连续运转的掺钛蓝宝石激光器

本文报导一种连续波氩离子激光泵浦的掺钛蓝宝石激光器。在氩离子激光功率(全谱线)为10.45瓦且仅用一组腔镜时,获得最大平均功率超过1000mW、调谐范围750～850nm的掺钛蓝宝石激光输出。     

一种8毫米波变张角,半径突变多模圆锥馈源

我们研制了一种8毫米波变张角、半径突变的多模圆锥馈源。计算出其模比并推导出其辐射方向图公式;给出其在两个主平面——E平面与H平面上的辐射方向图和波束场分布特性的测试结果以及电压驻波比VSWR的测量结果;同时给出频带和旁瓣特性。分析与测试共同表明,在34.5GHz～37GHz频带里,该多模馈源的辐射图在大于24dB范围内获得幅度等化且不出现旁瓣,因此具有一定的应用价值。     

论工业设计中产品造型设计之特征

本文系统地论述了工业设计中产品造型设计所具有的特征，双重性，时代性，民族性，协调性，独创性，经济性和模糊性，为企业开发新产品提供了科学的依据。     

95W-Ni-Fe 合金工艺缺陷的 SAM 和 XPS 分析

藉助扫描俄歇探针、Ｘ射线光电子谱等分析了９５Ｗ－Ｎｉ－Ｆｅ合金碳污染和氧化的本质。发现，碳污染试样中碳的化学状态主要为石墨，少量为铁或镍的有机化合物，这些物质的界面富集使材料脆化。钨合金氧化后，氧大量富集于钨／粘结相界面，使沿着该界面的断裂更容易发生。     

利用ATM构造宽带INTERNET骨干网

本文分析了传统的Ｉｎｔｅｒｎｅｔ骨干网的组网方案纯路由器网络的成功及其所面临的挑战，提出在网络核心引入交换技术，通过采用ＡＴＭ构造带宽Ｉｎｔｅｒｎｅｔ骨干网，可以构更大规模的网络，使网络运营者受益，并且为将来Ｉｎｔｅｒｎｅ提供综合业务奠定坚实的基础。     

提高E^2PROM中NMOS管源漏穿通电压的实验研究

为了提高Ｅ＾２ＰＲＯＭ中Ｎ管源漏穿通电压，用实验的方法对制造工艺进行了研究。结果表明，高能量注入是提高ＶＰＴ的有效手段，但受到ｐｎ结击穿的限制，只适用于低区短沟Ｎ管；ＤＤＤ工艺大幅度高ＶＰＴ，但ｐｎ结击穿电压低于２０Ｖ，不能应用于高压ＭＯＳ管；采用适量的防穿通注入和适当增大沟道长度为最理想的工艺途径。     

ZT3钛合金标准物质均匀性的检验

本文采用方差分析法和平均值一致性检验法来检验钛合金标准物质的均匀性,通过铝和硅两个元素的计算,证明该标准物质均匀度良好,数理统计在分析化学中逐步在应用,这将为今后标准物质的研制开辟新的途径。     

卤化银探测器及其某些特性

文中简述了卤化银(主要是溴化银)单晶片的某些特性,氯化银单晶片与此大致相似。作为低温晶体探测器,对~(241)Am-α放射源,分辨率为17%。卤化银晶片是固体电解质,只有Ag离子对输出电信号有贡献,有显著的极化现象。在液氮槽内溴化银晶片的电导率在几个数量级内成为可控的,由在室温下外加偏置电压大小所引起的分解状态下的初始电流决定。