电动潜油双螺杆泵转子设计中的难点探讨

针对电动潜油双螺杆泵转子在开发设计过程中所遇到的技术难点,如双螺杆泵转子的多级串联增压结构、压缩流体对螺杆的轴向及径向作用力分析、螺杆转子的表面硬化处理工艺和要求,以及螺杆转子的型线及间隙等问题做了分析和探讨。认为选择合适的转子型线和间隙,减少输送过程中的回流现象,对螺杆转子和壳体采用合理的表面处理工艺是转子开发设计中的技术关键。     

新型高相对分子质量阳离子聚丙烯酰胺的合成

研究了采用复合引发体系,以丙烯酰胺为单体,丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(DAC)为阳离子功能单体,共聚合制备高相对分子质量的阳离子聚丙烯酰胺的方法。考察了单体含量、阳离子单体类型、聚合体系pH、助溶剂用量、复合引发体系中氧化剂、还原剂和偶氮化合物配比及用量、烘干温度对共聚物产品性能的影响。结果表明,在单体含量30％、DAC为阳离子单体、聚合体系pH 3．0、助溶剂用量占单体用量4％-5％、复合引发体系氧化剂、还原剂和偶氮化合物体积配比为1:1:1,烘干温度90℃以下条件下,可合成相对分子质量为(1000-1200)×104、阳离子度为 30％的阳离子聚丙烯酰胺产品。     

喷气燃料脱色精制中颗粒白土失活加快的原因分析(Ⅱ)--喷气燃料馏分中有色成分的剖析及不同性质馏分油对白土脱色的影响

先用硅胶对大连石化分公司3号喷气燃料馏分油中的有色组分进行吸附,然后分别用二氯甲烷和甲醇两种脱附剂对已吸附有色组分的硅胶进行脱附,得到两种含有色组分的两种溶液.应用红外光谱和色-质联用分析法对富集的有色组分进行了分析鉴定.分析了不同时期喷气燃料馏分油的性质及其对颗粒白土吸附脱色性能的影响.结果表明,大连石化分公司3号喷气燃料馏分油中的有色组分主要成分为C8～C14醇类、酮类、苯酚、甲酚和多烷基酚类及一些多聚体化合物.脱硫醇塔前进料馏分油的性质差异很小,而脱硫醇塔后馏分油的性质变化很大,颜色显著加深.脱硫醇塔操作末期温度高而引起喷气燃料馏分中不稳定组分的氧化转化导致颜色变深.颗粒白土脱色处理赛氏色值高的喷气燃料馏分油明显比处理赛氏色值低的喷气燃料馏分油的效果要好.脱硫醇塔操作不当造成油品恶化是导致颗粒白土吸附脱色失活很快的主要原因.控制脱硫醇塔乃至蒸馏系统操作条件(特别是温度),对延长颗粒白土的使用时间至关重要.     

沥青添加剂特性及其混合料性能研究

为了提高沥青路面的使用品质及延长沥青路面的使用寿命,人们研究出了许多用于改善沥青性能的添加剂。选取三种新型沥青添加剂(TPS,路孚8000,Sasobit)分别研究了其对沥青结合料及沥青混合料的性能影响,并与SBS改性沥青进行了对比分析。由结果可知这三种添加剂都能有效的改善沥青结合料和沥青混合料的相关性能。     

渤海湾盆地东濮凹陷天然气成藏条件与富集规律

渤海湾盆地东濮凹陷具有下第三系和上古生界2套烃源岩,生烃中心控制着气藏分布,构造特征控制着天然气的聚集,盐岩、厚层泥岩盖层有利于天然气藏的保存,生、储、盖组合关系决定了天然气纵向上的分段性。深层高异常压力和次生孔隙发育带是天然气富集高产的重要条件。东濮凹陷天然气分为上古生界煤成气和下第三系凝析气2种成藏模式,具有晚期成藏和幕式成藏的特点。东濮凹陷目前天然气剩余资源量较大,是中国东部重要的天然气勘探开发阵地,下一步应以下第三系凝析气藏和上古生界煤成气藏作为勘探的重点。     

