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91.
刘建  傅孝韬  徐梅梅  贺洋 《电网技术》2009,33(12):23-29
本文将传统的两端直流系统短路比延伸到多馈入直流系统,建立了多馈入短路比(MSCR)表达式。基于CIGRE模型建立了三馈入直流输电模型,分析了与MSCR相关的变量,并将其与当地换相失败的关系进行了探讨。结合换相失败免疫因子(CFII)分析,结果表明:增大多馈入短路比能够降低发生当地换相失败的风险。同时,从多馈入交互作用因子(MIIF)的角度分析了发生同时换相失败的风险规律,并分析了MIIF的影响因素。  相似文献   
92.
阐述了一种期望方向增益最大约束唯相位(Phase-Only)波束形成算法,针对该算法进行了仿真试验,仿真结果验证了算法的有效性。在该方法基础上,分析了DBF加权对波束宽度和波束增益的影响。  相似文献   
93.
面粉中脂——蛋白的相互作用   总被引:4,自引:0,他引:4  
傅宾孝 《食品科学》1990,11(5):11-13
<正>面粉中的蛋白质含量和质量对其加工品质有决定性影响。最近研究表明,面粉中的脂类通过与面筋蛋白的作用,对面粉的烘烤品质也  相似文献   
94.
基于优化的、层次式的数/模转换器自动综合   总被引:1,自引:0,他引:1  
李兴仁  洪志良  韩兴成 《电子学报》1999,27(11):47-49,23
本文介绍了一种基于优化的、层次式的D/A转换器自动综合方法,该方法根据 本性能要求首先确定对各单元电路的性能要求,再由这些性能要求驱动相应的单元电路综合模块进行单元电路的综合。最后采用一个自下而上的过程难证所产生的D/A转换器的性能,在两个综合欠上,利用多维下降单纯形优化算法进行优化求解。  相似文献   
95.
对本科毕业设计指导工作的分析和建议   总被引:9,自引:0,他引:9  
毕业设计是加强和完善本科学习阶段的最后一个环节,直接影响着本科人才培养质量和学校总体教学水平,是学生在校期间对所学知识的一次全面检验、总结和提高。本文阐述了毕业设计的重要性与必要性,结合南京理工大学的实际,分析和总结了毕业设计的现状与存在的问题,从科学选题、完善毕业设计过程、因材施教、保证毕业设计论文质量等方面提出了改进毕业设计工作的措施。实践证明,这些措施和建议是切实可行的。  相似文献   
96.
对于二次曲面加工,都是在二次曲面的消像差点放置刀口仪进行阴影检验或与干涉仪对接进行干涉检验,这说明求解二次曲面的消像差点对于二次曲面的检验和检验方案的制定是非常重要的.利用三级像差理论和近轴公式,对二次曲面的两个消像差共轭点的求解方法进行了详细地研究,给出求解二次曲面的消像差点的各种公式、曲线图、光路图和表格,从中可以看出,这对检验二次曲面是非常有益的.  相似文献   
97.
应用多极法对全反射导光型光子晶体光纤的基模损耗进行了数值模拟,研究了结构参量如空气孔直径、孔距和包层空气孔层数等在1.31和1.55μm处对基模损耗特性的影响.研究发现,随着波长的增大,光纤基模损耗近似呈指数增大;通过选择高空气填充率的结构和增加包层空气孔的层数,都可以显著降低光纤基模损耗.其中,包层空气孔层数对基模损耗的影响最大,空气孔直径次之,孔间距最小.  相似文献   
98.
基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级.  相似文献   
99.
双光栅外腔可调谐掺Yb3+双包层光纤激光器   总被引:3,自引:4,他引:3  
采用一种新颖的双光栅装置作为外腔调谐结构 ,实现了掺Yb3+ 双包层光纤激光器的调谐输出 ,调谐范围10 37~ 110 6nm。双光栅结构的应用 ,使调谐输出的激光光谱的线宽大大变窄 ,小于 0 1nm。检偏器测量结果表明 ,整个调谐范围内的激光输出均为线偏振光。  相似文献   
100.
在SiGeHBT的制造工艺中,为了防止干法刻蚀发射极台面对外基区表面造成损伤,从而导致SiGeHBT小电流下较大漏电问题,对SiGeHBT发射极台面的湿法腐蚀技术进行了研究。通过改变超声功率、腐蚀液温度,从中获得了较为理想的腐蚀条件。  相似文献   
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