Web Server中静态路由的配置机制及实现

基于Web Server(网页服务器)的Web网管的系统架构和实现过程,以Wind Web Server为平台研究了静态路由的配置机制及实现.阐述了嵌入式网管系统的各个部分,并对前端处理模块和后台处理模块进行了分析与具体的实现,最后对静态路由的功能进行了对比性测试.结果表明,基于Web的网管方式在功能上能够与其他网管方...     

光学薄膜弱吸收测试装置参数优化

光学薄膜对入射光的弱吸收特性是评价元件质量的重要参数.在高能激光作用下,即使十分微弱的吸收也将足以导致薄膜元件的灾难性破坏.因此,有必要对光学薄膜的平均吸收及局部吸收进行精确、快速、实时的检测.从光热偏转技术发展而来的表面热透镜法由于其对测试装置要求的放宽,并且同样拥有较高的测试精度,是测试元件薄膜弱吸收特性的有效方法...     

紫外激光无损检测潜在指印技术研究

潜在指印的显现是物证检验技术中的关键问题之一,而紫外(UV)照相技术是显现潜在指印等隐性痕迹物证的重要技术手段。采用266 nm紫外固体激光器为激发光源,利用人体指印固有物质成分对紫外光具有特殊的吸收、反射、散射及荧光特性,减弱或消除指印背景上的图案和其他细节干扰,增加指印纹线与背景的亮度反差,显出或增强潜在指印。通过紫外反射照相及紫外固有荧光照相技术,分别实现了对彩色杂志纸张、玻璃、电话背面、木纹桌面油漆面4种非渗透性物证检材及牛皮纸信封、便签纸2种渗透性物证检材表面遗留的新鲜及陈旧潜在指印的无损检测显现,并具有鉴定价值。     

锗硅器件高频噪声的去嵌算法研究

提出了一种"开路-直通"的级联结构的二端口网络的晶体管高频噪声去嵌结构以及与此相关的基于噪声相关性矩阵的去嵌方法。和传统的需要配备两个"直通"结构的方法相比较,该结构及方法在版图配合的基础上,只需要使用一个"开路"结构和一个"直通"结构,而且多个不同尺寸的被测试器件结构可以共用一个直通去嵌测试结构进行测试及去嵌,结果显示,使用该方法测试及去嵌后的精度几乎不受影响。该方法的意义在于能极大地减少硅片上直通去嵌测试结构的数量从而节省硅片面积;同时,又减少了测试时间、提高了测试效率,极大地降低了成本。     

基于2051单片机的激光对抗模拟器设计

介绍了以2051单片机为控制核心的激光对抗模拟器的结构及设计原理,具体阐述了其发射、接收处理、声光报警装置、供电电路的原理及电路实现,并说明了2051的协调处理过程。     

螺旋氙灯泵浦钛宝石激光器

本文报道了螺旋氙泵浦宝石激光器的特性,获得斜率效率0．078％、最大能量148．3毫焦的激光输出。并对不同实验条件下激光输出结果作了实验研究和定性分析。     

MEMS光开关及主要工艺技术的研究

光开关是实现全光网络的核心技术之一,目前光开关采用的主要技术方案有MEMS、铁电液晶、气泡、热光、全息、声光、热毛细管等,其中MEMS光开关因具有体积小、集成度高、能大规模生产等优点成为光开关研究的关键之一。本文对MEMS光开关的类型、特点及研究现状进行介绍,并重点对MEMS光开关涉及的工艺技术进行研究,认为工艺问题是MEMS光开关研究成败的关键。     

自动步枪激光模拟射击系统

介绍一种自动步枪激光模拟射击系统,它具有弹着点实时显示、实时语音报靶及成绩统计等功能,射击精度高,电脑显示弹着点与实际位置误差小于2mm;为射击训练提供一种安全、高效、仿真(使用空包弹)激光模拟射击训练系统。     

输尿管开口囊肿、狭窄及膀胱颈部挛缩的HO:YAG激光治疗

目的利用HOYAG激光的软组织切割及止血作用,对输尿管开口囊肿、狭窄及膀胱颈部挛缩的患者行激光治疗,并观察疗效.方法采用HOYAG激光对6例输尿管开口囊肿,15例输尿管开口狭窄(其中3例合并输尿管结石),32例膀胱颈部挛缩进行治疗,观察术中出血、术后并发症、膀胱挛缩患者手术前后Qmax.结果总计53例患者通过HOYAG激光治疗,均获得满意临床疗效,术中几乎无出血,输尿管开口囊肿及狭窄患者,术毕能顺利留置F7双猪尾巴导管.膀胱颈部挛缩患者术后最大尿流率提高了7.6ml/s(7.2～14.8ml/s).结论HO;YAG激光对输尿管开口囊肿、狭窄及膀胱颈部挛缩是一种行之有效的治疗方法,且无出血,易于操作、安全、恢复快.尤其是输尿管结石合并输尿管开口狭窄患者,可通过HOYAG激光一次手术解决.     

FORWARD GATED-DIODE R-G CURRENT METHOD:A SIMPLE NOVEL TECHNIQUE FOR CHARACTERIZING LATERAL LIGHTLY DOPING REGION OF LDD MOSFET’s

 This paper presents a simple novel technique-forward gated-diode R-G current method-to determine the lateral lightly-doped source/drain (S/D) region interface state density and effective surface doping concentration of the lightly-doped drain (LDD) N- MOSFET’s simultaneously. One interesting result of the numerical analysis is the direct characterization of the interface state density and characteristic gate voltage values corresponding to LDD effective surface doping concentration. It is observed that the S/D N- surface doping concentration and corresponding region’s interface state density are R-G current peak position and amplitude dependent, respectively. It is convincible that the proposed method is well suitable for the characterization of deep sub-micron MOSFET’s in the current ULSI technology.