16Mn（HIC）钢在D405设备环境下的腐蚀行为研究

中国石化集团齐鲁石油化工公司胜利炼油厂1.40 Mt／a加氢裂化装置高压分离器D405存在设备制造问题,现场调查和介质环境的跟踪分析表明,D405设备腐蚀环境为碱性湿H_2S环境。实验室内选择16Mn(HIC)基材和焊接接头作为实验材质,在湿H_2S环境中进行了腐蚀实验。结果表明,16Mn(HIC)SSCC敏感性随硫化氢浓度的增加和pH值的降低而增加。焊缝处SSCC敏感性最高,经过热处理的焊缝其SSCC敏感性明显降低。因此,16Mn(HIC)在D405碱性湿H_2S环境下的腐蚀开裂敏感性很低,设备可以维持长周期运行。     

McAfee推进在华战略

全球入侵防护和安全风险管理解决方案领先供应商McAfee公司7月5日在华宣布,将正式启用中文名称“迈克菲”。同期还宣布在深圳成立的移动技术研究实验室已投入使用,为包括摩托罗拉在内的移动设备开发安全解决方案。此外迈克菲还与中国联通、百度、软通科技和华擎科技四家中国企业结盟,共同为中国的消费者提供安全产品。纵观McAfee的中国区战略,可以说是品牌加固、科研深化与结盟广泛全线推进。迈克菲寓意双重也许启用一个中文名称本身并不是一件值得大惊小怪的事,但从McAfee董事会主席兼CEO GeorgeSamenuk先生亲临北京别具匠心的新闻发…     

干涉型激光直写技术用于光盘防伪

利用作者研制的干涉型激光直写系统，阐述了干涉型激光直写设计OVD的方法，防伪特征，介绍了应用于光盘防伪的OVD技术和应用前景，给出了实验结果。     

Wavelength and Waveband Assignment for Ring Networks Based on Parallel Multi‐granularity Hierarchical OADMs

In this paper we study the optimization issues of ring networks employing novel parallel multi‐granularity hierarchical optical add‐drop multiplexers (OADMs). In particular, we attempt to minimize the number of control elements for the off‐line case. We present an integer linear programming formulation to obtain the lower bound in optimization, and propose an efficient heuristic algorithm called global bandwidth resource assignment that is suitable for the design of large‐scale OADM networks.     

基于USB总线的虚拟频谱分析仪设计

文章详细介绍了基于USB总线的虚拟频谱分析仪的设计过程。该仪器使用嵌入式混合处理器MC56F8323来实现动态信号的实时采集、频谱分析和数字滤波等功能。处理结果由USB2．0接口芯片CY7C68013上传至PC机．以完成数据显示、存储、绘制图形等功能。其中，CY7C68013工作于Slave FIFO模式，以实现与MC56F8323间的数据传输。该系统可同时对两路动态信号进行实时谱分析，每路采样频率高选500kHz。     

基于Matlab的雷达试验数据分析处理系统

针对雷达外场试验中的需求,提出了基于Matlab软件平台的数据分析处理系统。该系统能很好地完成雷达录取数据的精度分析、威力分析和各种显示图形的绘制,并且在实际中得到了应用。     

基于PCI总线的扫描电镜图像采集系统

图像采集系统是扫描电镜的一个重要组成部分，用于控制扫描电镜的扫描电源，视频图像采集，数字化与显示，电镜主控计算机与底层微机板的通讯和电镜照相，本图像采集系统基于PCI总线接口设计，硬件主要设计采用FPGA技术，实现了数字电路的模块化设计，集成度和灵活性高，目前，电镜图像卡已达到所要求的设计水平。     

新形势下电气工程及其自动化专业人才培养模式与知识体系框架

在分析了当前高等教育培养基本模式的基础上，根据科学技术和社会经济发展的要求，提出了人才培养的模式和要求。特别针对电气工程及其自动化领域的发展趋势以及对人才的需求，提出了该专业人才的知识框架体系。     

Flash器件中氧化硅/氮化硅/氧化硅的特性

对普遍采用的氧化硅/氮化硅/氧化硅( ONO)三层复合结构介质层的制备工艺及特性进行了研究分析,研究了ONO的漏电特性以及顶氧( top oxide)和底氧( bottom oxide)的厚度对ONO层漏电的影响.结果表明,采用较薄的底氧和较厚的顶氧,既能保证较高的临界电场强度,又能获得较薄的等效氧化层厚度,提高耦合率,降低编程电压.