埋地管道泄漏内封堵装置设计与研究

针对流体输送埋地管道泄漏问题,设计了一种利用管道机器人携带封堵气囊进行快速应急封堵修复的埋地管道泄漏内封堵装置。采用矩阵变换方法建立了牵引系统驱动轮过弯方程,利用MATLAB软件对过弯方程进行了验证,同时利用ADAMS软件仿真分析过弯路径与驱动轮转角对牵引系统行走速度的影响。研究结果表明:由两个串联封堵器组成的应急封堵系统可满足复杂工况下的管道泄漏封堵要求;牵引系统驱动轮在弯管内部行走时,单轮速度呈周期性变化,但三个驱动轮整体周期运动特性一致;驱动轮转角在25°~40°时,牵引系统行走速度与驱动轮转角成正比,且转角为30°时驱动效果最好。该内封堵装置的结构设计可为管道泄漏应急封堵领域装备的研发提供重要参考。     

贴片机脱机编程的快捷方法

SMT生产线中的大多数加工设备均为数控设备。它们编程所需要的大多数特征数据均可从CAD设计系统中得到。文章介绍了如何从CAD设计系统中导出X、Y坐标数据,并转换成贴片数据的方法和思路,以期引起更多的同行加入到这方面的研究中。     

锂离子电池用聚合物电解质的最新进展II.含液聚合物电解质

由于干态聚合物电解质目前还不能满足聚合物锂离子电池的应用要求,人们致力于开发含液体增塑剂的聚合物电解质,包括凝胶型和微孔型两类体系。本文综述了含液聚合物电解质的最新进展,重点论述了各种新体系和新方法。     

CPU芯片封装技术的发展演变

本文主要介绍了CPU芯片封装技术的发展演变,以及未来的芯片封装技术。同时,从中可以看出芯片技术与封装技术相互促进,协调发展密不可分的关系。     

金属/Al2O3基纳米复合材料研究最新进展

金属／Al2O3纳米复合材料在保持原有金属的功能特性时，还可以获得 很好的力学性能，是有良好发展前景的一种纳米复合材料。本文回顾了近年来金属／Al2O3基纳米复合材料在制备工艺，微观结构和力学性能，增韧强化机理方面的最新进展，并指出了今后的研究方向。     

具有阻力特性材料的σ_f－σ关系及一种新的阻力曲线测定方法

通过对相变增韧陶瓷及一种可切削玻璃－陶瓷动态疲劳（恒应力速率）试验中高应力速率区断裂应力下降现象的理论分析，发现这种现象与材料的阻力特性（Ｒ－ｃｕｒｖｅ）密切相关。确立的σ_ｆ－σ理论关系能够很好地描述整个应力速率区间内的动态疲劳试验结果。高应力速率区σ_ｆ－σ在双对数坐标下为负斜率直线，直线斜率为（ｍ为阻力曲线ＫＲ＝ｋ（△ａ）~ｍ的指数），断裂主要由材料阻力行为控制；低应力速率区，σ_ｆ－σ在双对数坐标下为正斜率直线，直线斜率为　（ｎ为应力腐蚀指数），断裂主要由材料应力腐蚀行为控制。建立了测定材料阻力特性的一种新方法，分别用这种方法及压痕／弯曲方法对一种可切削玻璃－陶瓷的阻力特性进行了实验测定，两种方法所得结果有很好的一致性。     

实体造型中的几何约束

实体造型是一个基于约束的过程，完成从功能约束到几何约束、再到代数约束的转化而得到实体模型。本文讨论了几何约束的层次性及其表示，并且对几何约束同设计意图的关系进行了研究，提出了基于ＣＳＧ／ＧＣＧ／Ｂ－ｒｅｐ的模型表示。     

利用反射纵波评价裂缝倾角的模拟实验研究

声波全波列测井中的反射纵波可以用来评价高角度裂缝和对井周附近地质结构进行成像。目前的研究主要侧重于直接从波形资料处理出发计算裂缝的位置和倾角 ,其可靠性和准确性无从评价和校验。文中采用模拟实验的方法记录了倾角为 6 0°～80°范围内的 8种倾角裂缝的反射脉冲纵波波形 ,自行推导了反演裂缝倾角的公式 ,结合波场分离技术对实验测量波形数据进行了处理 ,计算出的裂缝倾角与实际值具有良好的一致性。本文结果表明 ,利用至少 2个深度点的纵波反射波波形资料就可以准确地反演裂缝的倾角     

宝钢研制的全氢罩式炉控制系统分析

对宝钢研制的全氢罩式炉计算机控制系统的逻辑结构、工作原理及硬件配置进行了分析.该系统与引进的系统相比,在通讯方式、程序结构、操作分析、报警和开放性等方面都有所改进.     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively