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Madhu H. C. Edachery Vimal Lijesh K. P. Perugu Chandra Shekhar Kailas Satish V. 《Metallurgical and Materials Transactions A》2020,51(8):4086-4099
Metallurgical and Materials Transactions A - Hybrid nanocomposites have potential as wear-resistant materials. However, synthesizing these nanocomposites by conventional molten state methods result... 相似文献
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Strength of Materials - The paper presents a procedure for determining the design parameters of multilayer thick-walled structures with a local load on the inner surface portion located near the... 相似文献
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Zavadiuk S.V. Loboda P.I. Soloviova T.O. Trosnikova I.Iu. Karasevska O.P. 《Powder Metallurgy and Metal Ceramics》2020,59(1-2):22-28
Powder Metallurgy and Metal Ceramics - The properties of sintered and heat-treated steels produced from the Catamold 8740 material by powder injection molding were examined. Parts made of the... 相似文献
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Zakaryan D. A. Kartuzov V. V. Khachatryan A. V. 《Powder Metallurgy and Metal Ceramics》2015,54(3-4):210-214
Powder Metallurgy and Metal Ceramics - The theoretical strength of LaB6 and MeB2 borides and a eutectic LaB6–TiB2 system is calculated with quasiharmonic approximation for uniaxial strain in... 相似文献
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High Temperature - The temperature dependences of the viscosity of liquid Fe90B x Si(10 − x) alloys are studied in the mode of heating and subsequent cooling. The temperature dependences of... 相似文献
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V. I. Zubkov O. V. Kucherova I. N. Yakovlev A. V. Solomonov 《Russian Microelectronics》2015,44(3):203-209
An automated system for integrated electrophysical and optical studies of semiconductor nanoheterostructures, which operates in a wide temperature range from 15 to 475 K, is designed. The setup is intended to measure the temperature and frequency admittance and electroluminescence spectra of light-emitting diode and laser chips formed on substrates of diameter up to 50.2 mm, and the distribution of parameters over the wafer. The setup includes the closed-cycle helium cryogenic station, LCR meter, and temperature controller. The characterization results of nanoheterostructures with InGaN/GaN multiple quantum wells, which are used for creating highly efficient white and blue light-emitting diodes, are presented. 相似文献