玻璃微珠的表面化学镀银及红外辐射性能研究

采用化学镀方法在玻璃微珠表面镀银,考察了预处理条件、反应温度和反应时间等因素对玻璃微珠表面镀银的影响,并通过扫描电镜和X-射线衍射分析仪,对镀银后玻璃微珠的表面形貌和结构进行了观察和表征。将镀银玻璃微珠用于涂料中,考察了玻璃微珠在涂料中的应用及其红外辐射率的变化,探讨了化学镀条件对涂料红外辐射率的影响,结果表明,在控制反应温度和浓度的条件下,可使镀银玻璃微珠的红外辐射率由原来的1.02降为0.70,将其应用于涂料后,涂层的红外辐射率为0.80。     

服装湿冷机理分析

本文在明确冷暖感、湿冷感、接触湿冷感等概念的基础上,分析了在冬季着装状态下,人体热量、水汽 散失的途径和人体产生冷感的原因。     

新一代深度张力面板

新一代深度张力面板不仅具有基本的深度、张力采集、处理、显示功能,同时还具有多种报警及通讯功能.其最大的特点是采用了液晶显示屏和触摸屏,使得信息的显示更加丰富、直观和醒目.同时,触摸屏的采用,省去了传统的按钮、开关及键盘操作模式,使操作更加方便简洁、自然.该面板可以单独工作,也可以配备于测井、录井地面系统中使用.     

1.8 V千兆以太网接收器模拟前端预均衡电路

介绍了一种用于1.8 V电源电压下的千兆以太网接收器的模拟前端预均衡电路。电路分为三个部分:预处理电路、基带漂移补偿电路和可变增益放大电路,主要实现回波消除、基带漂移补偿和电路增益自动控制等功能。为了与百兆模式兼容,提出了一种预处理电路。仿真结果表明,该电路可以很好地实现回波消除的功能,能够对由于基带漂移引起的信号失真给以补偿,可以提供16级不同的增益,并进行频率补偿。电路采用0.18μm标准CMOS工艺实现。     

激光冶炼太阳级硅材料的实验研究

通过实验研究表明，大功率ＣＯ２激光器在廉价硅材料制备中应用的可能性。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

Cif2000平台下的核磁共振测井解谱方法研究

介绍了在Cif2000多井解释平台下的核磁共振解谱方法与编程实现。解谱采用加入平滑因子后在特征矩阵的奇异值分解中截去小的非零奇异值的方法，可以在低信噪比时得到稳定的弛豫谱，在油田实际应用中证明了该方法的有效性。根据该方法在Cif2000平台上编制了完整的解谱处理程序，可以直接用于油田的生产实际。     

第三代短波自动链路建立系统特性分析及仿真实现

分析了第三代短波自动链路建立系统的工作特性及技术特点，并对系统仿真实现的原则及一些细节问题进行了较深入的探讨，同时对仿真实现中涉及的链路质量分析（LQA）算法进行了研究。     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively