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研究了铁钴钒软磁合金的铁芯损耗,发现铁芯损耗谱具有分形结构。讨论了带材厚度和磁感应强度对分形维数Df的影响。 相似文献
102.
For pt.I see IEEE Trans. Neural Networks, vol.1, p.167-78 (1990). Parallel, self-organizing, hierarchical neural networks (PSHNNs) involve a number of stages with error detection at the end of each stage, i.e., rejection of error-causing vectors, which are then fed into the next stage after a nonlinear transformation. The stages operate in parallel during testing. Statistical properties and the mechanisms of vector rejection of the PSHNN are discussed in comparison to the maximum likelihood method and the backpropagation network. The PSHNN is highly fault tolerant and robust against errors in the weight values due to the adjustment of the error detection bounds to compensate errors in the weight values. These properties are exploited to develop architectures for programmable implementations in which the programmable parts are reduced to on-off or bipolar switching operations for bulk computations and attenuators for pointwise operations 相似文献
103.
Jun-Hee Hong Jong-Keun Park 《Power Systems, IEEE Transactions on》1995,10(4):1789-1797
This paper presents a method of obtaining transmission network equivalents from the network's response to a pulse excitation signal. The proposed method is based on modal decomposition representation for the large-scale interconnected system. In this framework we use Prony analysis to identify the network function of the system and to decompose the large system into a parallel combination of simple first-order systems. As a result the network function of the transmission network can be identified easily, and a Thevenin-type of discrete-time filter model can be generated. It can reproduce the driving-point impedance characteristic of the network. Furthermore, the proposed model can be implemented into the EMTP in a direct manner. The simulation results with the full system representation and the developed equivalent system showed a good agreement 相似文献
104.
105.
106.
107.
由进口电性能仪配上自制的高温系统,计算机自动采集数据,配置成一套高低温电性参数测定装置,该装置的特点是,升温快,炉体小巧,炉芯可更换盛液氮装置,屏蔽良好,等温区长,温工及参数测量精确可靠。 相似文献
108.
液相添加剂对PTCR陶瓷电性能的影响 总被引:3,自引:2,他引:1
液相添加剂AST(Al2O3+SiO2+TiO2)对BaTiO3陶瓷材料电性能的影响很大,随着Al2O3含量的增加,材料的电性能降低;SiO2、TiO2的物理特性对材料电性能影响较大;过量TiO2对材料PTC效应有重要影响,适当过量TiO2含量,可得到性能优良的PTCR陶瓷。 相似文献
109.
110.
Gong S.S. Burnham M.E. Theodore N.D. Schroder D.K. 《Electron Devices, IEEE Transactions on》1993,40(7):1251-1257
Electrical time-to-breakdown (TTB) measurements have shown the charge to breakdown Q bd of gate oxide capacitors fabricated on n-type well (n-well) substrates always to be higher than that of capacitors on p-type well (p-well) substrates on the same wafer when both are biased into accumulation under normal test conditions. Here the authors correlate the higher n-well Q bd to smooth capacitor oxide/substrate interfaces and minimized grain boundary cusps at the poly-Si gate/oxide interfaces, confirming that Fowler-Nordheim tunneling is the dominant current conduction mechanisms through the oxide. They correlate higher Q bd to higher barrier height for a given substrate type and observe that the slope of the barrier height versus temperature plot is lower for both p-well and n-well cases with electrons tunneling from the silicon substrate. This is attributed to surface roughness at the poly-Si gate/SiO2 interface. A poly-Si gate deposition and annealing process with clean, smooth oxide/substrate interfaces will improve the p-well breakdown characteristics and allow higher Q bd to be achieved 相似文献