基于ARM Cortex-M3的过采样技术

介绍一种基于ARM Cortex-M3内核实现的过采样技术。实验结果表明,利用过采样技术可在不需片外ADC器件的情况下,达到同样的采样效果。将Cortex-M3内核与过采样技术相结合,不仅能够降低成本,而且提升了系统的运行速率、可靠性与稳定性。     

分层教学在高职Flash课程中的实践与探讨

近年来,教育工作者为提高教学效率、优化教学资源,更多的关注学习者的个体差异,分层教学被广泛的应用于不同层次、不同类型的教学中。现通过对高职院校Flash动画教学过程的分层设计和实践,总结了分层教学的实施效果及尚待完善的几个问题。     

一种多档位增益滤波器的设计

提出了由AT89C51单片机控制增益和截至频率的低通滤波器设计方案．采用测量放大器和开关电容滤波器构成功能部件，重点讨论了基于开关电容滤波芯片和非易失性数字电位器实现截止频率和增益多档位调节的新方法。     

Sensitivity of trigate MOSFETs to random dopant induced threshold voltage fluctuations

In this paper, we investigate random doping fluctuation effects in trigate SOI MOSFETs by solving the three-dimensional (3D) Poisson, drift-diffusion and continuity equations numerically. A single doping impurity atom is introduced in the undoped channel region of the device and the resulting shift of threshold voltage is measured from the simulated I–V characteristics. This enables the derivation of the threshold voltage shift (ΔV_TH) for any arbitrary location of the doping atom in the transistor. Based on an analysis of a sub-20 nm trigate MOSFET device, we find that the typical variation of V_TH per doping atom is a few tens of mV. Inversion-mode (IM) trigate devices are more sensitive to the doping fluctuation effects than accumulation-mode (AM) devices. The threshold voltage shift arising from doping fluctuations is maximum when the doping atom is near the center of the channel region, which means the original SOI film doping, the random contamination effects or any other impurity doping in the channel region is more important than atoms introduced in the channel by the S/D implantation process for sub-20 nm transistors.     

适用于1000Base-T以太网的低抖动低功耗频率综合器

采用高速鉴频鉴相器(TSPC)、经典抗抖动的电荷泵、交叉耦合差分延迟单元以及电阻分压相位内插电路等结构设计了一个应用于1000Base-T以太网收发器的频率综合器电路,并能兼容10/100Mbps模式.该电路同时满足发送电路上升下降斜率控制和时钟恢复电路对于多相时钟(128相)的需要,大大节约了面积和功耗.在晶振的绝对抖动σ约为16ps情况下,输出25MHz测试时钟信号σ仅为11ps.表明该频率综合器有较强的抑制噪声能力,能很好满足发送和接收电路对于时钟性能的要求.芯片采用SMIC 0.18μm的标准CMOS工艺,电源电压为1.8V,功耗小于4mW.     

GaAs MMIC用无源元件的模型

制作了不同结构参数的GaAs MMIC无源元件,包括矩形螺旋电感、MIM电容和薄膜电阻,建立了无源元件的等效电路模型库,采用多项式公式表征无源元件的模型参数和性能参数,便于电路设计的应用.并提取得到MIM电容的单位面积电容值,约为195pF/mm2,NiCr薄膜电阻的方块电阻约为16.1Ω/□.分析结构参数对螺旋电感性能的影响可知,减小线圈面积相关的寄生损耗有助于获得高品质的电感.     

海底瞬变电磁探测技术的装置参数研究及实验

可控源时间域电磁法应用在海底探测,需要确定装置参数,通过实验和理论计算确定了发射频率的最大值;分析了发射线圈的电性对发射电流后沿的影响,确定了作为发射线圈的导线的时间常数应尽量小;对接收线圈的参数及过渡过程进行了理论分析和室内模型实验,理论计算了接收线圈电路模型在发射电流斜阶跃下降和关断后在欠阻尼、临界阻尼和过阻尼状态的一次感应电动势解的情况,确定了采用并联匹配电阻消除振荡的方法,并依据所分析的装置参数设计实施了海上实验,探测出海底低阻体的准确位置.     

Cell Based QoSE Centric Topology Control Algorithm for Wireless Sensor Networks

The central issue of Topology control （TC） in wireless sensor networks is how to select the appropriate active nodes. This paper proposes a Quality of SEnsing （QoSE） centric TC algorithm CQCTC： it combines a node＇s sensed frequency and signal strength of physical events to define QoSE and uses the predicted QoSE as the metric for WN selection; therefore CQCTC could form proper topology structures dynamically according to the distribution of the targets/events. Simulation experiments indicate that, compared with the existing TC algorithms, CQCTC decreases network energy cost and extends net- work lifetime.     

移动Ad Hoc网络中的一种功率控制MAC协议

本文提出了一种应用于移动Ad Hoc网络中的功率控制MAC（medium access contr01）协议，通过两个通信节点之间的控制包中的信息交换来决定数据包的发送功率以及其它邻节点下一次发送RTS控制包的功率。通过仿真与IEEE 802．11 MAC协议进行比较，由仿真结果可以看出，该协议能大大减少移动节点消耗的功率，提高节点的能量利用效率，并保持系统的吞吐量性能。     

梅纽因:世纪小提琴

EMI公司于2005年新出 版的这款《梅纽因:世 纪小提琴》,用传记性方 式和珍贵的影音资料, 概述了20世纪最杰出的小提琴家耶胡 迪·梅纽因的艺术生涯。 这张影碟由“序言”、“出生”、“神 童”、“非凡事业”、“赫夫齐巴”、“相遇”、 “流浪小提琴”、“触摸声音的耳朵”、“尾