首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   91篇
  免费   1篇
电工技术   1篇
化学工业   11篇
金属工艺   2篇
机械仪表   5篇
水利工程   2篇
石油天然气   3篇
无线电   13篇
一般工业技术   25篇
冶金工业   1篇
原子能技术   1篇
自动化技术   28篇
  2023年   1篇
  2022年   1篇
  2021年   1篇
  2020年   1篇
  2019年   5篇
  2018年   3篇
  2017年   4篇
  2016年   1篇
  2015年   1篇
  2014年   2篇
  2013年   5篇
  2012年   5篇
  2011年   3篇
  2010年   6篇
  2009年   14篇
  2008年   2篇
  2007年   2篇
  2006年   2篇
  2005年   2篇
  2004年   2篇
  2003年   1篇
  2002年   3篇
  2001年   1篇
  1999年   1篇
  1998年   2篇
  1997年   1篇
  1996年   1篇
  1995年   2篇
  1994年   2篇
  1991年   1篇
  1986年   1篇
  1985年   1篇
  1984年   1篇
  1979年   1篇
  1976年   1篇
  1975年   3篇
  1972年   2篇
  1970年   2篇
  1969年   1篇
  1968年   1篇
排序方式: 共有92条查询结果,搜索用时 6 毫秒
91.
92.
The design of infrared nanocrystals-based (NCs) photodiodes faces a major challenge related to the identification of barriers with a well-suited band alignment or strategy to finely control the carrier density. Here, this study explores a general complementary approach where the carrier density control is achieved by coupling an NC layer to a ferroelectric material. The up-and-down change in ferroelectric polarization directly impacts the NC electronic structure, resulting in the formation of a lateral pn junction. This effect is uncovered directly using nano X-ray photoemission spectroscopy, which shows a relative energy shift of 115 meV of the NC photoemission signal over the two different up- and down-polarized ferroelectric regions, a shift as large as the open circuit value obtained in the diode stack. The performance of this pn junction reveals enhanced responsivity and reduced noise that lead to a factor 40 increase in the detectivity value.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号