控制棒钴吸收体的活度分布

应用单组中子微扰理论,对辐照后控制棒钴吸收体内活度分布进行理论分析,得到活度分布计算的解析表达式。对高通量工程试验堆(HFETR)首次出堆的2根控制棒钴吸收体进行数值计算。利用钴靶活度水下测量装置进行这2根钴吸收体活度分布的实验测量。计算与实验测量结果相符。通过理论计算所得到的活度分布可作为辐照后~(60)Co同位素分装依据。本文得到的控制棒相对价值曲线理论计算值与实验测量结果符合良好。     

用面向对象编程实现问题求解自动化

本文从面向对象方法基本原理和面向对象编程的技术特征出发，阐明所建应用软件系统中的对象，类及相应类层次结构和类组合结构，使系统具有很强的表现真空世界复杂系统结构的能力，系统通过消息传递在程序执行中实现对操作的调用机制，使之在面向用户问题选择和执行求解策略方面有很强的适应性，这一点对于强调人－机交互和解题协作的智能决策支持系统设计至关重要，文章给出了用Ｃ＋＋实现的模型对象系统及消息传递机制。     

Compressed Sensing Projection and Compound Regularizer Reconstruction for Hyperspectral Images

压缩感知理论提供了一种新的数据获取和压缩思路,能有效地把计算负担从编码端转移到解码端.高光谱数据具备数据稀疏性、空间相关性和谱间相关性,结合这3类先验知识,提出了一种基于复合正则化的高光谱图像压缩感知投影与重构方法.该方法的编码端只需要一个简单的投影操作;在重构算法实现中,基于变量分裂的思想,把具备多个正则项的优化问题转化成多个简单的优化问题,并用迭代方式求解.实验结果表明,本文算法在高光谱图像重构上能获得更高的峰值信噪比和更好的重构效果.该方法具备极低的编码复杂度,适用于资源受限的机载和星载高光谱成像平台.     

直流分布供电系统稳定性的分析与仿真

研究供电系统稳定性优化问题,针对直流分布供电系统中单独设计的功率模块级联后引起整个系统不稳定。由于系统连接,造成系统稳定性下降。为解决上述问题,提出了一种通过测量直流分布供电系统的稳定余度来判断系统稳定性的方法。在分析传统的判定稳定性方法缺点的基础上,根据Middlebrook判据,提出了禁止区域的概念,并进一步简化,推导出测量稳定余度的方法来判断级联系统的稳定性,并在SABER环境下对BOOST供电系统功率因数校正电路的稳定性。实验结果表明,方法能较为简便的判断直流分布供电系统的稳定性,同时对于其它供电系统的稳定性分析均有较好的参考价值。     

国产脱砷剂及其应用

介绍了石油烃中砷的存在形式 ,石脑油中砷含量及对催化剂的危害 ,分析了脱砷机理 ,阐述了国产脱砷剂的类型、型号、特点 ,以及选用原则与工业应用情况。     

氯乙酸生产工艺的改进与探讨

介绍了影响氯乙酸质量、消耗的因素,探讨了对氯乙酸工艺的改进措施。     

聚硅氧烷改性环氧树脂的研究进展

综述了制备聚有机硅氧烷改性环氧树脂的4种途径：含羟基或烷氧基的聚硅氧烷与环氧树脂的反应、含氨基的聚硅氧烷与环氧树脂的反应、含硅氢基的聚硅氧烷与环氧树脂的反应、含杂原子的聚硅氧烷与环氧树脂的反应,并讨论了聚有机硅氧烷改性环氧树脂对环氧树脂的相结构、机械性能和热稳定性的影响.     

直流电桥法测量电缆故障点的距离

迅速、准确地探测故障点的位置对保证故障电缆的及时修复有着重要意义。介绍了电缆故障的性质和直流电桥法测量电缆故障点距离的原理，着重阐述了几种常用的电缆接地故障的测量方法，并提出在实际生产、施工中，应根据具体情况选取合理的仪器及测量方法，迅速、准确地探测故障点的位置，以保证故障电缆的及时修复。     

金纳米线拉伸行为的分子动力学模拟

采用分子动力学方法模拟了不同截面尺寸金纳米线的拉伸力学行为。计算结果表明:相同长度的金纳米线弹性模量随着截面尺寸的减小而减小,而其屈服强度随着截面尺寸的减小而增大,并且发生屈服推迟现象。应力—应变曲线与形变过程相对应。在弹性变形阶段,纳米线形变不显著;随着应变量的增加,发现纳米线出现大量堆垛层错。     

Analysis of junction temperatures in high-power GaN-based LEDs

We presented the analysis of the incomplete conduction in bonding medium in high power GaN-based light-emitting diode (LED) packages. A numerical study was carried out with parametric model to understand the junction temperature variation due to bonding medium defects. Transient thermal measurement was performed to evaluate LED’s junction temperature. Thermal resistance from chip to lead frame was 20 K/W in our sample LED. It was suggested that only 60% of the surface area of the bonding medium was involved...