康普顿散射对X射线透射谱的影响

采用一定组分的材料对X射线进行辐射屏蔽,可以吸收大部分的低能光子,减少X射线对电子系统的辐射损伤。但通过研究发现,由于康普顿散射的影响,在一定条件下,透射谱中的低能光子数不但没有减少反而大于入射谱,这对于电子元器件的辐射防护是不利的。通过改变入射源光子能谱、探测器位置、屏蔽材料类型以及屏蔽材料厚度等参量,采用蒙特卡罗方法计算并分析了散射光子对X射线透射谱的影响,得到了康普顿散射光子对X射线透射谱的影响规律,并提出了降低散射光子影响的几种措施。     

基于序列图像的超分辨率重建

提出一种从序列低分辨率欠采样图像中重建出一幅高分辨率图像的重建方法.该方法基于MAP算法,通过利用梯度投影的方法对重建结果不断进行迭代优化得到最终的理想高分辨率影像.实验结果证明,该方法有效,它不仅能够非常容易的引入各种先验条件进行约束从而提高解的收敛速度,并且能够得到质量较好的高分辨率重建图像.在取得相同质量图像的前提下,该算法所需时间明显降低.     

一种应用于纳米尺度器件陷阱电荷表征的新型改进电荷泵方法

随着器件特征尺寸的缩小,热载流子带来的器件蜕化效应越来越严重。电荷泵方法可用于表征陷阱电荷的分布。但由于局部阈值电压窄峰的影响,传统电荷泵法在测试陷阱电荷分布时存在误差。本文提出了一种改进型电荷泵测试方法,可用于精确提取纳米尺度器件中陷阱电荷的横向分布。 本文采用0.12微米的SONOS器件来验证这一方法的有效性。通过编程控制,使SONOS器件形成大约50纳米的阈值电压窄峰。采用新方法测试得到的陷阱电荷分布与测试得到的阈值电压有较好的一致性。     

以非晶硅为硬掩膜的TaN金属栅的选择性湿法腐蚀

提出了一种在HfSiON介质上,采用非晶硅为硬掩膜的选择性去除TaN的湿法腐蚀工艺。由于SC1(NH4OH:H2O2:H2O)对金属栅具有合适的腐蚀速率且对硬掩膜和高K材料的选择比很高,所以选择它作为TaN的腐蚀溶液。与光刻胶掩膜和TEOS硬掩膜相比,因非晶硅硬掩膜不受SC1溶液的影响且很容易用NH4OH溶液去除（NH4OH溶液对TaN和HfSiON薄膜无损伤）,所以对于在HfSiON介质上实现TaN的选择性去除来说非晶硅硬掩膜是更好的选择。另外,在TaN金属栅湿法腐蚀和硬掩膜去除后, 高K介质的表面是光滑的,这可防止器件性能退化。因此,采用非晶硅为硬掩膜的TaN湿法腐蚀工艺可以应用于双金属栅集成,实现先淀积的TaN金属栅的选择性去除。     

LD泵浦再生放大器技术研究

再生放大器作为一种具有极高增益的前置放大器,在获取窄脉宽、高峰值功率激光过程中具有重要作用。本文对再生放大器的传统光路进行了改进,通过光路设计与精确时间控制,将脉冲单选功能集成到再生放大过程中,进行了腔内单选再生放大器技术研究,实验证明这种改进是完全可行的。     

认知超宽带网络的容量分析和最优化

The integration of cognitive radio and Ultra wideband (UWB) networks has attracted lots of research interests. Cognitive UWB networks not only provide very high data rates but also guarantee the uninterrupted communication of primary system operated in the same frequency band. In this work, the problem of the capacity analyses of cognitive UWB networks is investigated. Different from the conventional cognitive spectrum sharing model which can only utilize the idle spectrum hole, the cognitive UWB system can...     

SiOx:Er薄膜材料光致发光特性的研究

采用射频磁控反应溅射技术,以Er2O3和Si为靶材,制备了SiOx:Er薄膜材料,在不同温度和不同时间下进行退火处理,室温下测量了样品的光致发光(PL)谱,观察到Er3+在1 530,1 542和1 555 nm处波长的发光,发现退火能明显增强Er3+的发光.研究了退火温度和时间对SiOx:Er薄膜光致发光的影响,发现Er2O3与Si面积比为1∶1时,1 100℃下20 min退火为样品的最佳退火条件.采用XRD和材料光吸收测试对样品结构和光学性质进行了研究,得到样品中Si晶粒大小为1.6 nm,样品的光学带隙为1.56 eV.对3种不同Er2O3与Si面积比的SiOx:Er薄膜材料进行研究,得到Er2O3与Si面积比为1∶3为样品的最佳配比,对薄膜材料发光现象进行了探讨.     

基于XML自动评阅系统的设计与实现

本文针对面向大面积学生实验操作考试和阅卷的困难,提出了基于XML形式对试题知识考点进行描述的设计思想,通过对操作考试中记录的实验参数、实验状态和实验结果的XML数据进行解析评判,实现对学生实验操作考核自动评阅。在面向大面积学生的实验操作考试中,节省了大量人力、物力,具有很强的实用性。本文以大学物理仿真实验考试系统为例,实现了基于XML描述方案的实验考核自动评阅系统。     

双频雷达测高技术研究

该文针对双频雷达的测高问题,研究了基于相位干涉原理的双频雷达测高方法。文中给出了相位干涉测角的基本原理,并针对该方法在双频雷达测高应用中存在的相位模糊问题进行了分析,在此基础上,给出了基于中国余数定理的双波段相位差解模糊处理方法,解决了双频雷达相位干涉测高法的相位模糊问题。最后对双频雷达相位干涉测高法的测高精度进行了分析。仿真分析,验证了算法的可行性。     

Ultra high-speed InP/InGaAs SHBTs with ft and fmax of 185 GHz

An InP/InGaAs single heterojunction bipolar transistor (SHBT) with high maximum oscillation frequency (f_max) and high cutoff frequency (f_t) is reported. Efforts have been made to maximize f_max and f_t simultaneously including optimizing the epitaxial structure, base–collector mesa over-etching and base surface preparation. The measured f_t and f_max both reached 185 GHz with an emitter size of 1 × 20 μ m², which is the highest f_max for SHBTs in mainland China. The device is suitable for ultra-high speed digital circuits and low power analog applications.