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Origin of defect-insensitive emission probability in In-containing (Al,In,Ga)N alloy semiconductors 总被引:1,自引:0,他引:1
Chichibu SF Uedono A Onuma T Haskell BA Chakraborty A Koyama T Fini PT Keller S Denbaars SP Speck JS Mishra UK Nakamura S Yamaguchi S Kamiyama S Amano H Akasaki I Han J Sota T 《Nature materials》2006,5(10):810-816
Group-III-nitride semiconductors have shown enormous potential as light sources for full-colour displays, optical storage and solid-state lighting. Remarkably, InGaN blue- and green-light-emitting diodes (LEDs) emit brilliant light although the threading dislocation density generated due to lattice mismatch is six orders of magnitude higher than that in conventional LEDs. Here we explain why In-containing (Al,In,Ga)N bulk films exhibit a defect-insensitive emission probability. From the extremely short positron diffusion lengths (<4 nm) and short radiative lifetimes of excitonic emissions, we conclude that localizing valence states associated with atomic condensates of In-N preferentially capture holes, which have a positive charge similar to positrons. The holes form localized excitons to emit the light, although some of the excitons recombine at non-radiative centres. The enterprising use of atomically inhomogeneous crystals is proposed for future innovation in light emitters even when using defective crystals. 相似文献
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843.
Zhou Yutao Koyama Motomichi Hojo Tomohiko Ajito Saya Akiyama Eiji 《Metallurgical and Materials Transactions A》2023,54(1):153-166
Metallurgical and Materials Transactions A - In the present study, the temperature dependence of microstructure and damage evolution in the medium Mn steel was investigated by tensile testing and... 相似文献
844.
Shimokawa Daiki Yoshida Naoto Koyama Shuzo Kurihara Satoshi 《Artificial Life and Robotics》2023,28(3):571-582
Artificial Life and Robotics - A variety of planning research is being actively conducted in multiple research fields. The focus of these studies is to flexibly utilize both immediate and... 相似文献