冷媒充填机的PLC控制

介绍了冷媒充填机控制系统的组成和工作原理，着重叙述了西门子S7－200可编程控制器与触摸屏结合的控制方式，使系统的性能得到较大的提高。     

栲胶法变换气脱硫工艺

介绍了栲胶法脱硫的原理，工艺流程及规整填料在脱硫塔中的应用。     

应用德国PAR88挤出机生产PVC异型材的工艺研究

从控制PVC异型材挤出机的工艺参数的角度，分析并论述了挤出机工艺参数对PVC异型材低温落锤性能的影响。     

可靠性试验样本量和截尾时间的计算

可靠性寿命试验中，一般都因受到费用和时间的限制，因此要用截尾试验获得信息，再据此对其可靠性进行统计推断，用非参数估计的方法探讨了进行可靠性试验的样本量或截尾时间的估计方法。     

高质量ZnO薄膜的退火性质研究

在LP－MOCVD中，我们利用Zn(C2H5)2作Zn源，CO2作氧源，在（0002）蓝宝石衬底上成功制备出皮c轴取向高度一致的ZnO薄膜，并对其进行500℃-800℃四个不同温度的退火。利用XRD、吸收谱、光致发光谱和AFM等手段研究了退火对ZnO晶体质量和光学性质的影响。退火后，（0002）ZnO的XRD衍射峰强度显著增强，c轴晶格常数变小，同时（0002）ZnOX射红衍射峰半高宽不断减小表明晶粒逐渐增大，这与AFM观察结果较一致。由透射谱拟合得到的光学带隙退火后变小，PL谱的带边发射则加强，并出现红移，蓝带发光被有效抑制，表明ZnO薄膜的质量得到提高。     

激光晶体Nd:YVO4的形貌及生长缺陷

本文报道了应用环境扫描电镜（ESEM）和同步辐射X射线白光形貌术对采用提拉法生长出的Nd:YVO4晶体进行的形貌及生长缺陷的分析,获得了该晶体的开裂表面的ESEM形貌像以及取自晶体肩部和中间部位的（001）面的同步辐射白光形貌像,观察到了位错、包裹物等缺陷,可为生长高质量的Nd:YVO4晶体提供重要的启示.     

回转头技术在表面贴装设备中的应用

当今的回转头式贴装设备能够以相对低廉的价格 ,提供高速度和准确的贴装 ,以及先进的识别操作。     

化学镀非晶态Ni—B合金的研究

本文通过化学镀方法在铜和钢上沉积非晶态Ni-B合金。着重讨论了还原剂浓度、络合剂浓度对化学镀沉积速率的影响;分析了它的耐蚀原因和其显微硬度随退火温度的变化情况并就其应用和发展略作说明。     

焊接领域中 AutoCAD的二次开发

应用AutoCAD已有的二次开发工具:AutoLISP、块和形定义及菜单开发对CAD在焊接领域应用进行了开发与定制。     

ZnGa2O4纳米晶的制备和结构表征

采用喷射共沉淀法制备了ZnGa2O4 纳米晶，XRD、SEM和TEM结构分析结果表明，喷射共沉淀法制备的ZnGa2O4的纳米晶颗粒细小均匀，形状完整，与化学共沉淀法相比，粒子尺寸明显减小，小于10nm，同时ZnO杂相峰消失，分析了喷射共沉淀法的机理，并对实验结果进行了解释。