零功率堆反应性精密调节小型传动系统研制

建立了包括电动推杆机械传动装置、旋转变压器、角位显示器、控制系统、驱动电路等相关内容的小型精密传动系统,在实验室进行了长时间运行考验和传动精度的测量。实验结果表明:小型精密传动系统不仅在体积、传动精度上,同时在控制技术上均能够满足作为零功率堆上反应性连续调节装置的要求。对研制过程做了较详细的阐述。     

硅离子注入引入纳米晶对SIMOX材料进行总剂量辐射加固

本研究工作采用硅离子注入和高温退火工艺对SIMOX材料的BOX层进行总剂量辐射加固.辐射实验结果证明了该加固方法的有效性.PL谱和HRTEM图像显示了硅离子注入及退火工艺在材料的BOX层中引入了Si纳米晶,形成电子陷阱能级,有效俘获电子,从而提高了材料BOX层的抗总剂量辐射能力.     

纳米二氧化钛等离子体放电催化杀菌的试验研究

论文提出了纳米二氧化钛等离子体放电催化灭菌消毒的新方法,介绍了纳米二氧化钛等离子体放电催化的原理和装置,进行了杀灭芽孢杆菌的试验研究.试验证明,纳米二氧化钛等离子体放电催化具有很强的灭菌能力,一分钟内即可将105数量级的芽孢杆菌百分之百杀灭.     

Analog/RF Performance of Si Nanowire MOSFETs and the Impact of Process Variation

In this paper, the analog/RF performance of Si nanowire transistors (SNWTs) and the impact of process variation are investigated for the first time. Analog/RF figures of merit of SNWTs are studied, including transconductance efficiency g_m/I_d, intrinsic gain g_m/g_d, cutoff frequency f_t , and maximum oscillation frequency f_max. The results indicate that SNWTs exhibit superior intrinsic RF scaling capability and are suitable for low-power analog/RF applications. The impact of nanowire cross-sectional shape fluctuation that is caused by process variation is studied and found to be relatively severe, and the acceptable variation tolerance for RF integrated circuit design is given     

SOI数模混合集成电路的串扰特性分析

采用二维TMA Medici模拟软件对SOI结构的串扰特性进行了分析.模拟发现随着频率的增加,SOI的埋氧化物对串扰噪声几乎不起隔离作用,同时,连接SOI结构的背衬底可以在很大程度上减小串扰的影响.还对减少串扰的沟槽隔离工艺、保护环及差分结构的有效性进行了比较分析,对一些外部寄生参数对串扰的影响也进行了研究.并给出了SOI结构厚膜和薄膜结构体掺杂浓度对噪声耦合的影响,所得到的结果对设计低噪声耦合的SOI数模混合集成电路具有指导性的作用.     

一个适用于模拟电路的深亚微米SOI MOSFET器件模型

从数值解源端和饱和点的表面电势出发,考虑模拟电路对SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变,构建了一个能够满足这些要求的精确的器件模型．同时包含了深亚微米SOI MOSFET的一些二级效应如漏极诱生势垒降低效应（DIBL）、速度饱和效应、自热效应等．这个模型的参数相对较少并且精确连续,能够满足在模拟电路设计分析中的应用要求．     

电化学电容-电压法表征等离子体掺杂超浅结

采用电化学电容-电压(ECV)法对等离子体掺杂制备的Si超浅p n结进行了电学表征.通过对超浅p n结样品ECV测试和二次离子质谱(SIMS)测试及比较,发现用ECV测试获得的p 层杂质浓度分布及结深与SIMS测试结果具有良好的一致性,但ECV测试下层轻掺杂n型衬底杂质浓度受上层高浓度掺杂影响很大.ECV测试具有良好的可控性与重复性.对不同退火方法等离子体掺杂形成的超浅结样品的ECV系列测试结果表明,ECV能可靠地表征结深达10nm,杂质浓度达1021cm-3量级的Si超浅结样品,其深度分辨率可达纳米量级,它有望在亚65nm节点CMOS器件的超浅结表征中获得应用.     

基于GaAs的新型稀磁半导体材料(Ga,Mn)As

介绍了一种基于 Ga As的新型稀磁半导体材料 ( Ga,Mn) As,包括 ( Ga,Mn) As的制备方法、结构特性、磁性质及磁输运性质。最后 ,展望了 ( Ga,Mn) As的应用前景     

基于特征匹配的影像可匹配性研究

对基于特征匹配的影像可匹配性评价方法进行了探讨。从分析影像所包含的信息量入手,提出了通过计算影像的信息熵和累加梯度值进行基于特征匹配的影像可匹配性评价方法。通过基于角点特征和Hausdorff距离的影像匹配实验,发现影像信息熵和累加梯度值与影像可匹配性（即正确匹配概率）之间存在很强的相关性,尽管由于地表景观的不同,表现出的具体规律略有差异,但都表现出匹配正确率随影像信息熵和累加梯度的增大而增大的趋势。因此,可通过对影像信息量的评价来进行基准图的自动选取和飞行路径的规划;在实时匹配导航过程中,可根据获取的每一实时影像所含信息量,来决定是否进行匹配,这样既可以保证匹配的正确性,避免误导,又可节省匹配时间。提出方法对基于灰度相关的影像可匹配性评价具有借鉴意义。