Defect Bragg Fiber With Low Loss for Broadband and Zero Dispersion Slow Light

Narrow bandwidth and large group velocity (v_g) dispersion are two fatal limitations of slow light in Bragg fibers. In this paper, by introducing a well-designed defect layer into the cladding of the Bragg fiber, the modal characteristics are modified by the coupling between the core mode and the defect mode. The defect location mainly determines the coupling strength and, thus, exerts a strong influence on v_g and dispersion. The defect thickness mainly determines the resonant wavelength of the defect waveguide and, thus, the wavelength where the modal coupling takes place. Consequently, the two limitations of the slow-light propagation in the Bragg fiber are overcome through proper optimization of the defect parameters. Around 1550 nm, a slow-light bandwidth up to 90 nm is achieved at an average v_g of c/5 (c is the light velocity in a vacuum) under N = 2, whereas an average v_g of c/10 is achieved with a bandwidth of 20 nm under N = 5. On the other hand, the slow-light propagation of v_g = 0.074c with both zero dispersion and zero dispersion slope is achieved, which is able to support applications requiring a subterahertz bandwidth of optical pulse. All of the fiber designs ensure sufficient low losses and good optical field distribution. The results are helpful in developing various Bragg-fiber-based slow-light devices.     

毛细管区带电泳法测定霍香正气胶囊中和厚朴酚的含量

目的:建立霍香正气胶囊中和厚朴酚含量测定的毛细管区带电泳(CZE)法.方法:采用甲醇溶解样品超声制备供试液;运行缓冲液为40mmol/L硼砂溶液,检测波长254nm.结果:和厚朴酚线性范围0.013-0.20mg/mL,r=0.9917(n=5),厚霍香正气胶囊中和厚朴酚的含量为0.1479mg/粒.结论:此方法快速简便,可用于评价霍香正气胶囊的质量.     

Novel transmitter of dark RZ signal based on external modulator

A novel transmitter to generate a dark RZ signal with tunable duty cycle and extinction ratio is proposed, by modifying the process of precoding, modulating and coding. A dark RZ signal is generated simply by using one dual-arm Mach-Zehnder LiNbO3 modulator. We demonstrate experimentally that this optical dark RZ signal can be directly measured by a conven- tional binary intensity modulation direct detection (IM-DD) receiver. When different values of duty cycles at 2.5 Gbit/s are adjusted, the experimental results show different BER curves and eye diagrams of the optical dark RZ signal.     

60GHz全双工OFDM-ROF系统的实验研究

研究了基于光外部调制的方式产生60GHz光毫米波的全双工光纤无线(ROF)通信系统。实验利用29GHzRF源产生58GHz的光载毫米波,2.5Gbit/s OFDM信号作为下行数据信号调制到光载毫米波上并传输光纤20km,在基站与用户单元实现3.3m的无线传输。同时实现了下行信号中心载波重利用作为上行信号的光载波,2.5Gbit/s的OOK信号作为上行数据信号调制到光载波上经20km上行链路光纤传输至中心站。     

Web应用漏洞分析及防御解决方案研究

Web技术在网络上的广泛应用,使得Web网站系统时刻都在遭受着各种攻击与入侵,网络上越来越泛滥的各种垃圾邮件、网络欺诈或诱骗钓鱼软件及盗号木马程序更加剧了网络用户在进行安全防护方面的困难,Web应用安全面临的问题与挑战日益严峻。针对当前常见的SQL注入与溢出、ASP攻击与破坏,列举Web应用程序不同的入侵漏洞及造成的危害程度,详细分析了应用程序代码存在的不足及防范措施,从代码设计上提出解决漏洞修补的安全技术与方法,总结出一套完整的Web应用防攻击解决方案,得出在Web应用漏洞方面防御时重点关注的几项关键内容,确保整个网络应用服务系统的安全运行。     

808nm高效率激光二极管

目前808nm高效率激光二极管产品的转换效率只有50%左右,还有很大的提升空间。通过提高欧姆接触层浓度、界面渐变和波导层掺杂等方面的外延材料结构优化,减小附加电压和电阻值,设计制作了808nm大光腔应变量子阱外延材料;并制作了200μm发光区标准单管,提取了材料内部参数,材料内损耗iα为0.67cm-1,内量子效率iη为0.88;将圆片解理成2mm腔长的巴条进行腔面镀膜,并烧结成标准单管,25℃下单管电光效率达到61.1%;将巴条烧结到微通道载体上,制作成标准微通道水冷单条阵列,水温15℃110A下输出光功率126.6W,电光转换效率62.77%。     

Si1-xGex/Si应变材料的生长及热稳定性研究

利用分子束外延（MBE）技术生长了Ge组份为0.1-0.46的Si1-xGex外延层。X射线衍射线测试表明，SiGe/Si异质结材料具有良好的结晶质量和陡峭界面，其它参数与可准确控制。通过X射线双晶衍射摆曲线方法，研究了经700℃、800℃和900℃退火后应变SiGe/Si异质结材料的热稳定性。结果表明，随着退火温度的提高，应变层垂直应变逐渐减小，并发生了应变弛豫，导致晶体质量退化；且Ge组分越小，Si1-xGex应变结构的热稳定性越好；室温下长时间存放的应变材料性能稳定。     

电子束和接触式曝光机的混合曝光技术

Ⅰ线光致抗蚀剂可以同时实用电子束和光学系统曝光，在50kV加速电压下，其曝光剂量为50-100μC/cm^2，曝光后在0.7%NaOH溶液内显影1分钟。其灵敏度比PMMA快5倍，分辩率为0.5μm。采用两方法制备CaAsPHEMT：一种用Ⅰ线光致抗蚀剂，对源、漏及栅全部都采用电子束曝光，制备了0.5μm栅长的GaAs PHEMT；另一种将源、漏及栅分割成两部分，其中精细部分由电子束曝光，其余部分由光学系统曝光，用这种方法制备了0.25μm栅长的GaAs PHEMT。Ⅰ     

单晶硅中氢与辐照缺陷的相互作用

对NTD氢区熔单晶硅进行了不同温度下等时退火,采用Hall电学方法测量了电阻率、迁移率随退火温度的变化规律.利用红外吸收技术测量了单晶硅氢区熔退火前后及NTD氢区熔单晶硅不同退火温度下与氢、辐照缺陷有关的红外振动吸收峰变化,对辐照缺陷的退火行为进行了探讨.实验证实NTD氢区熔单晶硅在150～650℃范围内等时退火具有显著特点:在500℃下退火,出现电阻率极小值,即出现浓度很高的过量浅施主;P型向N型转变温度为400℃,迁移率恢复温度为500℃,载流子恢复温度为600℃,均明显低于NTD氩区熔单晶硅转型温度及迁移率和载流子恢复温度,这与氢积极参与辐照缺陷相互作用直接相关.     

热退火γ-Al2O3/Si异质结构薄膜质量改进

采用高真空MOCVD外延技术,利用TMA(Al(CH3)3)和O2作为反应源,在Si(100)衬底上外延生长γ-Al2O3绝缘膜形成γ-Al2O3/Si异质结构材料.同时,引入外延后退火工艺以便改善γ-Al2O3薄膜的晶体质量及电学性能.测试结果表明,通过在O2常压下的退火工艺可以有效地消除γ-Al2O3外延层的残余热应力及孪晶缺陷,改善外延层的晶体质量,同时可以提高MOS电容的抗击穿能力,降低漏电电流.