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Structure modification has been found to tune significantly the transparent-conducting performance, especially mobility and conductivity of hydrogenated Ga-doped ZnO (HGZO) films. The strong correlation between film thickness and mobility of the films is revealed. The mobility increases quickly with increasing the thickness from 350 to 900 nm, and then tends to be saturated at further thicknesses. A higher mobility than 50 cm2/Vs can be achieved, which is an extra-high value for polycrystalline ZnO films deposited by using the sputtering technique. The thickness-dependent mobility originates from scatterings on grain boundaries and dislocation-induced defects controlled by thin-film growth. Based on the Volmer-Weber model, an expansion model is built up to describe the thickness-dependent crystal growth of the HGZO films, especially at the thick films. As a result, the 800 nm-thick HGZO film obtains the highest performance with high mobility of 51.5 cm2/Vs, low resistivity of 5.3 × 10?4 Ωcm, and good transmittance of 83.3 %.  相似文献   
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Personal and Ubiquitous Computing - This article presents a study concerning the evaluation of a smart home control system for elderly people with a sample of 10 users in a city in the interior of...  相似文献   
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An experimental methodology for inferring brine dissolution rate in monoethylene glycol (MEG) solutions at different temperatures using a webcam combined with a mathematical model is presented. The measurement system is designed to track the RGB (red, green, and blue) colour variations during the dissolution process. A dynamic model augmented with the population balance equation is applied to describe the dissolution process. Moreover, the dissolution rate is consistently related to the temperature and MEG concentration through the driving force based on the Gibbs energy and chemical affinity. The applied low-cost measurement apparatus proved to be a useful resource for tracking the dissolution dynamics in a wide range of undersaturation.  相似文献   
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