八尺门特大桥φ2.8 m桩基施工质量控制

介绍了八尺门特大桥的工程建况、水文地质情况和施工方案的确定，并较为系统、全面地阐述了该大桥φ2.8m大直径钻孔桩的施工过程。从钢护筒沉桩到灌注过程、每道施工程序、采用的方法、质量的控制要点以及施工中的其它问题进行了较具体的讨论与分析，取得了良好的施工效果。     

金刚石膜的计算机虚拟制备技术中的分子动力学模拟

综述了近年来金刚石薄膜形成过程的分子动力学（Molecular Dynamics，简称MD）模拟研究，详细地阐述了原子间相互作用势的选取，总结了不同沉积条件下MD的计算模型和几种典型情况下的模拟结果。研究表明：在原子尺度上，MD方法能较全面地提供有关膜生长的信息，对进一步了解金刚石膜形成的微观机制以及为细观层次仿真提供基本信息均具有重要意义。     

用AT89C2051设计的PC键盘

在介绍PC键码特征的基础上,可利用AT89C2051来实现PC键盘的硬件设计.它具有结构简单、选择性强、便于实现等优点,特别适用于36个以下PC键盘的应用.     

网络化制造中基于STEP-NC的编程方法

STEP-NC是由欧美提出的新的数控接口标准，目的是取代旧的数控标准ISO6983。本文首先分析了STEP-NC的两种应用标准：ISO14649（ARM）和STEPAP238（AIM），并且分析了Part21和Part28的应用领域及Part21文件格式和其中的信息产生方法。然後介绍了ST-Developer环境下ROSEC＋＋颠库编程接口及其应用程序的早、晚编联方式，并且以此为基础设计了整个程序的编程流程，重点介绍了工艺规划设计。最后给出了在C＋＋编程环境下利用ROSE库函数写入形成STEP AP238文件的方法。     

有机锡催化、无中和水洗合成DOP

以有机锡(Fascat4102)作催化剂,苯酐和辛醇(2-乙基己醇)酯化反应生成邻苯二甲酸二辛酯(DOP),其最佳工艺条件为:酯化温度215～225℃,催化剂加入量2.0‰,过量醇含量17%,脱醇真空为20KPa(绝压),脱醇温度为155℃,活性炭加入量为1‰,省却中和水洗和汽提工序,产品质量可以达到优级品.     

长距离曲线顶管在杭州河坊街工程中的应用

对杭州市重点工程—杭州河坊街长距离曲线顶管进行了总结和介绍 ,可为同类工程借鉴和参考     

如何掌握印刷压力

<正> 一、印刷压力的概念与作用 印刷的过程,从某种意义上讲,是解决油墨与纸张之间矛盾的过程。要将印版上图文处的油墨转移到承印物上,就必须施加一定的力,即所谓的印刷压力。它在印刷中具有重要的作用。 1.保证粗糙的印刷面完全接触 纸张、橡皮布、印版的表面均成粗糙微孔状。对这些粗糙表面,必须在一定的压力作用下,使其受     

变长线扫描选择性激光烧结快速成型工艺的质量和效率优势分析

本文分析变长线扫描选择性激光烧结快速成型工艺对点扫描工艺的质量和效率优势.对二者光学系统结构作分析对比,对焦斑和线束上的功率密度作计算对比.变长线扫描系统采用的扫描方式和聚焦元件使线束宽度小且恒定,线束功率密度与点扫描焦斑的相当.变长线扫描选择性激光烧结快速成型工艺的质量优势是明显的,效率比点扫描工艺提高一倍左右.     

Use of radial forces for fault detection in tapping

A model-based method for fault detection in tapping based on torque and radial forces is proposed. The method allows the identification of faults typical of a tapping operation including axial misalignment, tap runout, tooth breakage both singly and together. The validation experiments have been run on aluminum 356 workpieces for different combinations of process faults. Results have shown that the model predictions are in good agreement with the experimental radial force and torque signals under various fault conditions.     

Improvement of RCA transistor using RTA annealing after theformation of interfacial oxide

A polysilicon emitter RCA transistor (an ultra-thin interfacial oxide layer exists between polysilicon and silicon emitter) is presented which can operate at 77 K for the first time. An ultra-thin (1.5 nm) interfacial oxide layer is grown deliberately between polysilicon and silicon emitter using RCA oxidation and excellent device stability is obtained after rapid thermal annealing (RTA) treatment in nitrogen atmosphere. The RCA transistor exhibits good electrical performance at very low temperature for an emitter area of 3 × 8 μm². The maximum toggle frequency of a 1:2 static divider is 1.2 GHz and 732 MHz at 300 K and 77 K, respectively