化肥厂合成气及重整氢真空变压吸附制取高纯度氢气

从设计、生产操作和经济效益3个方面阐述了以化肥厂合成气及重氢为原料，通过真空变压吸附（VPSA）装置制取高纯度氢的过程。工业应用结果表明，该制氢工艺是一项操作简便灵活，制氢费用较低的工艺路线。VPSA装置技术和设计上的特点能够保证大的操作弹性、高的产品氢纯度和较高的氢气回收率。在36％－51％的低限负荷下，通过适当调整吸附时间，可获得纯度99％的氢气产品，89％－92％的氢气回收率。     

半固态ZnAl 27合金及其二次加热组织

研究了半固态ZnAl27合金及其二次加热组织。结果表明，半固态ZnAl27合金基本无宏观偏析，其组织为细小均匀的近球形非枝晶，综合力学性能远远高于常规铸造合金；二次加热后，α相进一步球化，边缘变得光滑圆整，可以满足半固态触变成形的需要。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

N_2S_2或N_3S型配体的合成、~(99)Tc~m标记及生物分布研究

以MAG3为基本分子骨架，根据构效关系，分别引入合适的天然氨基酸，设计合成了4种N2S2或N3S型小分子多肽新配体，并通过了IR，^1H NMR,^13C NMR,MS谱学鉴定和元素分析表征。采用葡庚糖酸钙（GH）交换法对4个配体进行了^99Tc^m标记，研究了配合物在小鼠体内的生物分布特征。结果表明，^99Tc^m-MVGG肾摄取较高，滞留时间较长，血清除快，且肾与其它组织的活度比值高，具备成为肾功能显像剂的条件；^99Tc^m-MPGG肾初始摄取较高，R（肾／血）活度比值高，但肾清除较快，R（肾／肝）活度比值较低；^99Tc^m-MVTC和^99Tc^m－MPTC心肌初始摄取均较高，但在心肌和血中的清除速度较快。     

电脑提花圆机图案的设计与开发

应用当前景流行的图形设计软件Coredraw9.0和Photoshop5.0，设计针织面料T恤花型，进一步利用SCC4F-548型电脑提花圆机相配套的图形设计软件Aupaint处理，生成提花花型图案，为夏季T恤花型图案设计提供了一条简便快捷的设计方法和新的设计思路。     

移动IP综述

论述了移动IP的概念和发展过程，分析了国内外对移动IP研究的重点问题及其方法，对移动IP的发展方向进行了归纳和总结，并提出了有关用的问题。     

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文中建立了套管、水泥环和地层互作用的弹塑性的有限元力学模型，用MSC.Marc软件的高度非线性功能对本文的复杂力学系统进行了一系列的计算机仿真模拟研究，为复杂地层套管破坏机理研究提供了简便，可行的方法。本方法可以反推地层载荷，为复杂地层套管破坏的预防措施提供了理论依据。     

FW调剖技术及应用

应用FW调剖技术有针对性地对 119口非钻停井区注水井采取了 4种精细调剖方案 ,对比了化学浅调剖应用前后注水井层间矛盾的缓解 ,纵向上吸水剖面的改善 ,注水量和吸水指数的变化及渗流能力的变化。结果表明 ,注水井化学浅调剖后 ,井区的连通油井明显受效 ,获得较高的增油量 ,水驱的开发效果得到改善。化学浅调剖可以有效地封堵高渗透层 ,扩大低渗透层注入水的波及体积 ,减缓注水井层间矛盾 ,实现了对注水井吸水剖面的有效调整 ,这对深化注水结构调整、挖掘各类油层潜力、提高储量动用程度有显著的效果。