全文获取类型
| 收费全文 | 531369篇 |
| 免费 | 8534篇 |
| 国内免费 | 1454篇 |
专业分类
| 电工技术 | 9677篇 |
| 综合类 | 551篇 |
| 化学工业 | 79659篇 |
| 金属工艺 | 20127篇 |
| 机械仪表 | 15345篇 |
| 建筑科学 | 13033篇 |
| 矿业工程 | 2301篇 |
| 能源动力 | 14599篇 |
| 轻工业 | 48170篇 |
| 水利工程 | 5240篇 |
| 石油天然气 | 9344篇 |
| 武器工业 | 37篇 |
| 无线电 | 60409篇 |
| 一般工业技术 | 103759篇 |
| 冶金工业 | 104197篇 |
| 原子能技术 | 10608篇 |
| 自动化技术 | 44301篇 |
出版年
| 2021年 | 5023篇 |
| 2020年 | 3601篇 |
| 2019年 | 4657篇 |
| 2018年 | 8048篇 |
| 2017年 | 7855篇 |
| 2016年 | 8230篇 |
| 2015年 | 5780篇 |
| 2014年 | 9537篇 |
| 2013年 | 24591篇 |
| 2012年 | 14961篇 |
| 2011年 | 20551篇 |
| 2010年 | 16110篇 |
| 2009年 | 18041篇 |
| 2008年 | 18475篇 |
| 2007年 | 18130篇 |
| 2006年 | 15767篇 |
| 2005年 | 14441篇 |
| 2004年 | 13782篇 |
| 2003年 | 13582篇 |
| 2002年 | 12792篇 |
| 2001年 | 12932篇 |
| 2000年 | 11965篇 |
| 1999年 | 12699篇 |
| 1998年 | 33032篇 |
| 1997年 | 23067篇 |
| 1996年 | 17572篇 |
| 1995年 | 13125篇 |
| 1994年 | 11376篇 |
| 1993年 | 11039篇 |
| 1992年 | 7956篇 |
| 1991年 | 7468篇 |
| 1990年 | 7301篇 |
| 1989年 | 7055篇 |
| 1988年 | 6509篇 |
| 1987年 | 5800篇 |
| 1986年 | 5702篇 |
| 1985年 | 6356篇 |
| 1984年 | 5971篇 |
| 1983年 | 5210篇 |
| 1982年 | 4942篇 |
| 1981年 | 5009篇 |
| 1980年 | 4747篇 |
| 1979年 | 4644篇 |
| 1978年 | 4448篇 |
| 1977年 | 5371篇 |
| 1976年 | 7021篇 |
| 1975年 | 3817篇 |
| 1974年 | 3585篇 |
| 1973年 | 3699篇 |
| 1972年 | 3000篇 |
排序方式： 共有10000条查询结果，搜索用时 15 毫秒
101.
102.
Bochkareva N. I. Ivanov A. M. Klochkov A. V. Kogotkov V. S. Rebane Yu. T. Virko M. V. Shreter Y. G. 《Semiconductors》2015,49(6):827-835
Semiconductors - It is shown that the emission efficiency and the 1/f noise level in light-emitting diodes with InGaN/GaN quantum wells correlate with how the differential resistance of a diode... 相似文献
103.
104.
105.
106.
107.
108.
109.
110.
Semiconductors - We found bulk n-GaAs layers grown by liquid phase epitaxy to be irregularly stressed. Deformation created by this stress causes a small but detectable quadrupole splitting of... 相似文献