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低温脂肪酶产生菌的筛选、鉴定及其部分酶学性质 总被引:15,自引:1,他引:14
从南极乔治王岛冻土来源的76株低温细菌中筛选到13株低温脂肪酶产生菌,对其中的BTsl0022菌株进行鉴定。通过生理生化特征、16s rDNA基因序列的同源性和系统发育分析发现,菌株RTsl0022属于假单胞菌属(Pseudomonas),但与已定名的假单胞菌有一定的差异,与未定名的Pseudomonas sp.PsB的亲缘关系最接近,故将其暂定名为Pseudomonas sp.BTsl0022。对该菌脂肪酶的酶学性质初步研究表明,酶的最适作用温度为24℃,对热敏感,60℃处理30min仅残留25%酶活性,酶的适宜作用pH范围在7.0~9.0,最适pH为8.0。 相似文献
114.
Chun-Yuan Chen Shiou-Ying Cheng Wen-Hui Chiou Hung-Ming Chuang Wen-Chau Liu 《Electron Device Letters, IEEE》2003,24(3):126-128
A novel InP/InGaAs tunneling emitter bipolar transistor (TEBT) is fabricated and demonstrated. The studied device exhibits a very small collector-emitter offset voltage of 40 mV and an extremely wide operation regime. The operation region is larger than 11 decades in magnitude of collector current (10/sup -12/ to 10/sup -1/A). A current gain of 3 is obtained even if the device is operated at an ultralow collector current of 3.9 /spl times/ 10/sup -12/A (1.56 /spl times/ 10/sup -7/A/cm/sup 2/). Furthermore, the common-emitter breakdown voltage of the studied device is higher than 2 V. Consequently, the studied device shows a promise for low supply voltage, and low-power consumption circuit applications. 相似文献
115.
116.
陈冬梅 《电子产品可靠性与环境试验》2003,(2):61-65
概要介绍了科学的管理技术——项目管理方法,讨论了管理跨度在项目管理中的重要性,并推荐了如何了解管理跨度的方法。 相似文献
117.
118.
掺杂聚苯胺导电膜的制备及对核设施表面铀的去污 总被引:3,自引:0,他引:3
制备了掺杂导电聚苯胺可剥离膜,首次采用涂膜、电解联用去污方法,进行涂膜电解去除渗透到核设施金属材料内部形成氧化物的铀。在膜中,聚苯胺、盐酸、EDTA-2Na含量各为4%、0.5%~1%、1%;电解电压2.3V、电解时间25min~30min时,其去污率可达99%,优于其它的方法。 相似文献
119.
Yang C.W. Fang Y.K. Lin C.S. Tsair Y.S. Chen S.M. Wang W.D. Wang M.F. Cheng J.Y. Chen C.H. Yao L.G. Chen S.C. Liang M.S. 《Electronics letters》2003,39(21):1499-1501
A novel technique to form high-K dielectric of HfSiON by doping base oxide with Hf and nitridation with NH/sub 3/, sequentially, is proposed. The HfSiON gate dielectric demonstrates excellent device performances such as only 10% degradation of saturation drain current and almost 45 times of magnitude reduction in gate leakage compared with conventional SiO/sub 2/ gate at the approximately same equivalent oxide thickness. Additionally, negligible flatband voltage shift is achieved with this technique. Time-dependent dielectric breakdown tests indicate that the lifetime of HfSiON is longer than 10 years at V/sub dd/=2 V. 相似文献
120.
A new process for solid phase crystallization (SPC) of amorphous silicon (a-Si) using thin film heater is reported. With this localized Ti silicide thin film heater, we successfully crystallized 500 Å-thick a-Si in a few minutes without any thermal deformation of glass substrate. The size of crystallized silicon grain was abnormally big (30-40 μm). Polycrystalline thin film transistors (TFT) fabricated using this unique thin film heater showed better mobility than those of conventional ones by furnace annealing. 相似文献