高密度三维地震技术——老油区二次勘探的关键技术之一

随着老油区勘探开发的深入，勘探开发的难度越来越大。概括而言，老油区勘探开发面临的难点表现在①勘探目的层埋藏深；②勘探对象多为小断块、小幅度构造和隐性岩性圈闭；③油气藏多为低渗透、特低渗透油气藏；④单元储量规模小等方面。当前的地震资料精度不能满足老油田勘探开发的需求，成为制约勘探开发的重要因素之一。国内外的研究表明，新一代地震技术——高密度三维地震技术，可以大幅度提高地震资料的品质，这对提高老油区勘探开发的成功率有着重要的意义。介绍了高密度三维地震技术及其实现方法，分析了实施高密度三维地震技术的关键问题，给出了国内外高密度三维地震技术的应用实例，展示了高密度三维地震技术的良好应用效果和应用潜力，证明了高密度三维地震技术是老油区二次勘探的关键技术之一。     

Combating Biofilm Associated Infection In Vivo: Integration of Quorum Sensing Inhibition and Photodynamic Treatment based on Multidrug Delivered Hollow Carbon Nitride Sphere

Recently, quorum sensing (QS) inhibitors (QSIs) have been combined with antibiotics to enhance antibiofilm efficacy in vitro and in vivo. However, targeting QS signals alone is not enough to prevent bacterial infections. Drug resistance and recurrence of biofilms makes it difficult to eradicate. Herein, photodynamic therapy (PDT) is selected to unite QSIs and antibiotics. A synergistically antibiofilm system, which combines QSIs, antibiotics, and PDT based on hollow carbon nitride spheres (HCNSs) is envisaged. First, HCNS provides the multidrug delivering ability, enabling QSIs and antibiotics to be released in sequence. Subsequently, multistage releases sensitize bacteria effectively, potentiating the chemotherapeutic effects of the antibiotics. Finally, the integration of QSIs and PDT not only minimizes the possibility of drug resistance, but also overcomes the problem of limited mass and extension of PDT. Even after 48 h of incubation, the bacterial biofilm is obviously inhibited. And its biofilm disperse efficiency exceeds 48% (compared with QSI‐potentiated chemotherapy group) and 40% (compared with PDT group). Besides, the inhibition of the QS system influences phenotypes related to virulence factor production and surface hydrophobicity, which weaken biofilm invasion and formation. Eventually, this system is applied to disperse bacterial biofilm in vivo. Overall, PDT and QS modulation are devoted to eradicate drug resistance and recurrence of the biofilm.     

多普勒雷达系统中声光调制器的频移误差

声光调制器的频移误差影响多普勒雷达系统的速度精确测量值.为了分析多普勒雷达系统中声光调制器的频移误差,利用自外差的方法研究了声光调制器中声场和光频相互作用而产生的固定频移,通过统计的方法研究了在不同(但恒定)声场驱动频率下声光作用产生的频移误差.实验结果表明:该声光调制器在多普勒雷达系统中所产生的频移误差小于0.61 MHz,即对于1064nm波长,多普勒速度测量误差小于0.3m/s.对多普勒精确测量系统误差分析研究有一定的参考价值.     

火控系统正向研制信息系统的设计与实现

为提升火控系统正向研制能力,设计其信息系统主要框架.以火控系统正向研制系统的总体架构为依据,以火控系统正向研制信息系统主要框架为设计蓝本,在企业现有的PDM、SDM、TDM、ERP、MES等信息系统基础上进行集成和开发,以实现研制流程管理、工程师协同研发平台、数据管理中心、知识管理中心和信息系统的集成与扩展等功能,从而提高火控系统研制效率、减少研制成本.     

n-GaAs和p-GaN晶片的直接键合

采用直接键合的方法成功实现了n-GaAs和p-GaN晶片的高质量键合.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.键合前后光致发光谱测试表明,键合工艺对材料质量影响不大.室温下界面的电流-电压特性表明,键合得到的n-GaAs/p-GaN异质结为肖特基二极管并且理想因子为1.08.n-GaAs和p-GaN材料直接键合的成功对于集成GaAs和GaN材料制备光电集成器件有重要意义.