基于PLZT开关的全光纤单模调Q掺Yb3+光纤激光器

PLZT电光陶瓷具有良好的透明性、高电光系数等特性,用来实现全光纤调Q开关具有很大的优势.分析了PLZT全光纤调Q开关的原理,测量了调Q开关的时间波形,研究了基于PLZT开关的全光纤单模环形调Q掺Yb3 光纤激光器.抽运光功率为180 mW,莆复频率为1 kHz时,得到峰值功率25.6 W,脉冲宽度80 ns,光谱宽度1 nm,脉冲能量2.0 μJ的调Q脉冲.此外,分别研究了抽运功率和重复频率对脉冲峰值功率和脉冲宽度的影响,结果表明,同一重复频率情形下,随着抽运功率的升高,峰值功率增大,脉冲宽度降低;同一抽运功率水平下,随着重复频率的增大,脉冲的峰值功率减小,脉冲宽度增大.     

An ultra-low-power CMOS temperature sensor for RFID applications

An ultra-low-power CMOS temperature sensor with analog-to-digital readout circuitry for RFID applications was implemented in a 0.18-μm CMOS process.To achieve ultra-low power consumption,an error model is proposed and the corresponding novel temperature sensor front-end with a new double-measure method is presented.Analog-to-digital conversion is accomplished by a sigma-delta converter.The complete system consumes only 26μA@1.8 V for continuous operation and achieves an accuracy of±0.65℃ from-20 to 120℃ after calibration at one temperature.     

4H-SiC MESFET肖特基栅接触的界面参数提取

研究了界面态对4H-SiC MESFET的肖特基栅接触的影响.栅接触工艺主要采用Ti/Pt/Au蒸发,经过剥离后形成.基于热电子理论提出了一种参数提取方法,得到界面态密度和界面电容分别为4.386×1013cm-2·eV-1和8.394×10-6F/cm2,这与测量得到的器件端特性一致.     

Finite volume based CFD simulation of pressurized flip-chip underfill encapsulation process

This paper presents the simulation of pressurized underfill encapsulation process for high I/O flip chip package. 3D model of flip chip packages is built using GAMBIT and simulated using FLUENT software. Injection methods such as central point, one line, L-type and U-type are studied. Cross-viscosity model and volume of fluid (VOF) technique are applied for melt front tracking of the encapsulant. The melt front profiles and pressure field for all injection types are analyzed and presented. The pressure distribution within the flip-chip, fill volume versus filling time and viscosity versus shear rate are also plotted. The U-type injection is found to be faster in filling. The numerical results are compared with the previous experimental results and found in good conformity. The strength of CFD software in handling underfill encapsulation problems is proved to be excellent.     

导弹战术兵棋中侵彻子母弹打击机场毁伤效果裁决

基于导弹战术兵棋使用需求,运用切断点法,对侵彻子母弹打击机场毁伤效果进行了建模分析.讨论了命中概率的计算,给出了计算公式,并对打击效果裁决进行了详细的说明和分析.在此基础上,建立了打击效果裁决表.     

等离子体激励对飞行器流场影响的数值研究

针对传统飞行器控制方式的缺点,采用小尺度等离子体流动控制技术对飞行器流场影响进行研究。在前人的实验模型及飞行参数进行研究的基础上建立三维模型,采用数值仿真方法,研究了等离子体激励器位置和注入能量大小对飞行器流场及表面压力分布的影响。仿真结果表明：等离子体与边界层的相互作用可改变飞行器外部激波的初始结构,并在激励位置附近形成局部高压区;随着注入能量的增加,高压区峰值及作用范围分别扩大;等离子体激励产生的扰动具有三维传播特性,对飞行器侧壁面甚至对整个壁面周向压力分布产生影响。     

双线性插值在地磁导航中的应用

地磁导航应用中常采用插值运算来提高地磁图的精度,但目前常用的地磁图插值方法都存在计算复杂、不适于实时解算等缺点。提出用双线性插值方法进行地磁图插值,该方法原理简单、计算量小,且适于在微处理器上实时解算,为地磁导航的工程实现提供了参考。     

大幅面太阳全光谱辐照系统的设计

大幅面太阳全光谱辐照系统是太阳模拟器的重要组成部分,辐照不均匀度是其关键技术指标之一,在传统全光谱辐照系统中存在着难以达到国家标准、光源光谱匹配性差等技术难题。结合大幅面太阳模拟器的研究现状,设计了一种全光谱辐照系统。利用光学仿真软件Zemax对所设计的全光谱辐照系统辐照均匀性进行仿真,提出了辐照度衰减模式的新概念,并以此为基础对全光谱辐照系统辐照不均匀度进行了优化。光源采用瑞士Solaronix公司生产的Plasma光源,经过测试光谱达到国际电工委员会标准A级,光源谱段内辐照度用光谱辐射计进行测试。结果表明,在辐照度为280 W/m²时,辐照度衰减模式在未启动和启动时辐照不均匀度分别为8.4%和5.7%,参考国家标准GB/T12637—1990太阳模拟器通用规范,在2 400 mm×6 000 mm有效辐照面内其辐照均匀度满足规范C级标准,接近B级标准。     

一种应用于无线局域网收发机的0.13 μm CMOS ΔΣ 分数型频率综合器

本文提出一种应用于IEEE 802.11b/g 无线局域网收发机的ΔΣ 分数型频率综合器。该设计采用了0.13 μm CMOS 工艺。LC型的压控振荡器采用了片上集成的差分电感。分数分频器由吞脉冲式分频器和带噪声整形技术的3阶MASH类型的ΔΣ调制器构成。测试结果表明,参考频率为20 MHz环路带宽为100 kHz的情况下,该设计所有信道的相位噪声性能均可达到带内-93 dBc/Hz,带外-118 dBc/Hz。积分均方相位误差小于0.8。整个设计在1.2V电源条件下消耗8.4 mW的功耗,占用0.86 mm2的面积。     

转轮除湿与冷却除湿相结合的复合式除湿工艺空调系统

介绍一种转轮除湿与冷却除湿相结合的复合式除湿工艺空调系统。分析比较氯化钙、乙二醇冷冻水载冷剂在同一温度之间及同一载冷剂在不同温度下的换热系数差异，分析该工艺空调系统不能正常运行的原因，并提出改进措施。