WinCC中应用MATLAB开发模糊解耦控制的方法

详细阐述了将MATLAB中开发的模糊解耦控制算法改写成一个C函数,将其封装在动态连接库中.通过WinCC调用动态连接库,将模糊控制的输出通过MPI多点传输协议传递给PLC驱动执行器,实现电石炉控制系统电极调节的模糊解耦控制.     

UTRAN系统中LCS的实现方法

介绍LCS和UMTS网络架构的基础上,分析了LCS在无线接入网UTRAN系统中的结构,并探讨了UTRAN的定位过程和定位方法.     

信息技术对抑郁症心理调适的模式开发创新研究——基于VR沉浸技术的应用

随着科技的不断发展,虚拟现实技术(以下简称VR技术)也在不断的创新,VR技术在当今社会被广泛推崇,多个重要领域都发现了它的重要性,它在未来的发展趋势势必也会只增不减,现已逐渐将此技术应用到医学方面,该文通过高频发生的抑郁心理问题现状,结合SWOT分析方法,通过研究VR技术与抑郁症心理调适交叉结合的创新模式,推动VR技术在异常心理调适与数字化模式上的探索.     

激光熔注法制备WC颗粒增强金属基复合材料层

采用激光熔注(LMI)技术在Q235钢表面制备WC颗粒增强的金属基复合材料(MMC)层。在激光熔注工艺特性和熔注层宏观特征分析的基础上,采用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对激光熔注层微观组织结构进行了分析。结果表明,WC颗粒注入到熔池的整个深度和宽度范围内,并且在熔注层中的分布比较均匀。WC颗粒的加入改变了熔池的化学成分,熔注层中出现了新相Fe3W3C。在熔注层上部存在较多Fe3W3C枝晶和少量枝晶间共晶,在熔注层下部枝晶数量减少,共晶数量明显增多。激光熔注层中不同WC颗粒周围反应层的尺寸和形貌存在很大差别。WC颗粒注入位置是决定反应层尺寸的重要因素。     

Be掺杂对ZnO电子结构和光学性质的影响

基于密度泛函理论（DFT）第一性原理计算了Zn1-xBexO化合物的电子结构和光学性质. 计算结果表明Zn1-xBexO带隙随掺杂浓度的增加而变大. 这种现象主要是由于价带顶O2p随掺杂量x的增加几乎保持不变,而Zn4s随掺杂量x的增加向高能端移动. 光学介电函数虚部计算结果表明：在2.0, 6.76eV位置随掺杂浓度的增加峰形逐渐消失,是由于Be替代Zn导致Zn3d电子态逐渐减少所致;而9.9eV峰形逐渐增强,是由于逐渐形成的纤锌矿结构BeO的价带O2p到导带Be2s的跃迁增加所致.     

周期极化掺镁铌酸锂光参量振荡器的输出光谱特性

实验研究了基于多周期的掺镁铌酸锂晶体光参量振荡器(OPO),分析了光学参量振荡器的输出光谱特性.实验中,采用激光二极管(LD)端面抽运的声光调Q Nd:YVO4激光器作为光参量振荡器的抽运源,谐振腔采用双凹腔结构.在调Q开关重复频率为10 kHz,周期极化掺镁铌酸锂(PPMgLN)晶体的温度为25.4℃的条件下,实验测得光学参量振荡器的振荡阈值为110 mW.当输入的抽运光的平均功率为325 mW时,获得了平均功率为84 mW的信号光输出,其光-光转换效率为25.8%.通过改变周期极化掺镁铌酸锂晶体的温度(25.4～120℃)和极化周期(28.5～30.5 μm),实现了信号光在1449.6～1635 nm范围内的可调谐输出.在室温25.4℃时,观测到了抽运光与信号光的和频光的光谱.实验结果表明.光参量振荡器输出光谱的半峰全宽(FWHM)小于0.5 nm.     

基于ICE与HTTP Tunnel技术的NAT/FW穿越方案

在现代网络中,越来越多的主机被部署在NAT和防火墙(FW)之后,这就要求VoIP、P2P等通信软件必须具备穿越NAT/FW的能力,才能实现端到端的数据传输.现有的STUN、TURN、ICE等方案虽然可以穿越大部分NAT/FW,但对有端口或协议限制的防火墙却无能为力.本文提出了将ICE和HTTP Tunnel技术相结合的穿越方案,设计并实现了可跨平台运行的HTTP Tunnel模块来配合ICE进行穿越.实验证明,在防火墙只开放80端口这种苛刻的条件下,该HTTP Tunnel模块也能够成功穿越大部分防火墙,实现数据流的稳定传输.     

基于GJB7400的军用塑封集成电路检验标准探讨

塑封集成电路凭借其五大优势,势必会在军用集成电路发展之路上大有作为.目前我国军用塑封集成电路正在处于高速发展阶段,提高其可靠性是军用塑封集成电路发展的重要任务.为加强军用集成电路质量控制,制定了GJB7400-2011《合格制造厂认证用半导体集成电路通用规范》,是军用塑封集成电路筛选检验的主要标准.通过梳理GJB740...     

Poly-Si TFTs integrated gate driver circuit with charge-sharing structure

A p-type low-temperature poly-Si thin film transistors (LTPS TFTs) integrated gate driver using 2 non-overlapped clocks is proposed. This gate driver features charge-sharing structure to turn off buffer TFT and suppresses voltage feed-through effects. It is analyzed that the conventional gate driver suffers from waveform distortions due to voltage uncertainty of internal nodes for the initial period. The proposed charge-sharing structure also helps to suppress the unexpected pulses during the initialization phases. The proposed gate driver shows a simple circuit, as only 6 TFTs and 1 capacitor are used for single-stage, and the buffer TFT is used for both pulling-down and pulling-up of output electrode. Feasibility of the proposed gate driver is proven through detailed analyses. Investigations show that voltage bootrapping can be maintained once the bootrapping capacitance is larger than 0.8 pF, and pulse of gate driver outputs can be reduced to 5 μs. The proposed gate driver can still function properly with positive V_TH shift within 0.4 V and negative V_TH shift within-1.2 V and it is robust and promising for high-resolution display.     

Design of 20 W fiber-coupled green laser diode by Zemax

We represent a design of a 20 W, fiber-coupled diode laser module based on 26 single emitters at 520 nm. The module can produce more than 20 W output power from a standard fiber with core diameter of 400 μm and numerical aperture (NA) of 0.22. To achieve a 20 W laser beam, the spatial beam combination and polarization beam combination by polarization beam splitter are used to combine output of 26 single emitters into a single beam, and then an aspheric lens is used to couple the combined beam into an optical fiber. The simulation shows that the total coupling efficiency is more than 95%.