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51.
52.
本文通过对不同结构的硫化铅红外探测器的剖析和性能优劣对比,说明了新型场镜—硫化铅组合结构是提高硫化铅红外探测器的探测率和可靠性的有效途径。  相似文献   
53.
贾振红  李劬 《激光杂志》1997,18(2):20-22
为使激光诱导动态光栅产生在空间上可分辨的高效率衍射光,光栅介质必须足够薄以满足光栅条件,但动态光栅自衍射效率却又随介质厚度的增加而增加,我们提出用相位匹配的周期性薄光栅组可解决这一矛盾,并在实验上用周期性热效应光栅对理论进行了验证。  相似文献   
54.
The perfectly matched layer for use with the finite-difference time-domain method is adapted to our transmission-line matrix simulation as what we call a heaviside absorbing layer (HAL). It is shown that the reflection coefficient for the wave incident on a HAL is less than that of the wave incident on a matched-load termination at all angles of incidence. Furthermore, the dispersion relation of a transmission-line matrix mesh of a symmetrical condensed node with both electric and magnetic loss stubs is derived. It provides guidance on how to choose the losses of HAL and other simulation parameters properly  相似文献   
55.
相干源二维波达方向估计   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文分析了平面阵接收信号的协方差矩阵,发现它可分解为一个广义对称矩阵与一个非广义对称矩阵之和,利用信号协方差矩阵的这一结构特征,重点研究了相干源二维波达方向(DOA)估计.该方法通过构造一个差矩阵,求出其本特征值对应的任一特征向量,利用谱函数估计相干源二维DOA.简要分析了二维DOA估计的分维处理。  相似文献   
56.
荧光寿命成像显微技术   总被引:2,自引:0,他引:2  
介绍荧光寿命成像显微(FLIM)技术及其在生物物理、生物化学及临床医学诊断等领域的最新研究成果和发展现状,并就其未来的发展及应用研究进行了讨论。  相似文献   
57.
TFT-LCD屏缺陷检测的研究   总被引:7,自引:0,他引:7  
屈惠明 《光电子技术》1997,17(2):102-109
分析了国外目前常用几种薄膜晶体管(TFT)有源矩阵液晶显示(AM-LCD)屏的缺陷检测方法的优缺点。深入研究了TFT-LCD屏的结构、缺陷产生的原因和概率.设计了一种能全面、直观地进行TFT-LCD缺陷检测的方法,该方法不仅能检测出TFT-LCD中各种常见的新短路等硬性缺陷并确定其具体位置.而且能根据TFT-LCD屏质量要求对软性缺陷进行判定。  相似文献   
58.
用红外热成像技术精确测定物体发射率   总被引:11,自引:0,他引:11       下载免费PDF全文
根据红外探测器对物体辐射的输出响应,从实际测量的角度提出了物体发射率的一般性定义,分析了红外热成像技术进行精确测量的条件,导出了物体温度Tobj、环境温度Tsur、物体发射率ηo和测量精度e之间的关系,并建立了一套用红外热成像技术精确测定ηo的方法,实验表明该方法可获得满意的测量结果  相似文献   
59.
声光调制器的频移误差影响多普勒雷达系统的速度精确测量值.为了分析多普勒雷达系统中声光调制器的频移误差,利用自外差的方法研究了声光调制器中声场和光频相互作用而产生的固定频移,通过统计的方法研究了在不同(但恒定)声场驱动频率下声光作用产生的频移误差.实验结果表明:该声光调制器在多普勒雷达系统中所产生的频移误差小于0.61 MHz,即对于1064nm波长,多普勒速度测量误差小于0.3m/s.对多普勒精确测量系统误差分析研究有一定的参考价值.  相似文献   
60.
采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.  相似文献   
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