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阐述了一种期望方向增益最大约束唯相位(Phase-Only)波束形成算法,针对该算法进行了仿真试验,仿真结果验证了算法的有效性。在该方法基础上,分析了DBF加权对波束宽度和波束增益的影响。 相似文献
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面粉中脂——蛋白的相互作用 总被引:4,自引:0,他引:4
<正>面粉中的蛋白质含量和质量对其加工品质有决定性影响。最近研究表明,面粉中的脂类通过与面筋蛋白的作用,对面粉的烘烤品质也 相似文献
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对本科毕业设计指导工作的分析和建议 总被引:9,自引:0,他引:9
毕业设计是加强和完善本科学习阶段的最后一个环节,直接影响着本科人才培养质量和学校总体教学水平,是学生在校期间对所学知识的一次全面检验、总结和提高。本文阐述了毕业设计的重要性与必要性,结合南京理工大学的实际,分析和总结了毕业设计的现状与存在的问题,从科学选题、完善毕业设计过程、因材施教、保证毕业设计论文质量等方面提出了改进毕业设计工作的措施。实践证明,这些措施和建议是切实可行的。 相似文献
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基于暗电流模型,通过变温I-V分析长波器件(截止波长为9~10μm)的暗电流机理和主导机制.实验对比了不同衬底、不同成结方式、不同掺杂异质结构与暗电流成分的相关性.结果表明,对于B+离子注入的平面结汞空位n~+-on-p结构,替代衬底上的碲镉汞(HgCdTe)器件零偏阻抗(R0)在80 K以上与碲锌镉(CdZnTe)基碲镉汞器件结阻抗性能相当.但替代衬底上的HgCdTe因结区内较高的位错,使得从80 K开始缺陷辅助隧穿电流(I_(tat))超过产生复合电流(I_(g-r)),成为暗电流的主要成分.与平面n~+-on-p器件相比,采用原位掺杂组分异质结结构(DLHJ)的p~+-on-n台面器件,因吸收层为n型,少子迁移率较低,能够有效抑制器件的扩散电流.80 K下截止波长9.6μm,中心距30μm,替代衬底上的p~+-on-n台面器件品质参数(R0A)为38Ω·cm2,零偏阻抗较n-on-p结构的CdZnTe基碲镉汞器件高约15倍.但替代衬底上的p+-on-n台面器件仍受体内缺陷影响,在60 K以下较高的Itat成为暗电流主导成分,其R0A相比CdZnTe基n~+-on-p的HgCdTe差了一个数量级. 相似文献
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