全文获取类型
收费全文 | 24477篇 |
免费 | 1966篇 |
国内免费 | 1077篇 |
专业分类
电工技术 | 1309篇 |
技术理论 | 3篇 |
综合类 | 1495篇 |
化学工业 | 4300篇 |
金属工艺 | 1403篇 |
机械仪表 | 1568篇 |
建筑科学 | 1753篇 |
矿业工程 | 958篇 |
能源动力 | 791篇 |
轻工业 | 1687篇 |
水利工程 | 498篇 |
石油天然气 | 1550篇 |
武器工业 | 164篇 |
无线电 | 2597篇 |
一般工业技术 | 3065篇 |
冶金工业 | 1374篇 |
原子能技术 | 232篇 |
自动化技术 | 2773篇 |
出版年
2024年 | 113篇 |
2023年 | 462篇 |
2022年 | 703篇 |
2021年 | 1016篇 |
2020年 | 755篇 |
2019年 | 679篇 |
2018年 | 790篇 |
2017年 | 834篇 |
2016年 | 776篇 |
2015年 | 945篇 |
2014年 | 1225篇 |
2013年 | 1525篇 |
2012年 | 1564篇 |
2011年 | 1643篇 |
2010年 | 1488篇 |
2009年 | 1343篇 |
2008年 | 1337篇 |
2007年 | 1254篇 |
2006年 | 1217篇 |
2005年 | 1078篇 |
2004年 | 758篇 |
2003年 | 690篇 |
2002年 | 717篇 |
2001年 | 590篇 |
2000年 | 547篇 |
1999年 | 607篇 |
1998年 | 488篇 |
1997年 | 418篇 |
1996年 | 381篇 |
1995年 | 321篇 |
1994年 | 304篇 |
1993年 | 230篇 |
1992年 | 171篇 |
1991年 | 118篇 |
1990年 | 66篇 |
1989年 | 69篇 |
1988年 | 74篇 |
1987年 | 47篇 |
1986年 | 34篇 |
1985年 | 22篇 |
1984年 | 15篇 |
1983年 | 10篇 |
1982年 | 14篇 |
1981年 | 10篇 |
1980年 | 7篇 |
1979年 | 11篇 |
1977年 | 5篇 |
1975年 | 5篇 |
1954年 | 4篇 |
1947年 | 5篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
111.
多跳无线网路由协议研究进展 总被引:13,自引:0,他引:13
移动计算和无线通信的飞速发展为无线网络的应用开辟了美好前景.作为一种没有基础设施的无线网络,多跳无线网在战场、紧急救援等场合具有得天独厚的优势。多跳无线网路由协议的主要作用是监控网络拓扑变化、交换路由信息、产生和维护路由,它是目前的研究热点之一。本介绍了该领域的研究进展,首先叙述多跳无线网的8个特点及其对路由协议的7个要求.然后描述21种路由协议的原理并比较它们的特性,最后阐述了10个研究方向。 相似文献
112.
113.
114.
Durlam M. Naji P.J. Omair A. DeHerrera M. Calder J. Slaughter J.M. Engel B.N. Rizzo N.D. Grynkewich G. Butcher B. Tracy C. Smith K. Kyler K.W. Ren J.J. Molla J.A. Feil W.A. Williams R.G. Tehrani S. 《Solid-State Circuits, IEEE Journal of》2003,38(5):769-773
A low-power 1-Mb magnetoresistive random access memory (MRAM) based on a one-transistor and one-magnetic tunnel junction (1T1MTJ) bit cell is demonstrated. This is the largest MRAM memory demonstration to date. In this circuit, the magnetic tunnel junction (MTJ) elements are integrated with CMOS using copper interconnect technology. The copper interconnects are cladded with a high-permeability layer which is used to focus magnetic flux generated by current flowing through the lines toward the MTJ devices and reduce the power needed for programming. The 25-mm/sup 2/ 1-Mb MRAM circuit operates with address access times of less than 50 ns, consuming 24 mW at 3.0 V and 20 MHz. The 1-Mb MRAM circuit is fabricated in a 0.6-/spl mu/m CMOS process utilizing five layers of metal and two layers of poly. 相似文献
115.
Fabrication and characteristics of high-speed implant-confined index-guided lateral-current 850-nm vertical cavity surface-emitting lasers 总被引:2,自引:0,他引:2
Dang G.T. Mehandru R. Luo B. Ren F. Hobson W.S. Lopata J. Tayahi M. Chu S.N.G. Pearton S.J. Chang W. Shen H. 《Lightwave Technology, Journal of》2003,21(4):1020-1031
Process technology of high-speed implant-apertured index-guide lateral-current-injection top dielectric-mirror quantum-well 850-nm vertical cavity surface-emitting lasers (VCSELs) has been developed. Oxygen and helium implantation for aperture definition and extrinsic capacitance reduction, dielectric mirror formation, p- and n-ohmic contact formation, VCSEL resistance, and thermal analysis were investigated. Employing this technology, GaAs/AlGaAs-based 850-nm VCSELs with small signal modulation bandwidths up to 11.5 Gb/s and an eye diagram generated at 12 Gb/s by a pseudorandom bit sequence of 2/sup 31/-1 were achieved. The bit-error rates were below 10/sup -13/. The threshold current is as low as 0.8 mA for 7-/spl mu/m-diameter current apertures and typical slope efficiencies of 0.45-0.5 mA/mW were obtained. 相似文献
116.
117.
随着Internet用户和可上网的终端数量的激增 ,IP地址空间日趋枯竭 ,IP地址的扩充需求也愈加迫切。新一代寻址方案IPv6将成为未来因特网的主流协议。 相似文献
118.
提出种基于TEMIC射频卡Manchester编码的速率自适应读卡算法,并对该算法进行了说明和示例。 相似文献
119.
120.