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111.
NMOS器件两次沟道注入杂质分布和阈电压计算 总被引:1,自引:1,他引:0
分别考虑了深浅两次沟道区注入杂质在氧化扩散过程中对表面浓度的贡献。对两次注入杂质的扩散分别提取了扩散系数的氧化增强系数、氧化衰减系数和有效杂地系数,给出了表面浓度与工艺参数之间的模拟关系式,以峰值浓度为强反型条件计算了开启电压,文章还给出了开启电压、氧化条件、不同注入组合之间的关系式。 相似文献
112.
对油管漏失进行定量测试的方法确定具体漏失位置。方法运用双频道回声探仪探测动液面的原理和工作方法,根据油管漏失形成的死油坏在测试曲线上出现特殊波位置判断油管漏失位置。结果:经过70多井次的现场试验,该方法具有较高的准确性和可靠性。结论:利用特殊波可以有效监测油管漏失,并具有推广使用价值。 相似文献
113.
深亚微米MOSFET衬底电流的模拟与分析 总被引:1,自引:0,他引:1
利用器件模拟手段对深亚微米MOSFET的衬底电流进行了研究和分析,给出了有效的道长度,栅氧厚度,源漏结深,衬底掺杂浓度以及电源电压对深亚微米MOSFET衬底电流的影响,发现电源电压对深亚微米MOSFET的衬底电流有着强烈的影响,热载流子效应随电源电压的降低而迅速减小,当电源电压降低到一定程度时,热载流子效应不再成为影响深亚微米MOS电路可靠性的主要问题。 相似文献
114.
制作压力传感器时,在二氧化硅层上淀积多晶硅膜,既可利用优良的机械特性,又可保证压敏电阻与衬底间具有良好的绝缘性,由此可大大提高器件的温度特性。介绍了一种多晶硅压力传感器的原理和设计。实验结果表明,这类传感器具有灵敏度好,精度高等特点,电路工作范围为0-250℃,且具有良好的温度稳定性。 相似文献
115.
Li Wang ping Mechanics Department Huazhong University of Science Technology Wuhan P.R.China Yeo K.S. Khoo B.C. Mechanical Production Engineering Department National University of Singapore 《水动力学研究与进展(B辑)》1999,(3)
1. INTRODUCTIONThemaingoalofthispaperistoexplorethepossibilitytolearnmoreaboutthemechanismofturbulentboundarylayerflowinteractionsanditseffectsoncompliantwallperformance.Therearecertainprerequisiteconditionstofurtherthestudyonthemechanism,i.e.theco… 相似文献
116.
本文根据我国陆海空移动用户的需求与特点,借鉴国外经验,提出了建设UHF频段卫星移动通信系统的建议;对照已建成的C波段卫星固定通信系统,分析了其优缺点;最后深入探讨了应用中的若干技术问题。 相似文献
117.
118.
本文研究程序代码可视化技术,即从现存的程序生成某种可视化表示,增强程序的易读性、易理解性和易维护性。首先介绍ProVS的设计思想和实现技术,然后给出输出例子。 相似文献
119.
演绎数据库管理系统DEDBMS是工程数据库管理系统EDBMS/2中的一个子系统。本文着重介绍其产生式语言用户界面、工作流程及功能特点。DEDBMS系统的开发,使EDBMS/2不仅具有工程数据据管理功能,而且具有数据演绎和知识处理能力,从而成为CAD/CAM系统集成化和智能化的有力支撑工具。 相似文献
120.
本文提出新型布线算法,集李氏迷宫法与线搜索法的长处为一体,以饱和带法进行动态排序,以线搜索法确定借孔位置,然后用李氏法进行单层布线,获得最佳路径,从而达到线型好,布通率高的效果。 相似文献