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991.
The influence of the milk fat globule membrane (MFGM) on oxidation of milk fat under various conditions was monitored by fatty acid analysis and oxygen consumption at 50°C. The rate of copper-catalyzed oxidation of cream containing the membrane was faster than when the membrane was removed. In the dry state, the isolated MFGM, membrane lipids (ML) and the nonlipid membrane solids (NLMS) inhibited oxidation at 50°C and 95°C. In the presence of water, however, all membrane components enhanced oxidation at 50°C. The balance between the accelerating effects of membrane components and the inhibiting influence of other factors appeared to depend on processing conditions. 相似文献
992.
993.
Indexed in current contents 相似文献
994.
该文介绍一种简单、可靠、小巧的转速传感器。它的特点是在强振环境下仍具有很高的可靠,可用于坦克底盘、重型工程机械,燃气轮机组等机械作为转速监测。 相似文献
995.
996.
设计研制了一种带模糊控制的新型单回路可编程调节器 ,该调节器不仅适用于一般的线性控制对象 ,也适用于中和滴定、球罐液位控制等非线性对象和复杂的工业对象 ,实现了多种常用的控制算法 ,在工业中有很好的实用价值 相似文献
997.
Yuanning Chen Myricks R. Decker M. Liu J. Higashi G.S. 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(5):295-297
As CMOS device dimensions scale down to 100 nm and beyond, the interface roughness between Si and SiO/sub 2/ has become critical to device performance and reliability. Si/SiO/sub 2/ interface roughness degrades channel mobility decreasing drive currents. The authors have used atomic force microscopy to study surface roughness in the processing of 0.16 /spl mu/m CMOS integrated circuits. All of the process steps that could potentially affect the interface roughness have been studied. The results show that oxidation is the major contributor to the interface roughness. The rms roughness is found to be linearly dependent on oxide thickness. Transistors with Si/SiO/sub 2/ interface rms roughness that has been reduced from 1.6 to 1.1 /spl Aring/ by reducing oxide thicknesses show improved device drive currents. This technique for interfacial smoothing and device performance improvement has the advantage of being easily implemented in today's technology. 相似文献
998.
999.
Hao Wang Minjia Xu Chen Wang Hubing T. 《Electromagnetic Compatibility, IEEE Transactions on》2003,45(2):198-206
When numerically modeling structures with imperfect conductors or conductors coated with a dielectric material, impedance boundary conditions (IBCs) can substantially reduce the amount of computation required. This paper incorporates the IBC in the finite-element method (FEM) part of a FEM/method of moments (FEM/MoM) modeling code. Properties of the new formulation are investigated and the formulation is used to model three practical electromagnetic problems. Results are compared to either measured data or other numerical results. The effect of the IBC on the condition number of hybrid FEM/MoM matrices is also discussed. 相似文献
1000.