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91.
马云辉 《微电子学与计算机》1998,15(6):48-51
本文采用信号流图法设计了一种基于OTA的三输入一输出多功能电压模滤波器新电路,该电路由五个OTA和两个接地电容构成,合理选择输入电压可实现低通、高通、带通、带阻及全通滤波功能。文章还对电路进行了MOS管级的计算机仿真,其结果表明所提出的电路方案正确有效。 相似文献
92.
Tang Y.Y. Hong Ma Jiming Liu Bing Fa Li Dihua Xi 《IEEE transactions on pattern analysis and machine intelligence》1997,19(8):921-926
Based on wavelets, a theoretical method has been developed to process multi-gray level documents. In this method, two-dimensional multiresolution analysis, a wavelet decomposition algorithm, and compactly supported orthonormal wavelets are used to transform a document image into sub-images. According to these sub-images, the reference lines of a multi-gray level document can be extracted, and knowledge about the geometric structure of the document can be acquired. Particularly, this approach is more efficient to process form documents with gray level background. Experiments indicate that this new method can be applied to process documents with promising results 相似文献
93.
95.
本文在弱闪烁条件下,利用广泛适用于星际闪烁、行星际闪烁和电离层闪烁的薄相屏理论,以行星际闪烁为算例,对薄相屏闪烁进行了数值分析。结果表明:垂直于介质运动方向上的不规则结构的大小对闪烁有着重要的影响,直接表现在频谱的变化趋势和振荡幅度的不同。尤其是当小于Fresnel尺度时,数值计算表明此时没有闪烁发生。 相似文献
96.
97.
Ma Z.J. Chen J.C. Liu Z.H. Krick J.T. Cheng Y.C. Hu C. Ko P.K. 《Electron Device Letters, IEEE》1994,15(3):109-111
It has been reported that high-temperature (~1100°C) N2 O-annealed oxide can block boron penetration from poly-Si gates to the silicon substrate. However, this high-temperature step may be inappropriate for the low thermal budgets required of deep-submicron ULSI MOSFETs. Low-temperature (900~950°C) N2O-annealed gate oxide is also a good barrier to boron penetration. For the first time, the change in channel doping profile due to compensation of arsenic and boron ionized impurities was resolved using MOS C-V measurement techniques. It was found that the higher the nitrogen concentration incorporated at Si/SiO2 interface, the more effective is the suppression of boron penetration. The experimental results also suggest that, for 60~110 Å gate oxides, a certain amount of nitrogen (~2.2%) incorporated near the Si/SiO2 interface is essential to effectively prevent boron diffusing into the underlying silicon substrate 相似文献
98.
99.
受干扰波相位测量的一种新方法 总被引:4,自引:1,他引:3
为了测量受噪声和谐波干扰的两个信号间的相位差,基于自适应带通滤波器(ABF)和测量信道交换技术,提出了一种新的测量方法。ABF采用可编程开关电容滤波器(PSCF)和锁相环,明显地抑制了噪声和谐波干扰,频率跟踪范围超过四个倍频程(0.5Hz-6kHz)。用微处理器控制4个开关来交换测量信道,可以基本上消除测量通道引入的附加相位移。两种方法结合提高了相位差的测量精度。实验说明了该测量方法的有效性,该方法也适合于被测信号为慢时变情况。 相似文献
100.