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81.
郭天天  卢焕章 《信号处理》2006,22(5):694-696
低信噪比小目标检测是当前的研究热点,能量积累是其关键技术之一。介绍了两种常用的序列图像能量累加算法:一种是针对帧间运动速度较小的多帧累加;一种是针对帧间运动速度较大的形态膨胀累加。并给出了这两种算法的FPGA实现。实验结果表明,设计的电路运行速度快、占用资源少,具有很强的实用性,并在实际应用中取得了较好的效果。  相似文献   
82.
针对国外变频器价格昂贵、调试周期和维修周期长等特点,我公司自主研发了可替代进口机的高性能钻机国产专用变频器。该变频器能够从零开始调速。当钻井卡钻时,能及时断开电动机,在低速提升时,能最大限度地发挥电动机的动力特性,提供220%的转矩输出。变频器具有易安装、调试、维护,性能稳定。应用中据实测数据显示,采用变频改造后,打1口井可节省柴油15t。  相似文献   
83.
84.
钻井井喷失控井喷流出口速度预测方法研究   总被引:6,自引:0,他引:6  
失控井喷流出口速度、喷口内压力、喷层产量都是井喷失控处理方案设计、作业施工中重要的基础数据。由于井喷失控井井口环境条件复杂,井喷失控后无法在井口安装测量仪表及在高速喷流中放入参照物,不能直接获取以上数据。文章利用地质、钻井过程获得的地层物性参数和气体动力学方程,探讨井喷失控井天然气喷流在不同井筒流动尺寸及组合的喷流速度预测模型,可应用薄剪切模型或RNG修正的k-ε模型定量描述速度场、温度场、浓度场颁。为井喷失控井处理方案设计、施工作业提供基础数据。  相似文献   
85.
文章主要介绍了光传送网(OTN)中光传输模块(OTM)的映射、复用结构、光通道数据单元(ODUk)的时分复用以及客户信号的映射方法.  相似文献   
86.
本文在分析张宇等及钱忠平等提出的高频噪声判别准则基础上,利用夏洪瑞等根据在窄档等频距小波分频之后识别、压制高频噪声的思路,提出在时频域将代表地震道主要能量的几个频带的平均振幅绝对值作为正常子波的平均振幅绝对值,以此来识别和压制高频噪声的异常振幅。实际处理结果表明,此法不仅可以压制高频谐振及高频突发噪声,而且可以保护弱地震反射信号不受损害。  相似文献   
87.
一种新的消除V&V算法载波相位模糊的方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
  相似文献   
88.
Whispering-gallery-like modes in square resonators   总被引:1,自引:0,他引:1  
The mode frequencies and field distributions of whispering-gallery (WG)-like modes of square resonators are obtained analytically, which agree very well with the numerical results calculated by the FDTD technique and Pade approximation method. In the analysis, a perfect electric wall for the transverse magnetic mode or perfect magnetic wall for the transverse electric mode is assumed at the diagonals of the square resonators, which not only provides the transverse mode confinement, but also requires the longitudinal mode number to be an even integer. The WG-like modes of square resonators are nondegenerate modes with high-quality factors, which make them suitable for fabricating single-mode low-threshold semiconductor microcavity lasers.  相似文献   
89.
基站智能天线多波束合成技术   总被引:5,自引:2,他引:3       下载免费PDF全文
采用数字波束形成的技术,给出了基站智能天线多波束合成的有效算法。对圆环阵分布的基站天线多波束方向图进行了综合,得到了空间隔离度很好的多个波束,并将副瓣控制在30dB以下,结果令人满意。该方法可用于任意单元构成的不均匀阵列天线,还可用于波束展宽及扇形波束的合成。  相似文献   
90.
不同注F剂量与CMOS运放电路辐照损伤的相关性   总被引:1,自引:1,他引:0  
在不同注F剂量条件下,对P沟和N沟两种不同差分对输入CMOS运放电路的电离辐照响应进行了研究.分析比较了注F和未注F运放电路电离辐照响应之间的差异.结果表明,在栅场介质注入适量的F,可有效抑制辐照感生的氧化物电荷尤其是界面态的增长,从而提高CMOS运放电路的抗辐照特性.  相似文献   
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