequency measures of inductance (KIV and R-593) encompass frequencies only up to 10 MHz, and mainly have an insufficient accuracy class. The development and organization of mass production of high-frequency standard inductance measures of order III and class 0.2 affords the solution of the problem of creating and metrologically guaranteeing apparatus for the measurement of inductance at frequencies up to 30 MHz.L.N. Krasnova and V. A. Kalinovskii took part in the creation and investigation of the L-0170-2 inductance measures. 相似文献