首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   63706篇
  免费   5583篇
  国内免费   2875篇
电工技术   3569篇
技术理论   2篇
综合类   4108篇
化学工业   10696篇
金属工艺   3715篇
机械仪表   4063篇
建筑科学   4691篇
矿业工程   2137篇
能源动力   1693篇
轻工业   3992篇
水利工程   1070篇
石油天然气   3919篇
武器工业   524篇
无线电   7689篇
一般工业技术   7753篇
冶金工业   3066篇
原子能技术   634篇
自动化技术   8843篇
  2024年   353篇
  2023年   1131篇
  2022年   1830篇
  2021年   2588篇
  2020年   1975篇
  2019年   1766篇
  2018年   1921篇
  2017年   2116篇
  2016年   1917篇
  2015年   2476篇
  2014年   3019篇
  2013年   3620篇
  2012年   4050篇
  2011年   4448篇
  2010年   3673篇
  2009年   3514篇
  2008年   3387篇
  2007年   3291篇
  2006年   3656篇
  2005年   3030篇
  2004年   2119篇
  2003年   1796篇
  2002年   1590篇
  2001年   1443篇
  2000年   1557篇
  1999年   1708篇
  1998年   1511篇
  1997年   1266篇
  1996年   1145篇
  1995年   953篇
  1994年   834篇
  1993年   570篇
  1992年   427篇
  1991年   366篇
  1990年   261篇
  1989年   212篇
  1988年   184篇
  1987年   122篇
  1986年   97篇
  1985年   59篇
  1984年   30篇
  1983年   20篇
  1982年   28篇
  1981年   16篇
  1980年   21篇
  1979年   10篇
  1978年   7篇
  1977年   5篇
  1976年   14篇
  1975年   9篇
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
11.
在语音时域挑选剩余可懂度低的可用置换集合,置换集合是语音TDS系统中不可缺少的重要环节,本文给出了可用置换选取的条件、客观评价标准和方法。  相似文献   
12.
13.
The effects of the plasma etching process induced gate oxide damages on device's low frequency noise behavior are investigated on MOSFET's fabricated with different field plate perimeter to gate area ratio antennas. Abnormal 1/f noise spectrum with a shoulder centered in the frequency range of 100 and to 1 kHz was frequently observed in small geometry devices, and it is attributable to a nonuniform distribution of oxide traps induced by plasma etching process  相似文献   
14.
It has been found that the subthreshold currents of fully depleted silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs show a transient behavior under certain front-gate and back-gate voltage conditions. The cause of this anomaly is explained, and applications for the phenomenon are pointed out. Particularly, a simple way to measure the silicon film thickness is suggested  相似文献   
15.
InGaAs/GaAs(100) multiple-quantum-well-based inverted cavity asymmetric Fabry-Perot modulators are vertically integrated with GaAs/AlGaAs heterojunction phototransistors to yield all-optical photonic switches. The photonic switches using `normally on' modulator pixels exhibit an output on-off ratio of 12:1 with internal optical gain of 4 dB. The photonic switches using `normally off' modulator pixels yield similar contrast and gain, but exhibit intrinsic bistable behavior. The inverted cavity modulators employed permit utilizing the transparency of the GaAs substrate at the operating wavelength and offer advantages for fabricating large arrays for optical signal processing  相似文献   
16.
In order to investigate the galvanic anodic protection (GAP) of ferrous metals (such as 410, 304 and 316 stainless steels) in acid solutions by doped polyaniline (PANi), separate doped PANi powder-pressed electrodes with different surface areas (the area ratio of the PANi electrode to stainless steel is between 1:1 and 1:2) have been prepared. These were coupled with ferrous metal in the following solutions: 5 M sulphuric acid, 5 M phosphoric acid and industrial phosphoric acid (containing 5 M phosphoric acid and 0.05% chloride ion) to construct a galvanic cell, in which PANi is cathode while ferrous metal is anode. The results indicate that a PANi electrode with sufficient area can provide corrosion protection to stainless steel in these acidic solutions. A pilot scale coupling experiment was carried out. The results indicate that PANi is a promising material as an electrode for the anodic protection of ferrous metals in acidic solutions in industrial situations.  相似文献   
17.
18.
一氧化碳对聚丙烯收率、结构的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
分析研究了Montell(Himont)聚丙烯工艺中CO对聚丙烯收率、产品结构的影响。  相似文献   
19.
本文比较了几种常用的α厚层测量法的定标方法。实验结果表明,共沉淀法是一种比较理想的定标方法,它所制得的标准样品的定标曲线线性较好,探测效率较稳定。  相似文献   
20.
为使北京谱仪端盖族射计数器更好地工作在自猝灭流光SQS模式下,提高其能量分辨以及线性等指标,用Ar,CO2,Lsobutane三元工作气体对探测器的工作性能进行了仔细研究,找出了一适合于主雇地数器的工作气体,此外,还研究了异丁的纯度对探测器性能的影响。  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号