新型高k栅介质材料研究进展

随着半导体技术的不断发展，MOSFET（metal-oxide-semiconductor field effect transistor）的特征尺寸不断缩小，栅介质等效氧化物厚度已小至nm数量级。这时电子的直接隧穿效应将非常显著，将严重影响器件的稳定性和可靠性。因此需要寻找新型高k介质材料，能够在保持和增大栅极电容的同时，使介质层仍保持足够的物理厚度来限制隧穿效应的影响。本文综述了研究高k栅介质材料的意义；MOS栅介质的要求；主要新型高k栅介质材料的最新研究动态；展望了高k介质材料今后发展的主要趋势和需要解决的问题。     

Cif2000平台下的核磁共振测井解谱方法研究

介绍了在Cif2000多井解释平台下的核磁共振解谱方法与编程实现。解谱采用加入平滑因子后在特征矩阵的奇异值分解中截去小的非零奇异值的方法，可以在低信噪比时得到稳定的弛豫谱，在油田实际应用中证明了该方法的有效性。根据该方法在Cif2000平台上编制了完整的解谱处理程序，可以直接用于油田的生产实际。     

直线式电机在有杆抽油设备中的应用

通过对游梁式抽油机的效率、启动特性与直线式电机驱动的有杆抽油机特性的对比，论述了直线抽油机的优越性及应用前景。     

第三代短波自动链路建立系统特性分析及仿真实现

分析了第三代短波自动链路建立系统的工作特性及技术特点，并对系统仿真实现的原则及一些细节问题进行了较深入的探讨，同时对仿真实现中涉及的链路质量分析（LQA）算法进行了研究。     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively     

纳米碳酸钙制备过程中添加剂作用机理探讨

采用鼓泡碳化法 ,在最佳反应温度、反应物浓度的条件下 ,考察了添加剂对产物形状及粒径大小的影响 ,得到了直径为 2 0～ 30nm、长径比在 2 0左右且分散性能良好的针状纳米碳酸钙 ,并对添加剂作用机理进行了分析。     

空投水雷空中弹道设计与仿真

文中对空投水雷的空中弹道进行了研究.在建立了六自由度的水雷空中弹道模型的基础上,在Matlab/Simulink环境下对水雷的空中弹道进行了仿真,并分析了投雷速度、水雷初始俯仰角、空中自然风对水雷空中弹道的影响.     

氨氮监测中样品蒸馏预处理对结果的影响分析

氨氮监测采用预蒸馏处理后，比色测定结果明显偏低。在样品预蒸馏处理过程中，硼酸作为吸收液，使显色时溶液pH值偏低，导致显色不充分是其主要影响因素。通过采取增加显色剂加入量的方法，解决了显色pH值偏低的问题，得到满意的测定结果。     

Interfacial strength and chemistry of additive-free silicon nitride ceramics brazed with aluminium

Two kinds of additive-free silicon nitride ceramics were brazed with aluminium; one was with as-ground faying surfaces and the other was with faying surfaces heat-treated at 1073K for 1.8 ksec in air. The heat-treatment of the silicon nitride ceramics formed a silicon oxynitride layer on the faying surfaces and increased the brazing strength of the joints. A silica-alumina non-crystalline layer and a β′-sialon layer were formed successively from the aluminium side at the interface of the joints. The heat-treatment which made the former layer thicker is a necessary process in making reliable, strong brazed joints.     

CuMgAl类水滑石的制备和表征

用盐-碱制备法合成了CuMgAl三元类水滑石化合物。探讨了原料配比、合成方式、水热处理温度和时间对合成过程的影响,筛选出合成HTLcs的适宜条件,并对HTLcs结构的热稳定性进行初步研究。结果表明,制备HTLcs主要取决于pH值,同时由于Cu2+的姜-太勒效应,合成结构单一的CuMgAl类水滑石要求原料配比中n(Cu)∶n(Mg)不得超过1.0,CuMgAl-HTLcs热稳定性较差,300℃焙烧2h结构破坏,600℃开始烧结,在300~500℃之间,随焙烧温度提高所得复合氧化物比表面积增大,最高可达200 m2/g。