基于MEMS工艺的集成红外气体传感器工艺研究

研究了一种采用MEMS技术实现的含有红外发射源和探测单元的片上集成红外气体传感器芯片。通过理论分析证明了探测器和红外发射源可以集成在同一衬底上的可行性,采用正面刻蚀和背面ICP深刻蚀硅工艺实现红外发射元和探测单元的悬空热隔离结构,可以使红外发射源和探测器同时工作在较好的性能状态下。通过对红外气体传感器的红外发射源和探测单元的测试,表明两种单元均可以正常工作,验证了这种集成工艺的可行性。     

吸收电容对LED电源EMI的抑制实例分析

根据LED驱动电源的认证经验,其EMC测试项目中的电源端子骚扰电压和30~300 MHz辐射骚扰场强测试项目不容易合格,而且经过整改往往会增加电源成本。以一款单端反激式LED驱动电源为例,首先,介绍了单端反激式开关电源的工作原理;然后,探讨开关管MOSFET的漏极和源极并联小容量吸收电容后对驱动电源EMI的影响。通过对比测试结果发现,吸收电容的加入对原测试不合格的LED驱动电源起到了良好的EMI抑制作用,最终使得产品符合标准要求。此方法操作简单,成本低廉,为整改工程师提供参考。     

一种基于矩阵重组的功率倒置改进算法

针对功率倒置(Power Inversion,PI)算法信噪比恶化问题,推导了最小均方误差准则下最优权矢量组成,提出了处理增益更高、工作范围更广的改进算法.算法通过对接收信号协方差矩阵进行特征分解,根据特征值分布特点舍去噪声特征向量,组成新的协方差矩阵,得到具有指向性的最优权值矢量.仿真结果表明,与传统PI算法相比,改...     

改进的RBF文本分类算法

分析了文本分类系统的一般模型及现有技术,在应用了核主成分分析的特征降维方法进行处理后,提出了一种基于样本中心的径向基( RBF)神经网络文本分类算法,并且引入了聚类算法的核心思想,来改进误差反向传播(BP)神经网络分类算法收敛速度较慢的缺点.实验结果表明, RBF网络与BP网络相比,具有较高的运算速度和较强的非线性映射能力,在收敛速度和准确程度上也有更好的分类效果.     

基于小波变换的硬拷贝全息水印

提出一种基于离散小波变换的硬拷贝数字全息水印方法。首先利用共轭对称延拓傅里叶计算全息生成水印全息图;然后对其进行小波分解,将包含全部水印信息的高频分量嵌入到载体图像小波分解的中频区域以实现信息隐藏。由于全息图的频谱可控性和不可撕毁性,本文全息水印方法具有很好的不可见性,可以实现水印盲提取,不仅能够抵抗剪切、噪声、滤波和...     

可见/红外双波段阵列式滤光片设计与制作工艺研究

双波段阵列式滤光片是集成式可见,红外双波段传感器的核心部件,分别采用干涉截止滤光方法和干涉吸收滤光法设计了蓝宝石衬底上红外和可见光波段的滤光膜系,实际测量两个波段的滤光膜的平均透过率均达到90%以上.同时采用光刻、电子束蒸发镀膜和剥离工艺完成了滤光片的制作.     

MEMS移相器及其在微型通信系统中的应用

从传统移相器的构造和原理出发，进一步分析了MEMS移相器的结构、特性。结果表明，MEMS移相器具有传统移相器所无法比拟的体积小、损耗小、成本低、频带宽、易于集成等突出优点。随着高阻硅衬底在微波领域应用的扩展，MEMS移相器介质损耗大幅度降低，将能与信号处理电路一同集成于硅衬底上，便于相控阵雷达等通信系统实现微小型化。     

等离子体横向刻蚀硅的特性研究

研究了用SiO2 +Al作掩模 ,SF6 +O2 混合气体等离子体对Si的横向刻蚀 ,其结果表明 ,在SF6 +O2 等离子体气氛中 ,Al是很好的保护膜 ,可以在待悬浮器件下形成大的开孔。因此 ,预计用这种技术 ,可以在Si片上集成横向尺寸为数百微米 ,具有优良高频性能的MEMSRF/MW无源器件 ,如开关、传输线、电感和电容等。     

氮气退火对锑掺杂氧化锡薄膜近红外阻隔性能的影响

采用射频磁控溅射的方法,用96at％SnO2/4at％Sb2O3陶瓷靶在玻璃表面制备了锑掺杂氧化锡(ATO)薄膜.研究了溅射功率、压强和后退火对薄膜近红外阻隔性能的影响,并采用Uv-Vis-NIR透射光谱、霍尔效应测试仪、XRD和SEM等设备对薄膜的性能和结构进行了测试和分析.结果表明,室温沉积的ATO薄膜近红外透光率较高,但在氮气中退火后,不同溅射压强和溅射功率下沉积的ATO薄膜的近红外透光率均显著降低.在氧含量为10％、压强为1.4Pa、溅射功率为200W时,室温下沉积的ATO薄膜在氮气中500℃下退火1h后,550nm处透光率由80.9％升高至85.8％,2 000 nm处透光率由84.6％下降至23.0％.     

CdTe/ZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究

开展了CdTe/ZnS双层钝化碲镉汞长波探测器制备的研究。CdTe钝化膜经退火热处理后,可实现CdTe/MCT界面的互扩散,并改善CdTe钝化膜的质量。通过全湿法腐蚀方法完成了金属化开口,制备了长波碲镉汞600×18@15 μm规格线列和640×512@15 μm规格面阵。线列I-V测试表明:CdTe/ZnS双层钝化膜能有效地减少长波碲镉汞器件的表面漏电流,器件的反向结特性良好。面阵在77K测试:NETD 26.7 mK,有效像元率95.4%,并对室温目标进行了凝视成像。测试过程出现了4%左右由噪声引起的零散盲元,是由芯片面阵局部钝化失效引起的,表明钝化膜沉积工艺及芯片加工工艺尚有改进的空间。