块匹配运动估计算法研究进展

以快速运动估计技术的发展为主线,描述了运动估计的原理,将目前的研究方法归纳为四类:固定模式法、预测运动矢量法、分层法和快速全搜索法,并对四类运动估计方法作了深入讨论和比较性研究,展望了运动估计算法的未来发展趋势.     

一种新的直扩超宽带系统快速同步方案

本文提出了一种新的基于能量窗的直扩超宽带系统码片同步方法，通过设计具有重复特性的码来提高能量窗的信噪比，从向可以较为准确地获得码片同步，并将窗口中的信息作为接收端本地信号与接收信号进行匹配接收，这样可以存未知接收信号相位的情况下有效地接收多径能量，提高接收信噪比。在完成码片同步之后再进一步进行PN码的相位同步，这里以线性搜索为例分析得到超宽带信号总的平均同步时间，并与现有的超宽带同步方案进行了比较，新方案将信号捕获分成两部分完成，大大降低了超宽带信号捕获时间。     

H.264编码器软硬件设计和运动估计算法研究

介绍了基于DSP的H.264编码器实现硬件设计,对其关键部分作了功能说明,给出了基于DSP的软件设计思想,提出了多参考帧的运动估计快速算法--三维菱形搜索法(TDDS).     

高功率DPL光束质量研究

为了在高功率DPL中获取高光束质量输出激光，利用扭转模获取高光束质量种籽源的同时，进行了高重复频率下的热致及光致双折射效应的补偿、高功率二极管均匀泵浦聚光腔设计及相位共轭镜用于改善激光系统光束质量等特性研究。最终获得了重复频率40Hz、单脉冲能量大于400mJ、近衍射极限的高光束质量激光输出。这种方法对高功率激光系统的设计十分有用。     

基于小波去噪的T-ray图像复原

针对实时THz脉冲（T-ray）成像系统所成图像分辨率低、受l/f相关噪声干扰严重的特点,提出一种新的基于小波去噪的T—ray图像复原算法。对T-ray图像进行离散小波变换后,先利用广义交叉确认估计出各个分辨率层的噪声闽值,然后对每个分辨率层的高频子带进行迭代去噪,最后对去噪后的T-ray图像采用Jasson-Van-Cittert算法进行复原处理以提高分辨率。实验结果表明,该方法在提高T-ray图像分辨率的同时,能显著地抑制THz成像系统的l/f相关噪声。创新之处在于以广义交叉确认作为T-ray图像中l/f噪声的估计方法,大幅度提高了图像信噪比（-5dB）,避免了噪声带来的复原算法中的不适定问题,达到较好的图像复原效果。     

非中心对称的萘酞菁LB膜非线性光学特性的实验研究

研究了两种非中心对称萘酞菁化合物LB膜的制备及其光谱特性,并采用二次谐波产生技术研究了它们的二阶非线性光学特性。实验结果表明,不同的取代基对萘酞菁化合物的二阶非线性影响非常大,三叔丁基氰基萘酞菁的二阶非线性极化率χ( 2 ) 为3 .7×10 - 8esu ,约为三叔丁基萘酞菁的3 7倍。     

低复杂度的满速率和部分分集多天线空时块码及性能

在现有几种满分集空时码的基础上,提出两种满速率和复正交的多天线空时块码方案。一种是基于时分双工(TDD)模式下最大信道增益而设计的;另一种则不再限于TDD方式,具有普遍适用性。同时利用Turbo码良好的抗衰落信道的突发错误能力,来进一步提高所提方案性能。与满分集多天线空时块码相比,该方案可实现满速率、低复杂度和部分分集,具有相对多的空间冗余信息,从而级联Turbo码后可有效弥补部分分集所带来的性能损失。仿真结果也表明在相同系统容量和级联码的情况下,所提方案比其它相应的满分集空时码有着更低的误比特率。     

TC/MAX码捕获准则及其在超宽带系统中的应用

针对码捕获中门限设置的复杂性,提出了一种过门限捕获与选取最大值相结合的码捕获准则(简称TC/MAX准则),并将此准则应用于直扩超宽带通信系统码的捕获。理论分析和计算机仿真表明,采用TC/MAX准则可获取比过门限捕获更好的捕获性能。     

DDR2 SDRAM控制器的设计与实现

本文介绍了DDR2 SDRAM的基本特征,并给出了一种DDR2 SDRAM控制器的设计方法,详述了其基本结构和设计思想,并使用Altera公司的FPGA器件Stratix EP2S30F672C3进行了实现和验证,同时给出了设计与实现中应注意的若干问题.     

ZnAl_2O_4/α-Al_2O_3衬底上GaN的生长

研究了直接在 Zn Al2 O4/α-Al2 O3 衬底上用 MOCVD法一步生长 Ga N薄膜 .利用脉冲激光淀积法在α-Al2 O3衬底上淀积了高质量 Zn O薄膜 ,对 Zn O/α-Al2 O3 样品在 110 0℃退火得到了具有 Zn Al2 O4覆盖层的 α-Al2 O3 衬底 ,并在此复合衬底上利用光加热低压 MOCVD法直接生长了纤锌矿结构 Ga N. X射线衍射谱表明反应得到的Zn Al2 O4层为 ( 111)取向 .扫描电子显微镜照片显示随退火时间从小于 3 0 min增加到 2 0 h,Zn Al2 O4表面由均匀的岛状结构衍变为突起的线状结构 ,相应的 Ga N X射线衍射谱表明 Ga N由 c轴单晶变为多晶 ,单晶 Ga N的摇摆曲线半高宽