首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   197713篇
  免费   2257篇
  国内免费   632篇
电工技术   4066篇
综合类   123篇
化学工业   26707篇
金属工艺   7507篇
机械仪表   5463篇
建筑科学   4037篇
矿业工程   747篇
能源动力   4659篇
轻工业   14384篇
水利工程   1695篇
石油天然气   2842篇
武器工业   7篇
无线电   27291篇
一般工业技术   37401篇
冶金工业   45402篇
原子能技术   3561篇
自动化技术   14710篇
  2021年   1244篇
  2019年   1283篇
  2018年   2125篇
  2017年   2105篇
  2016年   2171篇
  2015年   1489篇
  2014年   2619篇
  2013年   7950篇
  2012年   4463篇
  2011年   6112篇
  2010年   4932篇
  2009年   5773篇
  2008年   6145篇
  2007年   6197篇
  2006年   5635篇
  2005年   5305篇
  2004年   5250篇
  2003年   5091篇
  2002年   4899篇
  2001年   5306篇
  2000年   4915篇
  1999年   5436篇
  1998年   15625篇
  1997年   10317篇
  1996年   7933篇
  1995年   5784篇
  1994年   5017篇
  1993年   5023篇
  1992年   3387篇
  1991年   3260篇
  1990年   3217篇
  1989年   3042篇
  1988年   2786篇
  1987年   2234篇
  1986年   2302篇
  1985年   2609篇
  1984年   2315篇
  1983年   2064篇
  1982年   1901篇
  1981年   2045篇
  1980年   1790篇
  1979年   1659篇
  1978年   1656篇
  1977年   2021篇
  1976年   2702篇
  1975年   1422篇
  1974年   1369篇
  1973年   1316篇
  1972年   1124篇
  1971年   956篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
31.
32.
33.
34.
35.
36.
This work aims at developing a new composite material based on nanosized semiconducting CuInS2 (CIS) particles combined with silicon nanowires grown on a silicon substrate (SiNWs/Si) for photoelectrochemical (PEC)-splitting of water. The CIS particles were prepared via a colloidal method using N-methylimidazole (NMI) as the solvent and an annealing treatment. The SiNWs were obtained by chemical etching of silicon (100) substrates assisted by a metal. The CIS/SiNWs/Si composite material was obtained by deposition of an aliquot of a suspension of CIS particles onto the SiNWs/Si substrate, using spin coating followed by a drying step. The XRD pattern demonstrated that CuInS2 grows in the tetragonal/chalcopyrite phase, while SiNWs/Si presents a cubic structure. The SEM images show semi-spherical particles (~10 nm) distributed on the surface of silicon nanowires (~10 μm). The EIS measurements reveal n-type conductivity for CIS, SiNWs/Si and CIS/SiNWs/Si materials, which could favour the oxidation reaction of water molecules.  相似文献   
37.
38.
In this paper, the development of the models for the prediction of rock mass P wave velocity is presented. For model development, the database of 53 cases including widely used and recorded drilling parameters and P wave velocity was constructed from the field studies conducted in 13 open pit lignite mines. Both conventional linear, non-linear multiple regression and Adaptive Neuro Fuzzy Inference System (ANFIS) were used for model development. Prediction performance indicators showed that ANFIS model presented the best performance and it can successfully be used for the preliminary prediction of P wave velocities of rock masses.  相似文献   
39.
Temperature history can have a significant effect on the strength of water-saturated chalk.In this study,hydrostatic stress cycles are applied to understand the mechanical response of chalk samples exposed to temperature cycling between each stress cycle,compared to the samples tested at a constant temperature.The total accumulated strain during a stress cycle and the irreversible strain are reported.Chalk samples from Kansas(USA)and Mons(Belgium),with different degrees of induration(i.e.amount of contact cementation),were used.The samples were saturated with equilibrated water(polar)and nonpolar Isopar H oil to quantify water weakening.All samples tested during 10 stress cycles with varying temperature(i.e.temperature cycled in between each stress cycle)accumulated more strain than those tested at constant temperatures.All the stress cycles were performed at 30℃.The two chalk types behaved similarly when saturated with Isopar H oil,but differently when saturated with water.When saturated with water,the stronger Kansas chalk accumulated more total strain and more irreversible strain within each stress cycle than the weaker Mons chalk.  相似文献   
40.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号