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62.
文中以TCP/IP协议作为通信链路层协议,设计了终端-服务器模式的数字语音会议以及同声传译系统方案。给出了系统终端及中央控制单元的硬件结构原理设计,以及系统通信流程设计。该系统可实现多方数字语音会议以及实时同声传译。 相似文献
63.
一维光子晶体全角度反射镜 总被引:2,自引:0,他引:2
在分析金属反射镜和多层周期反射镜优缺点的基础上,介绍了一维光子晶体出现全偏振全角度反射的原理。讨论了增加禁带宽度的方法及一维光子晶体全角度反射镜中存在的问题。 相似文献
64.
Michael Brain Bruce Liao 《集成电路应用》2007,(9):63-64
从1965年采用38毫米晶圆开始,如今半导体工业已经实现了300毫米晶圆的量产。图1展示了这种转变是如何以跨越式的脚步实现的。每一种更大尺寸的晶圆都需要采用更多的自动化生产措施,每步自动工艺还可以通过提高产率和设备的使用效率给晶圆厂带来更好的经济效益。 相似文献
65.
硫化物光纤及其功能器件的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
本文概述了90年代初兴起的硫化物光纤的独特性能、目前的发展状况及可能的应用前景;针对硫化物光纤实用化中的关键技术进行了分析,并对硫化纤的光敏机理作了一定的探讨。由于具有优于石英光纤的特点,硫化物光纤及其人器件具有广阔的应用前景。 相似文献
66.
67.
68.
The intermetallic compound SnTe rapidly formed at interfaces between p-type bismuth telluride (Bi0.5Sb1.5Te3) thermoelectric materials and lead-free solders. The intermetallic compound influences the mechanical properties of the joints
and the reliability of the thermoelectric modules. Various lead-free solder alloys, Sn-3.5Ag, Sn-3Ag-0.5Cu, Sn-0.7Cu, and
Sn-2.5Ag-2Ni, were used to investigate the interfacial reactions. The results thus obtained show that Ag and Cu preferentially
diffused into the Te-rich phase in Bi0.5Sb1.5Te3, so layers of Ag-Te and Cu-Te compounds could not form an effective diffusion barrier. Electroless nickel-phosphorus was
plated at the interfaces to serve as a diffusion barrier, and the (Cu,Ni)6Sn5 compound formed instead of SnTe. Furthermore, the intermetallic compound NiTe formed between nickel- phosphorus and Bi0.5Sb1.5Te3 and also served as a diffusion barrier. A plot of thickness as a function of annealing time yielded the growth kinetics of
the intermetallic compounds in the thermoelectric material systems. The activation energy for the growth of the NiTe intermetallic
compound is 111 kJ/mol. 相似文献
69.
70.
Mingzhi Dai Chao Gao Kinleong Yap Yi Shan Zigui Cao Kuangyang Liao Liang Wang Bo Cheng Shaohua Liu 《Electron Devices, IEEE Transactions on》2008,55(5):1255-1258
An improved hot-hole-involved interface-state generation model is proposed for hot-carrier injection (HCI) degradation in high-voltage (HV) nMOSFETs. This model is based on experiments over a wide range of temperatures, voltage conditions, simulation results, and the underlying physical mechanisms. The model provides a thorough picture of an HCI system in HV nMOSFETs, with hot-hole injection related to an additional maximum electric-field region. The hot-hole injection in HCI is assumed to introduce deeper localized hydrogen states in gate-oxide films than that in negative-bias temperature instabilities. This result facilitates the dispersive transport of hydrogen. Therefore, HCI degradation in HV transistors is explained within the framework of disorder-controlled hydrogen kinetics. The power-law model can successfully predict temperature dependences for HCI degradation. 相似文献