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71.
72.
Two coupled-mode theories based on individual waveguide modes and compound system modes, respectively, are briefly reviewed with proper modification and new comments. The relation between these two theories is built and it is found that one theory is actually an efficient approximation of the other. Also, the reason why the results obtained with the first more accurate than those obtained with the second is found. The constraint on both approaches is shown  相似文献   
73.
74.
研究了3,5-二溴-4-氨基苯基荧光酮、3,5-二溴-4-偶氮变色酸等8种苯基荧光酮在酸性介质中与高价金属离子Zr(Ⅳ)、Mo(Ⅵ)、W(Ⅵ)、Al(Ⅲ)、Ga(Ⅲ)等的显色反应。3,5-位二溴取代的试剂的灵敏度高于未取代的灵敏度,摩尔吸光系数绝大多数在105L·mol-1·cm-1以上。  相似文献   
75.
从热力学理论出发,利用X射线衍射定性和定量的方法,对β-C_2S固溶体的稳定性进行了分析和研究。经热力学理论推导得出β-C_2S稳定的热力学条件,即掺入的微量元素的化学位μ_i须小于β-C_2S的反应自由焓△G_β,μ_i<△G_β.并定量地计算出一种微量元素稳定β-C_2S的临界掺加量为;多种微量元素对β-C_2S的稳定性判断条件为:  相似文献   
76.
The authors have developed a 2-D device simulator for heterostructure metal-semiconductor-metal (MSM) photodetectors. They have incorporated a model of multilayer optics into the simulator and used it to analyze the temporal response of a resonant-cavity enhanced heterostructure with a confining buffer layer and a distributed Bragg reflector (DBR). The authors show that through fine tuning the layer thicknesses, optical resonance enhancement of the light absorption can be obtained  相似文献   
77.
78.
The kinetics of glycidyl methacrylate block polymerization to high conversion was experimentally investigated with variations of the photoinitiator concentration, temperature, and power of UV illumination. The kinetic curves of this polymerization process contain three characterized sections of coordinates of “conversion–time,” namely: The first one is practically linear to a conversion of ≈0.5, the second represents, by itself, the autoacceleration process, and the third presents the autodecelation process. An additional peculiarity of such a polymerization process is poor reproduction of the kinetic measurements. This reproduction does not correspond to instrumental error. Derivation of a kinetic model for block linear polymerization was done. This model is, quantitatively, in good agreement with all the data of the experimental material. © 2002 Wiley Periodicals, Inc. J Appl Polym Sci 86: 3556–3569, 2002  相似文献   
79.
We have fabricated a self-aligned offset-gated poly-Si thin film transistor (TFT) by employing a novel photoresist reflow process. The gate structure of the new device is consisted of two unique patterns: A main-gate and a sub-gate. The new fabrication method extends the gate-oxide over the offset region. With the assistance of the sub-gate and reflowed photoresist a self-aligned offset region is successfully obtained due to the offset oxide acting as an implantation mask. The poly-Si TFT with symmetrical offsets is easily fabricated and the new method does not require any additional offset mask step. Compared with the misaligned offset gated poly-Si TFTs, excellent symmetric electrical characteristics are obtained  相似文献   
80.
The effect of turbulizing asperities positioned on one of the walls of a plane channel on the intensity of exchange processes near a smooth wall with injection of different working media is studied experimentally. Translated from Inzhenerno-Fizicheskii Zhurnal, Vol. 70, No. 3, pp. 404–408, 1997.  相似文献   
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