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A. V. Kantsyrev A. A. Golubev A. V. Bogdanov V. S. Demidov E. V. Demidova E. M. Ladygina N. V. Markov V. S. Skachkov G. N. Smirnov I. V. Rudskoy A. P. Kuznetsov A. V. Khudomyasov B. Yu. Sharkov S. V. Dudin S. A. Kolesnikov V. B. Mintsev D. N. Nikolaev V. Ya. Ternovoi A. V. Utkin D. S. Yuriev N. S. Shilkin V. E. Fortov V. I. Turtikov V. V. Burtsev M. V. Zhernokletov N. V. Zavialov S. A. Kartanov A. L. Mikhailov A. V. Rudnev M. V. Tatsenko D. V. Varentsov L. M. Shestov 《Instruments and Experimental Techniques》2014,57(1):1-10
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Mariarosa Cavallo Erwan Bossavit Sylvia Matzen Thomas Maroutian Rodolphe Alchaar Tung Huu Dang Adrien Khalili Corentin Dabard Huichen Zhang Yoann Prado Claire Abadie James K Utterback Jean Francois Dayen Mathieu G. Silly Pavel Dudin Jose Avila Emmanuel Lhuillier Debora Pierucci 《Advanced functional materials》2023,33(34):2300846
The design of infrared nanocrystals-based (NCs) photodiodes faces a major challenge related to the identification of barriers with a well-suited band alignment or strategy to finely control the carrier density. Here, this study explores a general complementary approach where the carrier density control is achieved by coupling an NC layer to a ferroelectric material. The up-and-down change in ferroelectric polarization directly impacts the NC electronic structure, resulting in the formation of a lateral pn junction. This effect is uncovered directly using nano X-ray photoemission spectroscopy, which shows a relative energy shift of 115 meV of the NC photoemission signal over the two different up- and down-polarized ferroelectric regions, a shift as large as the open circuit value obtained in the diode stack. The performance of this pn junction reveals enhanced responsivity and reduced noise that lead to a factor 40 increase in the detectivity value. 相似文献