基于nRF9E5的无线光标控制系统

利用无线收发技术进行短距离信息传输是传送信息的一种重要方法.本文首先比较具体地介绍了基于无线收发模块进行光标控制系统的基本原理,接着介绍了无线发射、接收模快及最新51兼容射频SoCnRF9E5的片内微控制器的功能及参数,阐述了系统的软件设计.最后说明了用nRF9E5进行无线光机鼠标设计的优势.     

非掺杂对称双栅的基于完整表面电势的核心模型

通过求解Poisson方程自洽地得到了表面电势随沟道电压的变化关系,从而推出了非掺杂对称双栅MOSFET的一个基于表面势的模型. 通过Pao-Sah积分得到了漏电流的表达式. 该模型由一组表面势方程组成,解析形式的漏电流可以通过源端和漏端的电势得到. 结果标明该模型在双栅MOSFET的所有工作区域都成立,而且不需要任何简化(如应用薄层电荷近似)和辅助拟合函数. 对不同工作条件和不同尺寸器件的二维数值模拟与模型的比较进一步验证了提出模型的精度.     

大功率半导体列阵激光器的偏振复用技术研究

根据大功率半导体激光器输出光束的偏振特性,基于偏振复用的原理,分别利用双折射晶体和偏振合束晶体对两只大功率半导体线列阵激光器进行了偏振合束研究.依据理论计算结果,生长了双折射晶体YVO4,并进行了特殊的光路系统设计,最终实现了偏振复用,功率效率达到66%;利用偏振合束,晶体功率效率为85%.最后,从各方面比较了两种方法的优缺点.     

基于0.35μm SiGe BiCMOS的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器的设计

介绍了一个基于0.35μm SiGe BiCMOS工艺的2.5GHz低相位噪声LC压控振荡器.文章重新定义了压控振荡器工作区域.分析表明谐振回路的电感值和偏置电流对振荡器的相噪优化有重要的影响.本文同时分析了CMOS和BJT压控振荡器设计思路的不同.本设计中,采用键合线来实现谐振回路中的电感来进一步提高相噪性能.该VCO和其他模块集成在一起实现了一个环路带宽为30kHz的频率综合器.测试结果表明,当中心频率为2.5GHz时,在100kHz和1MHz的频偏处相噪分别为-95dBc/Hz和-116dBc/Hz.工作电压为3V时,VCO核心电路的电流消耗为8mA.据我们所知,这是国内第一个采用SiGe BiCMOS工艺的差分压控振荡器.     

非晶硅顶电池中的n型掺杂层对非晶硅/微晶硅叠层太阳电池性能的影响

采用超高频等离子增强化学气相沉积(VHF-PECVD)技术,逐次高速沉积非品硅顶电池及微晶硅底电池,形成pin/pin型非晶硅/微晶硅叠层电池.通常顶电池的n层与底电池的P层均采用微晶硅材料来形成隧穿复合结,然而该叠层电池的光谱响应测试结果表明,顶电池存在着明显的漏电现象.针对该问题作者提出,在顶电池的微品硅n层中引入非晶硅n保护层的方法.实验结果表明,非晶硅n层的引入有效地改善了顶电池漏电的现象;在非晶硅n层的厚度为6nm时,顶电池的漏电现象消失,叠层电池的开路电压由原来的1.27提高到1.33V,填允因子由60%提高剑63%.     

相位差法超声波流量计的研制

在分析超声波相位差法测量流体流量基本原理的基础上,提出了一种利用过零检测技术测量相位差的方法,并依据此方法给出了系统模型.通过以数据信号处理器为硬件电路核心器件,实现信号的高速采集和运算,满足过零检测所需要的时间分辨率,从而提高了系统的测量精度.此外,完善了外围电路设计,提高了系统的实时性.     

旋转目标距离像长度特性及微运动特征提取

本文提出了利用旋转目标高分辨一维距离像的长度变化特性提取目标旋转半径和旋转速度等微运动特征的新方法.重点分析了旋转目标一维距离像的长度特性,指出当目标旋转时,微运动造成的一维像"虚假"长度和目标真实长度在雷达视线上的投影共同构成了目标的一维距离像.当目标匀速转动时,其一维距离像的长度变化服从正弦绝对值曲线,并根据这种变化特性,提出了两种提取旋转目标微运动特征的新方法.最后,设计了外场试验,通过实测数据证明了本文的观点和特征提取方法的有效性.     

带有小型化Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器

 本文介绍了一种带有小型化无源Balun的C波段单片GaAs pHEMT单平衡电阻性混频器.Balun 采用集总—分布式结构,使其长度与常用λ/4耦合线Balun相比缩小了11倍,大大降低了将无源Balun应用于C波段单片集成电路中所需的芯片尺寸.混频器采用单平衡电阻性结构,在零功耗的情况下实现了良好的线性和口间隔离性能.测试结果显示,在固定中频160MHz,本振输入功率0dBm条件下,在3.5~5GHz RF频带内,最小变频损耗为8.3dB,1dB压缩点功率为8.0dBm,LO至IF之间的隔离度为38dB.     

VHF-PECVD法制备P型微晶硅锗的研究

以SiH4和GeF4为反应气体,采用甚高频等离子体增强化学气相沉积（VHF-PECVD）方法制备了P型微晶硅锗（P-μc-Sil-xGex）薄膜。研究GeF4浓度对P型微晶硅锗材料组分、结构及电学特性的影响。随GeF4浓度的增加,薄膜中的锗含量增加,暗电导和晶化率先增加,后减小;在薄膜厚度为72nm,GeF4浓度为4％时,得到了电导率达1．68s／cm,激活能为0．047eV,晶化率为60％,在长波区域的平均透过率超过0．9的P型微晶硅锗。     

LiNbO_3/SiO_2/Si薄膜的蓝光发射

采用射频磁控溅射方法制备了LiNbO3/SiO2／Si薄膜。通过X射线衍射（XRD）、电感耦合等离子体质谱（ICP-MS）和傅立叶变换红外吸收光谱（FT-IR）对薄膜的物相、晶体取向和成分进行了表征。采用荧光分光光度计研究了LiNbO3／SiO2／Si薄膜的光致发光。研究结果表明：在280nm激发光的激发下,LiNbO3／SiO2／Si薄膜在室温下发射470nm的蓝光,来源于LiNbO3薄膜与SiO2层界面处白捕获激子的辐射复合,发现在SiO2／Si薄膜上生长LiNbO3薄膜调制SiO2／Si薄膜的发光机制。