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单站被动定位及光电实现 总被引:1,自引:0,他引:1
目的 光电技术实现的单站被动定位具有重要的军事价值 ,本文介绍了其原理、方法和发展 .方法 本文中 ,单站被动定位分为激光和红外两部分内容讨论 .结果 明确了采用激光和红外技术的单站被动定位工作原理和存在的技术难点 ,同时 ,指出了被动定位的研究动向 .结论 文章表明单站被动定位及光电实现值得进一步研究 . 相似文献
103.
非织造保暖材料在军用服装中的应用 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍非织造保暖材料军用棉服、军用内衣的制作 ,对不同材料和结构的成品服装的各项性能作了分析和比较。 相似文献
104.
粘弹性圆柱壳在轴向恒压下的动力稳定性 总被引:3,自引:1,他引:2
基于Timoshenko-Mindlin假设,得到考虑粘弹性的各向同性圆柱壳及纤维增强正交铺设层合圆柱壳在轴向恒压下的动力学方程。文中对两端简支的圆柱壳进行了分析,依Laplace变换,导出动力稳定的特征方程,由Routh-Hurwitz判据建立动力稳定性条件,对两类圆柱壳讨论了横向剪切变形的影响。 相似文献
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本文列举了IC卡在电信领域及一些国家和地区的应用之后,给出了国际IC卡的应用发展模式,以供有关部门参考。 相似文献
106.
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驱动AM-OLED的2-a-Si:H TFT的设计与制作 总被引:2,自引:1,他引:1
a-Si:H/SiNx:H TFT在长时间栅偏应力作用下,会产生阈值电压漂移,这主要是由绝缘层电荷注入和有源层亚稳态产生而引起的。针对电荷注入现象,文章首先通过控制源气体SiH4和NH3流量的不同,利用PECVD制作了不同N/Si比(0.87~1.68)的氮化硅绝缘材料,对其进行了椭偏、红外和光电子散射能谱(EDS)测试。制作了不同的MIS结构电容,对其进行老化实验和C-V测试分析,结果表明稍富氮(N/Si比稍大于标准Si3N4的化学计量比1.33)的氮化硅做成的M1S样品在老化前后C-V曲线偏移不是很明显,表明其缺陷态密度相对较小,能够有效减小半导体/绝缘层界面间的电荷注入。设计了驱动OLED的2-a-Si:H TFT像素电路及其阵列版图,优化了电路中的几个关键参数,即T1的W/L=2.5、T2的W/L=25和存储电容Cs=0.8pF。运用7PEP生产工艺,制作了13cm(5.2in)的TFT阵列样品。对TFT进行I-V特性测试,其开态电流为10μA,开关比为10^6;对AMOLED显示屏样品进行了静态驱动下的亮度测试,其最高亮度为341cd/m^2。 相似文献
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