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991.
992.
采用磁控溅射技术在Si(111)衬底上溅射Au薄膜,900℃退火生成Au点阵模板,在Au点阵模板上溅射ZnO薄膜,O2气氛下1 000℃退火制备了ZnO堆垒单晶棒。研究了不同直径Au点阵模板对ZnO单晶棒结构性能的影响。采用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)对样品结构形貌进行了分析。结果表明,生成有序排列的ZnO棒均由诸多六方纤锌矿单晶堆垒而成,较小Au点阵生成单晶棒的直径约为100nm。室温光致发光PL谱表明在376nm出现一个较强近紫外发射,在488nm附近出现一个较宽的深能级绿光发射,说明所制备样品具有良好的发光特性。 相似文献
993.
本文详细介绍了一个台量大输出功率的37W的二极管侧面泵浦连续固体激光器。并对不同输出功率下的光束质量进行了测量,同时还测量了冷却水温对激光器输出功率的影响。 相似文献
994.
基于多模干涉和长周期光纤光栅的温度及折射率同时测量 总被引:3,自引:1,他引:3
基于多模干涉理论和长周期光纤光栅(LPFG)的传感特性,提出了一种单模-多模-单模(SMS)结构与LPFG级联的光纤传感器,实现了温度和折射率的同时测量。实验结果表明,SMS结构的干涉谱和LPFG对温度和折射率具有不同响应灵敏度,其温度灵敏度分别为0.017nm/℃和0.060nm/℃;SMS结构对折射率不敏感,而LPFG的折射率灵敏度为-35.60nm/RIU(RIU为折射率单位)。因此利用敏感矩阵,实现对温度和折射率的同时测量,得到温度和折射率的最大测量误差分别为±0.59℃和±0.0013。该结构灵敏度高、结构简单,且不易受电磁等干扰。实验结果具有良好的线性度,在生物化学领域应用前景良好。 相似文献
995.
Shengyan Yin Yulia Goldovsky Moshe Herzberg Lei Liu Hang Sun Yanyan Zhang Fanben Meng Xuebo Cao Darren D. Sun Hongyu Chen Ariel Kushmaro Xiaodong Chen 《Advanced functional materials》2013,23(23):2972-2978
Fabricating free‐standing, three‐dimensional (3D) ordered porous graphene structure can service a wide range of functional materials such as environmentally friendly materials for antibacterial medical applications and efficient solar harvesting devices. A scalable solution processable strategy is developed to create such free‐standing hierarchical porous structures composed of functionalized graphene sheets via an “on water spreading” method. The free‐standing film shows a large area uniform honeycomb structure and can be transferred onto any substrate of interest. The graphene‐based free‐standing honeycomb films exhibit superior broad spectrum antibacterial activity as confirmed using green fluorescent protein labeled Pseudomonas aeruginosa PAO1 and Escherichia coli as model pathogens. Functional nanoparticles such as titanium dioxide (TiO2) nanoparticles can be easily introduced into conductive graphene‐based scaffolds by premixing. The formed composite honeycomb film electrode shows a fast, stable, and completely reversible photocurrent response accompanying each switch‐on and switch‐off event. The graphene‐based honeycomb scaffold enhances the light‐harvesting efficiency and improves the photoelectric conversion behavior; the photocurrent of the composite film is about two times as high as that of the pure TiO2 film electrode. Such composite porous films combining remarkably good electrochemical performance of graphene, a large electrode/electrolyte contact area, and excellent stability during the photo‐conversion process hold promise for further applications in water treatment and solar energy conversion. 相似文献
996.
Ho Y.-L.D. Tun Cao Ivanov P.S. Cryan M.J. Craddock I.J. Railton C.J. Rarity J.G. 《Quantum Electronics, IEEE Journal of》2007,43(6):462-472
We present the results of calculations of the microcavity mode structure of distributed-Bragg-reflector (DBR) micro-pillar microcavities of group III-V semiconductor materials. These structures are suitable for making single photon sources when a single quantum dot is located at the center of a wavelength scale cavity. The 3-D finite difference time domain (FDTD) method is our primary simulation tool and results are validated against semi-analytic models. We show that high light extraction efficiencies can be achieved (>90%) limited by sidewall scattering and leakage. Using radial trench DBR microcavities or 2-D photonic crystal structures, we can further suppress sidewall emission, however, light is then redirected into other leaky modes 相似文献
997.
利用二次离子质谱和扩展电阻探针技术测量了硅中注入硼的深度分布 .在适当的测量深度 ,用扩展电阻探针技术测得的结果对二次离子质谱技术测量的结果进行了标定 ,从而得到硅片中硼原子的深度分布 .用近似模型估算了扩展电阻探针针尖半径对测试分辨率的影响 .若探针针尖半径为r0 ,测量斜面的角度为 ξ ,在用扩展电阻探针技术测量载流子浓度的深度分布时 ,可以近似认为深度分辨率为 7 86r0 sinξ.还定性讨论了样品表面耗尽层对扩展电阻探针技术的影响. 相似文献
998.
一种基于光纤器件的表面增强拉曼散射光谱检测系统 总被引:1,自引:1,他引:1
报道了一种基于表面增强拉曼散射(SERS)效应的结构简单、成本低的近红外拉曼光谱探测系统。该系统采用近红外半导体激光器作为激发光源。通过提高激发光源的输出背景抑制比,抑制激发光光纤传输产生的光纤拉曼信号,采用光纤型波分复用器滤除剩余激发光,利用光子计数模式的铟镓砷雪崩光电二极管作为探测器代替昂贵的近红外光电倍增管或近红外电荷耦合器件,实现了对4-胺苯并噻吩表面增强拉曼光谱的检测。该近红外光纤型检测系统具有结构简单、小型化、成本低廉以及远程检测等优势。 相似文献
999.
1000.
This paper introduces major characteristics of the single event latchup (SEL) in CMOS devices. We accomplish SEL tests for CPU and SRAM devices through the simulation by a pulse laser. The laser simulation results give the energy threshold for samples to undergo SEL. SEL current pulses are measured for CMOS devices in the latchup state, the sensitive areas in the devices are acquired, the major traits, causing large scale circuits to undergo SEL, are summarized, and the test equivalence between a pulse laser and ions is also analyzed. 相似文献