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文中给出了一个应用于超宽带射频接收机中的全集成低噪声放大器,该低噪声放大器采用了电阻并联负反馈与源极退化电感技术的结合,为全差分结构,在Jazz0.18μm RF CMOS工艺下实现,芯片面积为1.08mm2,射频端ESD抗击穿电压为1.4kV。测试结果表明,在1.8V电源电压下,该LNA的工作频带为3.1~4.7GHz,功耗为14.9mW,噪声系数(NF)为1.91~3.24dB,输入三阶交调量(IIP3)为-8dBm。 相似文献
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城市交通工具的合理调度能够有效缓解日益严峻的交通压力,出租车作为公共出行的交通工具满足了大量的出行需求。蚁群算法(ACO)作为仿生算法的代表,根据蚂蚁个体产生的信息素,通过不同策略和信息素更新等操作,逐步接近最优解,适合解决城市交通资源路径规划问题。文章给出一种改进的蚁群算法进行出租车调度,在不同时间段内,对非热点区域向热点区域以及热点区域向非热点区域转移进行研究,根据信息素差异化特征,首先建立了时间区域优化算法和区域调度模型,通过对数据样本的训练得到不同情况下的转移概率和行驶里程,从而确定最优的抑制因子和调节参数,提高出租车转移概率并减少空载行驶距离,实现对出租车资源的合理分配。 相似文献
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A. L. Scholtz Ao. Univ.-Prof. Dipl.-Ing. Dr. techn. D. Kehrer Dipl.-Ing. Dr. techn. M. Tiebout Marc Dipl.-Ing. Dr. techn. H. -D. Wohlmuth Hans-Dieter Dipl.-Ing. Dr. techn. H. Knapp Dipl.-Ing. Dr. techn. M. Wurzer Dipl.-Ing. W. Perndl Dipl.-Ing. M. Rest C. Kienmayer Dipl.-Ing. R. Thüringer Dipl.-Ing. W. Bakalski Dipl.-Ing. W. Simbürger Dipl.-Ing. Dr. techn. 《e & i Elektrotechnik und Informationstechnik》2003,120(9):271-275
Recently, CMOS has been demonstrated to be a viable technology for very-high-bit-rate broad-band and wireless communication systems up to 40 Gb/s and 50 GHz. Advances in device scaling and doping-profile optimization have also resulted in SiGe bipolar transistors with impressive performance, including cut-off frequencies of more than 200 GHz. This paper presents advances in circuit design which fully exploit the high-speed potential of a 0.13 µm CMOS technology up to 50 GHz and of a high-performance SiGe bipolar technology up to 110 GHz operating frequency. The combination of advanced circuit techniques and a state-of-the-art fabrication-process technology results in continuing the upward shift of the frequency limits. 相似文献
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采用电弧熔炼母合金、普通铜模吸铸工艺 ,制备出尺寸规格为 2 0mm× 10mm× 1mm的板状Fe -Co -Zr -Mo -W -B系Fe -基大块非晶合金。经DTA检测 ,所制备的Fe -基非晶合金具有明显的玻璃转变温度和较宽的过冷液相区 (Tg=884K ,ΔTx≥ 6 0K)。采用压痕试验法测定了该板状Fe -基大块非晶合金的断裂韧性 ,其铸态断裂韧性在 1.6MPa·m1/ 2 量级。 相似文献