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Pre-metal-deposition reactive ion etching (RIE) was performed on an Al0.3Ga0.7N/AlN/GaN heterostructure in order to improve the metal-to-semiconductor contact resistance. An optimum AlGaN thickness for minimizing contact resistance was determined. An initial decrease in contact resistance with etching time was explained in terms of removal of an oxide surface layer and/or by an increase in tunnelling current with the decrease of the AlGaN thickness. The presence of a dissimilar surface layer was confirmed by an initial nonuniform etch depth rate. An increase in contact resistance for deeper etches was experienced. The increase was related to depletion of the two-dimensional (2-D) electron gas (2-DEG) under the ohmics. Etch depths were measured by atomic force microscopy (AFM). The contact resistance decreased from about 0.45 Ωmm for unetched ohmics to a minimum of 0.27 Ωmm for 70 Å etched ohmics. The initial thickness of the AlGaN layer was 250 Å. The decrease in contact resistance, without excessive complications on device processing, supports RIE etching as a viable solution to improve ohmic contact resistance in AlGaN/GaN HEMTs  相似文献   
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Phase transformations in particles of ultrafine powders of graphite, hexagonal boron nitride, and quartz during rapid heating and cooling by passage through a laser beam were investigated. A continuous infrared laser with a wavelength of 10.6 μm was used as a heat source through which the powders were recycled several times. Methods of concentrating the product phases are described. Particles of diamond, carbides, cubic boron nitride, koesite and stishovite were obtained in the mixed products.  相似文献   
47.
Summary The equilibrium water contents of linear poly(acrylic acid) sodium salts with different degrees of neutralisation were found to be dependent on temperature and relative humidity. An octahedral model for the primary hydration of poly(acrylic acid) sodium salts (HIRAOKA and YOKOYAMA 1980) was critically evaluated in the light of these findings and an anomaly in the water uptake versus neutralisation curve at approximately 33% neutralisation was explained by the counterion condensation theory. (MANNING 1979).  相似文献   
48.
49.
Lenin Dnepropetrovsk Pipe Plant. Translated from Metallurg, No. 8, p. 39, August, 1989.  相似文献   
50.
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